-
公开(公告)号：CN103824566B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410100304.5
申请日：2014-03-18
Applicant: 清华大学
CPC classification number: G11B5/3106 , C01B32/186 , C01B32/188 , G11B5/102 , G11B5/255 , G11B5/3163 , G11B5/581 , G11B5/6082
Abstract: 本发明提供了一种读写接触式硬盘的磁头、滑块与盘体的接触技术。磁头滑块与盘体接触的接触面为至少一层二维原子晶体，结构为平面，并延伸至磁头侧面；盘体原子级平整，与磁头滑块接触的接触面为至少一层二维原子晶体或类金刚石纳米膜（DLC）。在读取数据时，所述磁头滑块和盘体之间始终保持原子接触。本发明的磁头滑块与盘体之间直接接触的二维原子晶体两层结构具有非共度性，并呈现超润滑状态，即两者之间的摩擦力几乎为零。磁头滑块与盘体的原子接触，大大降低磁头滑块与盘体之间的距离，且可完全取消传统磁头滑块中的DLC保护层，进一步降低了磁头滑块与盘体之间的距离，实现更高存储密度、更快存储和读取速度、以及更小型化的硬盘设备。
-
公开(公告)号：CN102347030B
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201110229263.6
申请日：2011-06-27
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: G11B5/3106 , G11B5/10 , G11B5/255 , G11B5/607
Abstract: 本发明涉及层叠接触垫，接触垫包括由具有第一屈服强度的材料制成的第一层和层叠到第一层上的由具有第二屈服强度的材料制成的第二层。由于霍尔-佩奇(Hall-Petch)现象，第一层和第二层的层叠复合层的第三屈服强度超过第一屈服强度和第二屈服强度。保护涂层覆盖接触垫的第一层和第二层的一个边缘，以防止磨损。一种制造接触垫或其它微电子部件结构的方法包括，将由具有第一屈服强度的材料制成的第一层沉积到衬底上。由具有第二屈服强度的材料制成的第二层被沉积到第一层上。第一层和第二层的一个边缘被保护涂层材料覆盖，以防止第一层和第二层的磨损。
-
公开(公告)号：CN105593937A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480053369.7
申请日：2014-08-01
Applicant: 甲骨文国际公司
Inventor： A·V·拉克施密库玛拉恩 , J·E·托利尼
CPC classification number: G11B5/1871 , G11B5/008 , G11B5/255 , G11B5/3106 , G11B5/60
Abstract: 读/写头设置有具有主体长度和支承表面的主体，所述支承表面在数据存储介质被跨支承表面纵向传送时支持数据存储介质。主体的支承表面被在细长主体的宽度方向围绕轴弯曲。主体的支承表面仅仅在中间区域中具有相对主体长度减小的纵向长度。在主体的支承表面的中间区域上提供至少一个读/写设备，以在数据存储介质被跨支承表面传送时在数据存储介质上读和/或写数据。磁带驱动器系统设置有读/写头、至少一个读/写设备、和驱动数据存储磁带的发动机。
-
公开(公告)号：CN105590635A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201511028482.2
申请日：2015-11-10
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B5/40
CPC classification number: G11B5/314 , C23C8/02 , C23C8/10 , C23C8/80 , G11B5/3106 , G11B9/12 , G11B2005/0021 , G11B5/40 , G11B2220/2508
Abstract: 设备，其包括：近场换能器(NFT)；被定位在NFT的至少一部分上的非晶气体阻隔层；以及被定位在气体阻隔层的至少一部分上的耐磨层。
-
公开(公告)号：CN102347030A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110229263.6
申请日：2011-06-27
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: G11B5/3106 , G11B5/10 , G11B5/255 , G11B5/607
Abstract: 本发明涉及层叠接触垫，接触垫包括由具有第一屈服强度的材料制成的第一层和层叠到第一层上的由具有第二屈服强度的材料制成的第二层。由于霍尔-佩奇(Hall-Petch)现象，第一层和第二层的层叠复合层的第三屈服强度超过第一屈服强度和第二屈服强度。保护涂层覆盖接触垫的第一层和第二层的一个边缘，以防止磨损。一种制造接触垫或其它微电子部件结构的方法包括，将由具有第一屈服强度的材料制成的第一层沉积到衬底上。由具有第二屈服强度的材料制成的第二层被沉积到第一层上。第一层和第二层的一个边缘被保护涂层材料覆盖，以防止第一层和第二层的磨损。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102221336A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110065389.4
申请日：2011-03-11
Applicant: 西部数据(弗里蒙特)公司
Inventor： T·J·威利斯
IPC: G01B11/06
CPC classification number: G11B5/3106
Abstract: 本发明描述一种探询碳层厚度的方法和系统。碳层驻留在磁记录磁头和磁记录盘中的至少之一上。该方法和系统包括在碳层上设置增强膜。增强膜在碳层的一部分上是连续的。该方法和系统还包括将增强膜暴露于来自光源的光，以及检测来自碳层的散射光以提供表面增强拉曼光谱法(SERS)光谱。增强膜驻留在光源和碳层之间。该方法和系统还包括基于SERS光谱确定碳层的厚度。
-
公开(公告)号：CN100562506C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200510127187.2
申请日：2005-11-28
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: C04B35/117 , C04B35/6261 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3418 , C04B2235/3886 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/658 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/963 , G11B5/3106 , G11B5/40 , G11B5/6005 , Y10T428/1157 , Y10T428/1193
Abstract: 本发明提供一种氧化铝氮化钛类烧结体及其制造方法、磁头用基板、超声波马达、动压力轴承，该氧化铝氮化钛类烧结体将65～85质量%的氧化铝和剩余部分的氮化钛作为主成分，将由所述氧化铝构成的晶粒和由所述氮化钛构成的晶粒的两者的晶体粒径相加后的平均值为0.5～1.4μm，所述氧化铝的平均晶体粒径为0.5～2.2μm，所述氮化钛的平均晶体粒径为0.2～1.6μm。因此，这种氧化铝氮化钛类烧结体，耐静电破坏性优良、体积固有电阻率的偏差小。
-
公开(公告)号：CN100378802C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510083139.8
申请日：2005-07-13
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 青木健一郎
CPC classification number: G11B5/3136 , G11B5/3106 , G11B5/3133
Abstract: 公开了一种磁头结构，其可以减小线圈所处的浮动表面的一部分朝向磁盘的突出量。该磁头包括：线圈(22)；磁极(26)，其允许由所述线圈产生的磁通传送通过并且形成磁隙(24)；绝缘层(32)，其包围所述线圈；和保护模(34)，其覆盖所述绝缘层和磁极，如果将第一方向定义为当沿着其中所述线圈、磁极、绝缘层和保护膜层叠的方向观察时磁头结构的浮动表面侧延伸的方向，并且将第二方向定义为与所述第一方向垂直的方向，则绝缘层在第一方向上的最大长度与在第二方向上的最大长度的比值在1.5至6之间。
-
公开(公告)号：CN100369114C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN03152337.4
申请日：2003-07-29
Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC classification number: G11B5/6005 , B24B37/048 , G11B5/3106 , G11B5/314 , G11B5/3163 , G11B5/3166 , G11B5/3169 , G11B5/3173 , G11B5/6082 , Y10T29/49037
Abstract: 一种用于制造具有磁传感器元件的浮动块的方法，包含如下步骤：在浮动块主体材料的晶片表面上形成一个或多个磁传感器元件；在上述晶片表面上形成一个掩模，以限定包含至少一个磁传感器元件的浮动块的位置、尺寸和形状，浮动块的形状包含伸过预定终止研磨的平面的消耗凸部，所述的消耗凸部的宽度小于浮动块的宽度；采用腐蚀掉上述掩模之外的材料的方法从上述晶片切出浮动块，上述的腐蚀方法在浮动块表面上形成大致垂直于上述晶片表面而延伸的消耗凸部；研磨带有消耗凸部的浮动块表面，直到到达预定平面为止。还公开了用这种方法得到的浮动块、晶片和数据存储器。
-
公开(公告)号：CN100349211C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200510107563.1
申请日：2005-09-29
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/3136 , G11B5/3106 , G11B5/314 , G11B5/6064 , G11B5/607
Abstract: 一种具有更高突出效率的薄膜磁头，其包括：带有空气支承表面(ABS)的衬底；包括下和上屏蔽层的读头元件，和包括磁极层的写头元件；加热元件，其相对于所述读头元件和所述写头元件设在与ABS相对的位置；和散热元件，其包括散热层，该散热层设在与所述下和上屏蔽层以及所述磁极层中的至少一层的所述ABS一侧的端部相对的端部附近，所述散热元件具有一种形状，使得沿所述ABS一侧的端部的轨道宽度方向的宽度大于沿着与所述ABS一侧的所述端部相对的端部的轨道宽度方向的宽度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
178
records
(took 0.014 seconds)
