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公开(公告)号：CN119877091A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411175188.3
申请日：2024-08-26
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及分子束外延技术领域，公开了一种降低背景掺杂的分子束外延装置及其使用方法，分子束外延装置包括内部设置有源炉和衬底台的外延室腔体，源炉蒸发出的分子束流包括射向衬底台的有效束流和不经过衬底台的无效束流，其中，还包括低温管，低温管的两端暴露在外延室腔体之外，低温管在外延室腔体内的部分盘旋缠绕成遮挡无效束流的弯管。本申请提供分子束外延装置中，通过在外延室腔体内密封设置盘旋缠绕的低温管，外延时可通过低温吸附源炉溢出的未沉积在衬底台上的分子束流，有效降低装置内的背景杂质浓度，减少污染，帮助稳定外延室腔体内的真空度，有利于提高外延质量并便于清洗外延室腔体。
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公开(公告)号：CN115595553B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202211407075.2
申请日：2022-11-10
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及光电领域，本申请公开一种复合金刚石保护膜及其制备方法和芯片基材，包括以下步骤：将基材放置于金刚石纳米粉的无水乙醇悬浊液中进行超声处理；将处理后的所述基材放置在微波等离子体化学气相沉积系统的样品台上，进行等离子体清洗；在所述基材表面生长金刚石过渡层；生长高致密度的纳米晶金刚石层；生长高取向（100）微米晶金刚石层；对所述基材表面进行等离子体清洗；停止通入氩气，降低氢气流量、气压、微波功率，降温速率低于每秒钟1℃，破真空后取出具有所述复合金刚石保护膜的所述基材。所述复合金刚石保护膜为具有高激光损伤阈值的保护膜，可大幅度提升基材的抗激光损伤阈值。
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公开(公告)号：CN117053987B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311324037.5
申请日：2023-10-13
Applicant: 季华实验室
IPC: G01L27/00
Abstract: 本公开涉及半导体测试技术领域，尤其涉及一种真空计校准方法、测试设备及测试系统。其中，真空计校准方法包括：获取真空计在不同压力下对应的电压量化值；基于电压量化值获取线性校准系数；采用线性校准系数对压力‑电压量化值曲线进行线性拟合，获取非线性误差；在非线性误差小于等于非线性误差阈值时，确定线性校准系数为目标校准系数。本公开的技术方案，有利于提高真空计的检测结果线性度，进而提高真空计的测量结果，以满足实际应用需求。
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公开(公告)号：CN114700126A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210485931.X
申请日：2022-05-06
Applicant: 季华实验室
IPC: B01L3/00
Abstract: 本申请涉及微流控技术领域，具体而言，涉及一种微流控分选芯片,其包括：自上而下依次设置的上导流模块、惯性聚焦暨混合分选模块和磁性分选模块；通过螺旋流道包括多个弯曲结构，弯曲结构可以使CTC与免疫磁珠的碰撞更加激烈，从而结合得更加充分，并且多个弯曲结构增加了螺旋流道的长度，使CTC与免疫磁珠结合的时间增加，从而在混合过程中进行孵育，无需再另外设置孵育模块，减少芯片的尺寸；CTC与血细胞在螺旋流道上进行初步分离的过程中，同时进行肿瘤细胞与免疫磁珠的充分结合及孵育，经过初步分离后的细胞在磁性分选模块中进一步对含有免疫磁珠标记的CTC进行磁性分选，从而分离出纯度更高的含有免疫磁珠标记的CTC。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113739989B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111284298.X
申请日：2021-11-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于机械加工技术领域，公开了一种电容式薄膜真空计的感应膜片焊后张紧力控制方法，包括以下步骤：把感应膜片焊接在电容式薄膜真空计的圆筒状的腔体的下端；腔体的材料的屈服强度比感应膜片的材料的屈服强度低；在腔体的内壁施加压力后卸载压力，使施加压力时腔体的腔壁的内侧部分、腔体的腔壁的外侧部分和感应膜片分别处于塑性变形状态、弹性变形状态和弹性张紧状态，从而使卸载压力后的感应膜片上具有所需的张紧力；该电容式薄膜真空计的感应膜片焊后张紧力控制方法有利于实现对感应膜片焊接后的张紧力的精准控制。
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公开(公告)号：CN115821218B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202211662102.0
申请日：2022-12-23
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种镀膜设备及镀膜方法,通过磁过滤器对由等离子体发生器生成的靶材等离子体射流进行呈电中性的粒子团簇的过滤处理后，由偏转通道的第一电极板吸附带负电的电子，通过正对偏转通道出口的第三电极板吸附由于惯性而撞向第三电极板的带负电的粒子团簇，并由位于偏转通道出口上方的一侧的第四电极板使带正电的离子转向并加速射入镀膜室以对被镀工件进行镀膜，由于沉积在被镀工件的表面上均是带正电的离子（避免了粒子团簇对镀膜的影响），从而提高镀膜质量。
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公开(公告)号：CN118565697A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202411014423.9
申请日：2024-07-26
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于半导体加工的技术领域，公开了一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法，该电容薄膜真空计传感器包括：核心陶瓷元件、密封腔体、压紧元件和顶盖组件，核心陶瓷元件包括从上到下依次叠置的下表面中部镀有上陶瓷片导电层的上陶瓷片、间隙垫圈和上表面中部镀有下陶瓷膜片导电层的下陶瓷膜片，下陶瓷膜片导电层和上陶瓷片导电层设置在间隙垫圈中间，且间隙垫圈的厚度大于下陶瓷膜片导电层和上陶瓷片导电层的厚度之和；密封腔体内壁设置有螺纹，螺纹与压紧元件对应；通过在密封腔体内部设置核心陶瓷元件和压紧元件，并在密封腔体顶部焊接顶盖组件，制作得到电容薄膜真空计传感器，提高了电容薄膜真空计传感器的使用效率。
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公开(公告)号：CN115821218A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211662102.0
申请日：2022-12-23
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种镀膜设备及镀膜方法,通过磁过滤器对由等离子体发生器生成的靶材等离子体射流进行呈电中性的粒子团簇的过滤处理后，由偏转通道的第一电极板吸附带负电的电子，通过正对偏转通道出口的第三电极板吸附由于惯性而撞向第三电极板的带负电的粒子团簇，并由位于偏转通道出口上方的一侧的第四电极板使带正电的离子转向并加速射入镀膜室以对被镀工件进行镀膜，由于沉积在被镀工件的表面上均是带正电的离子（避免了粒子团簇对镀膜的影响），从而提高镀膜质量。
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公开(公告)号：CN115219103B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211145367.3
申请日：2022-09-20
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，涉及一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法，该制作方法包括以下步骤:制作芯轴组件，芯轴组件包括由上到下依次连接的固定电极、上支撑板、感应电极、膜片和下支撑板，感应电极与膜片在周向上凸出于上支撑板与下支撑板，上支撑板的上表面安装有上支撑杆，下支撑板的下表面安装有下支撑杆；利用气相沉积反应在芯轴组件外生成外壳；冷却芯轴组件以及外壳，并拆除上支撑杆和下支撑杆；向外壳内通入氧化气体并加热氧化以消除上支撑板和下支撑板，通过将电容薄膜真空计传感器外壳一体式加工成型，减少在电容薄膜真空计传感器制作过程中产生不必要的应力，从而保证陶瓷薄膜硅的性能。
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