公开(公告)号：CN100552890C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200710126919.5

申请日：2007-07-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·M·盖茨 ,  S·V·恩古源 ,  R·D·米勒 ,  V·Y-W·李 ,  A·格里尔 ,  G·J-M·迪布瓦 ,  V·V·帕特尔

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L23/29 ,  C23C16/30

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C23C16/36 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835

Abstract: 本发明提供了形成包括Si，C，O和H原子(SiCOH)或Si，C，N和H原子(SiCHN)的介质膜的方法，该介质膜具有增强的内聚强度(或等价地，增强的断裂韧度或减小的脆性)，和增加的抗水侵蚀特性，例如应力侵蚀破裂，Cu渗入以及其它关键特性。本发明还提供了包括上述材料的电子结构。

公开(公告)号：CN1332446A

公开(公告)日：2002-01-23

申请号：CN01103032.1

申请日：1995-10-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·格里尔 ,  V·V·帕特尔

IPC: G11B5/72 ,  G11B5/255 ,  C23C16/27

CPC classification number: G11B5/3106 ,  G11B5/255 ,  G11B5/72 ,  G11B5/8408 ,  Y10S427/106 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/265

Abstract: 磁记录媒体器件表面的一种经改进的耐磨保护性被覆层,由经氟化的类金刚石碳用等离子体增强化学汽相淀积法或其它适当的方法淀积成,具有减小摩阻和静摩阻的优异性能。

公开(公告)号：CN101226922B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200710002003.9

申请日：2007-01-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·A·纽梅尔 ,  A·格利尔 ,  S·M·盖茨 ,  阮山文 ,  V·V·帕特尔 ,  A·阿夫扎里-阿达卡尼

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  C23C16/30 ,  C23C16/32 ,  H01B3/02

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体器件制造中可用的多孔复合材料，其中孔的直径(或特征尺寸)和孔尺寸分布(PSD)以纳米规模方式控制并且呈现改进的粘结强度(或者相等地，改进的断裂韧性或降低的脆性)和提高的对诸如应力腐蚀开裂、Cu的进入和其它临界性质的性质的耐水下降性。使用至少一种双官能的有机成孔剂作为前体化合物制造该多孔复合材料。

公开(公告)号：CN1204698A

公开(公告)日：1999-01-13

申请号：CN98107775.7

申请日：1998-04-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·E·贝备彻 ,  A·格列尔 ,  A·C·卡利格列 ,  C·杰尼斯 ,  J·方坦尼 ,  V·V·帕特尔

IPC: C23C16/26 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C16/26 ,  C23C16/30 ,  G03F7/091 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3127 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/30

Abstract: 公开了气相淀积的BARC和制备基于非晶碳薄膜的可调且可去除的抗反射涂层的方法。这些薄膜可以是氢化的、氟化的、氮化的碳薄膜。该薄膜具有在UV和DUV波长,具体地365、248和193nm波长,分别从约1.4到约2.1和从约0.1到约0.6可调的折射率和消光系数。此外,本发明制备的薄膜可以高的保形性淀积于器件形貌上,且它们可用氧和/或氟离子刻蚀工艺刻蚀掉。因为它们独特的特性,这些薄膜可被用来在UV和DUV波长形成可调的且可去除的抗反射涂层,以在光致抗蚀剂层/BARC涂层界面达到接近零的反射系数。该BARC极大地改进了半导体芯片的性能。

公开(公告)号：CN1950932A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200580011628.0

申请日：2005-03-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·M·盖茨 ,  A·格里尔 ,  D·R·梅代罗斯 ,  D·诺伊迈尔 ,  S·V·源 ,  V·V·帕特尔 ,  王新辉

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L21/3122 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695

Abstract: 公开了以平行板化学气相沉积工艺，利用离子体增强化学气相沉积(“PECVD”)工艺制造包括Si、C、O和H原子的热稳定的超低介电常数膜的方法。进一步公开了包含由本方法制造的热稳定超低介电常数材料的绝缘层的电子器件。为了制造热稳定的超低介电常数膜，使用特殊的前体材料，如硅烷衍生物例如二乙氧基甲基硅烷(DEMS)和有机分子例如双环庚二烯和环戊烯氧化物。

公开(公告)号：CN1073252C

公开(公告)日：2001-10-17

申请号：CN95109588.9

申请日：1995-10-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·格里尔 ,  V·V·帕特尔

IPC: G11B5/31 ,  G11B5/72

CPC classification number: G11B5/3106 ,  G11B5/255 ,  G11B5/72 ,  G11B5/8408 ,  Y10S427/106 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供了一种记录媒体器件及其制造方法。磁记录媒体器件表面的一种经改进的耐磨保护性被覆层，由两层DLC/FDLC被覆层用等离子体增强化学汽相淀积法或其它适当的方法淀积成，具有减小摩阻和静摩阻的优异性能。

公开(公告)号：CN1155140A

公开(公告)日：1997-07-23

申请号：CN95109588.9

申请日：1995-10-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·格里尔 ,  V·V·帕特尔

IPC: G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3106 ,  G11B5/255 ,  G11B5/72 ,  G11B5/8408 ,  Y10S427/106 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/265

Abstract: 磁记录媒体器件表面的一种经改进的耐磨保护性被覆层，由经氟化的类金刚石碳用等离子体增强化学汽相淀积法或其它适当的方法淀积成，具有减小摩阻和静摩阻的优异性能。

公开(公告)号：CN101226922A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200710002003.9

申请日：2007-01-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·A·纽梅尔 ,  A·格利尔 ,  S·M·盖茨 ,  阮山文 ,  V·V·帕特尔 ,  A·阿夫扎里-阿达卡尼

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  C23C16/30 ,  C23C16/32 ,  H01B3/02

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体器件制造中可用的多孔复合材料，其中孔的直径(或特征尺寸)和孔尺寸分布(PSD)以纳米规模方式控制并且呈现改进的粘结强度(或者相等地，改进的断裂韧性或降低的脆性)和提高的对诸如应力腐蚀开裂、Cu的进入和其它临界性质的性质的耐水下降性。使用至少一种双官能的有机成孔剂作为前体化合物制造该多孔复合材料。

公开(公告)号：CN1245765C

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN03150025.0

申请日：2003-07-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·辛格 ,  K·L·森格尔 ,  V·V·帕特尔 ,  A·格里尔 ,  S·J·克斯特

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/41 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28587 ,  H01L29/42316

Abstract: 本发明公开了一种用于调制掺杂的场效应晶体管(MODFET)的增强的T形栅极的结构和方法。增强的T形栅极具有将T形栅极的颈部夹在之间的绝缘间隔层。间隔层薄于T形条部分悬伸部分。绝缘层提供了机械支撑并在随后的器件处理期间保护了脆弱的颈部不受化学侵蚀，使T形栅极结构具有高的伸缩性并提高了成品率。使用低介电常数的薄保形绝缘层可以确保低栅极寄生电容，并降低了在源-栅间距减小到较小尺寸时，栅极和源极冶金接触短路的危险性。

公开(公告)号：CN1595634A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410062390.1

申请日：2004-07-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·C·埃德尔斯坦 ,  A·格里尔 ,  V·V·帕特尔 ,  D·D·雷斯塔伊诺

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834

Abstract: 一种半导体器件结构及其制造方法，包括：具有顶部第一层的衬底；位于第一层顶部上的第二薄过渡层；以及位于过渡层顶部上的第三层，其中第二薄过渡层提供了该结构的第一和第三层之间的强粘附性和内聚强度。此外，半导体器件结构及其制造方法包括含有多个介质和导电层的绝缘结构，通过设置各过渡粘附层可以提高不同层之间的界面强度。此外，电子器件结构引入了多个绝缘层和导电材料层作为后段制程(“BEOL”)布线结构中层内或层间介质，其中通过薄中间过渡粘附层提高了不同两介质膜之间的界面强度。