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公开(公告)号：CN119877091A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411175188.3
申请日：2024-08-26
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及分子束外延技术领域，公开了一种降低背景掺杂的分子束外延装置及其使用方法，分子束外延装置包括内部设置有源炉和衬底台的外延室腔体，源炉蒸发出的分子束流包括射向衬底台的有效束流和不经过衬底台的无效束流，其中，还包括低温管，低温管的两端暴露在外延室腔体之外，低温管在外延室腔体内的部分盘旋缠绕成遮挡无效束流的弯管。本申请提供分子束外延装置中，通过在外延室腔体内密封设置盘旋缠绕的低温管，外延时可通过低温吸附源炉溢出的未沉积在衬底台上的分子束流，有效降低装置内的背景杂质浓度，减少污染，帮助稳定外延室腔体内的真空度，有利于提高外延质量并便于清洗外延室腔体。
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公开(公告)号：CN119292045B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411822505.6
申请日：2024-12-11
Applicant: 季华实验室
IPC: G05B13/02
Abstract: 本发明提供了一种钟摆阀压力系统控制方法，涉及真空系统控制技术领域。该钟摆阀压力系统控制方法包括步骤：基于PSOBAS算法获得ADRC控制器的最优控制参数；将最优控制参数输入到ADRC控制器后，通过ADRC控制器获得钟摆阀的开度值；根据开度值控制钟摆阀。本发明的钟摆阀压力系统控制方法解决了现有控制方法无法很好地抑制系统的非线性影响，实现更高精度和更快速的气体压力调节。
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公开(公告)号：CN119249650B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411760486.9
申请日：2024-12-03
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/17 , G06F30/20 , G06F111/10
Abstract: 本申请属于等离子源技术领域，公开了一种微波远程等离子源结构优化设计分析方法及相关设备，基于数值模拟技术，对微波远程等离子源进行参数化建模，并对其内部的电磁场分布进行精确模拟和分析，从而快速找到最优设计方案；避免了传统设计方法中过度依赖实验验证和经验积累的问题，缩短了设计周期，降低了设计成本，对工程经验依赖小，而且可以针对不同工况条件进行仿真分析以快速找到适应性强、性能优越的设计方案，适应性强。
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公开(公告)号：CN119592913A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411859498.7
申请日：2024-12-17
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及传感器技术领域，主要涉及一种窄滞回宽度薄膜材料及其制备方法、应用。本申请通过对二氧化钒薄膜进行掺杂引入带有磁性的稀土元素钆（Gd）和钛（Ti），作为杂质离子可有效地取代或破坏钒离子的V4+‑V4+共价键，进而增加薄膜中的缺陷对二氧化钒薄膜的相变特性进行调控，所提供的薄膜材料还具有窄的滞回宽度，有助于实现零滞回宽度的广泛应用突破，同时还具备有优异的可逆相变与循环稳定性以及超灵敏温度响应与快速开关特性，可为传感器领域的发展提供有力的支持。
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公开(公告)号：CN119053000A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411332595.0
申请日：2024-09-24
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于等离子产成设备技术领域，公开了一种远程等离子体源腔体结构，在环形腔体的出气口处设置具有孔道和第一螺旋叶片的螺旋分离器以及副驱动线圈，利用副驱动线圈产生的磁场约束等离子体的运动范围，使等离子体从孔道穿过，输出气流中的污染颗粒物不受该磁场影响从而在螺旋流动过程中与第一螺旋叶片和出气口内壁摩擦降速并最终被吸附，有效减少从出气口输出的等离子体中包含的污染颗粒物的含量。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN118502500A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410952936.8
申请日：2024-07-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种压力自适应控制方法、装置及相关设备，涉及真空压力控制领域，其中压力自适应控制方法包括：检测腔体内的实际压力，并根据预设压力与实际压力之差计算压力偏差；根据上一时刻的控制信号、神经元比例系数以及当前时刻各个节点输出及对应的当前时刻的权值系数计算生成当前时刻的控制信号；根据当前时刻的控制信号调节电机以调节连接腔体的管道上的蝶阀的开度，从而调节腔体压力。本申请的压力自适应控制方法能解决PID控制算法在应用于高非线性和高时变性的真空蝶阀腔体压力控制系统时，难以达到理想的控制效果的问题，从而能达到迅速且准确地将腔体压力调节至预设压力的效果。
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公开(公告)号：CN115595553B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202211407075.2
申请日：2022-11-10
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及光电领域，本申请公开一种复合金刚石保护膜及其制备方法和芯片基材，包括以下步骤：将基材放置于金刚石纳米粉的无水乙醇悬浊液中进行超声处理；将处理后的所述基材放置在微波等离子体化学气相沉积系统的样品台上，进行等离子体清洗；在所述基材表面生长金刚石过渡层；生长高致密度的纳米晶金刚石层；生长高取向（100）微米晶金刚石层；对所述基材表面进行等离子体清洗；停止通入氩气，降低氢气流量、气压、微波功率，降温速率低于每秒钟1℃，破真空后取出具有所述复合金刚石保护膜的所述基材。所述复合金刚石保护膜为具有高激光损伤阈值的保护膜，可大幅度提升基材的抗激光损伤阈值。
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公开(公告)号：CN114878494B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202210718458.5
申请日：2022-06-23
Applicant: 季华实验室
IPC: G01N21/31
Abstract: 本申请涉及属于分子束外延技术领域，公开了一种原位监测坩埚中的源材料含量的装置及方法，该装置包括基架、测量杆、激光接收器和激光发射器，所述测量杆穿过所述基架，所述测量杆和所述基架滑动连接，所述测量杆的一端设置有所述激光接收器或所述激光发射器；所述激光发射器用于发射激光到坩埚内，所述测量杆用于通过调节其滑动位置使所述激光接收器能够接收从坩埚内反射出的激光，所述激光接收器用于在接收到从所述坩埚内反射出的激光后产生电反馈信号。本发明结构简单，能实现对坩埚内源材料的原位监测，节约时间，提高工作效率。
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公开(公告)号：CN118086847A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410254849.5
申请日：2024-03-06
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/35
Abstract: 本申请属于磁控溅射粉末镀膜的技术领域，公开了一种粉末镀膜装置及其镀膜方法，该镀膜方法包括：响应于工作人员输入的启动指令，粉末镀膜装置驱动转台围绕转台的中心进行转动、驱动斜向样品台围绕斜向样品台的中心进行自转以及驱动磁控靶溅射镀膜原材料，以使镀膜原材料均匀地附着在斜向样品台内流动的粉末的表面，预设周期后，粉末镀膜装置驱动所有部件停止运行，得到表面镀膜均匀的粉末，通过粉末镀膜装置及对应的镀膜方法，对粉末进行镀膜，提高了粉末镀膜的效率。
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