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公开(公告)号：CN101877341B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201010166770.5
申请日：2010-04-27
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L23/49827 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2224/16146 , H01L2224/16235 , H01L2224/17181 , H01L2224/73204 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19103 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明涉及可返修的电子器件组件及方法。提供一种电子器件组件，其包括衬底、内插件以及集成电路芯片。所述衬底由具有第一热膨胀率的第一材料制成，并且所述内插件以及所述集成电路由具有第二热膨胀率的第二材料制成。所述第二热膨胀率不同于所述第一热膨胀率，因此在所述衬底与所述内插件或芯片之间存在热膨胀系数失配。所述内插件通过多个第一电接触和至少部分地包围所述电接触的底部填充粘合剂而被耦合到所述衬底，以将所述内插件接合到所述衬底并由此减轻在所述多个第一导电接触上的应变。通过多个第二电接触将所述集成电路芯片耦合到所述内插件而不使用包围所述多个第二电接触的粘合剂。
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公开(公告)号：CN100411169C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200510114902.9
申请日：2005-11-11
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L25/00 , H01L23/473
CPC classification number: H01L23/473 , H01L25/0657 , H01L2224/16225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2225/06517 , H01L2225/06589 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/15311 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明提供了用于将微通道冷却模块集成在包括多个高性能IC芯片的高密度电子模块(例如芯片封装、系统级组件模块等)内的装置和方法。电子模块设计成，高性能(高功率)IC芯片紧邻集成的冷却模块(或冷却板)设置以便有效地排热。此外，包括具有多个面安装在其上的芯片的表面积很大的硅载体的电子模块设计成，集成的硅冷却模块刚性接合在这种芯片的背面上以增大硅载体的结构完整性。
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公开(公告)号：CN103681618A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310428799.X
申请日：2013-09-18
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及具有通孔的功能性玻璃处理晶片。公开了具有电贯穿连接的复合布线电路及其制造方法。所述复合布线电路包括具有第一导电通孔的玻璃。所述第一导电通孔从所述玻璃层的顶面通到所述玻璃层的底面。所述复合布线电路还包括具有第二导电通孔的插入层。所述第二导电通孔从所述插入层的顶面通到所述插入层的底面。所述第二导电通孔被电耦合到所述第一导电通孔。
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公开(公告)号：CN1790705A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510114902.9
申请日：2005-11-11
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L25/00 , H01L23/473
CPC classification number: H01L23/473 , H01L25/0657 , H01L2224/16225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2225/06517 , H01L2225/06589 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/15311 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明提供了用于将微通道冷却模块集成在包括多个高性能IC芯片的高密度电子模块(例如芯片封装、系统级组件模块等)内的装置和方法。电子模块设计成，高性能(高功率)IC芯片紧邻集成的冷却模块(或冷却板)设置以便有效地排热。此外，包括具有多个面安装在其上的芯片的表面积很大的硅载体的电子模块设计成，集成的硅冷却模块刚性接合在这种芯片的背面上以增大硅载体的结构完整性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1589506A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN02823012.4
申请日：2002-11-20
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L29/78669 , G09G2310/0254 , H01L27/3244 , H01L29/4908
Abstract: 用于提供电流给一有机发光二极管的电路，包括：(a)一非晶硅场效应晶体管(1000)(1050)(1200) (1250)，其具有一栅电极和一漏电极，通过该漏电极电流被提供给所述有机发光二极管；以及(b)一控制器，用于控制所述栅电极和所述漏电极之间的偏压，以把阈值电压偏移保持为小于约1V。所述有机发光二极管优选地是一有源矩阵中的元件。
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公开(公告)号：CN114695138A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111447938.4
申请日：2021-11-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/54 , H01L21/56 , H01L23/498
Abstract: 本发明涉及芯片到衬底的组装。一种示例性方法包括在接合温度下，使用焊料将半导体芯片接合到有机叠层衬底；在不从所述接合温度冷却至室温的情况下，在底部填充分配温度下，在半导体芯片和有机叠层衬底之间分配底部填充；以及在高于底部填充分配温度的温度范围内固化底部填充。另一示例性方法包括在有机叠层衬底的衬垫上沉积第一焊料；使半导体芯片的柱上的第二焊料与有机叠层衬底的衬垫上的第一焊料接触；以及将半导体芯片焊接接合到有机叠层衬底。
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公开(公告)号：CN104718605A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201380053216.8
申请日：2013-09-20
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L23/49827 , H01L21/02 , H01L21/2007 , H01L21/6835 , H01L29/00 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于加工半导体晶片的方法包括将释放层施加到透明操作体(S11)。在半导体晶片与其上施加有所述释放层的所述透明操作体之间施加不同于所述释放层的粘合层(S12)。使用所述粘合层将所述半导体晶片接合到所述透明操作体(S13)。在所述半导体晶片被接合到所述透明操作体时加工所述半导体晶片(S14)。通过使用激光器透过所述透明操作体照射所述释放层来烧蚀所述释放层(S16)。从所述透明操作体去除所述半导体晶片(S17)。
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公开(公告)号：CN103217740A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310017480.8
申请日：2013-01-17
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G02B6/4204 , G02B6/34
Abstract: 本发明涉及硅光子芯片光学耦合结构。提供了一种硅光子芯片。包括光子器件的有源硅层在硅光子芯片的前侧上。包括蚀刻的背侧腔的硅衬底在硅光子芯片的背侧上。微透镜集成到蚀刻的背侧腔中。掩埋氧化物层位于有源硅层和硅衬底之间。掩埋氧化物层是用于蚀刻的背侧腔的蚀刻停止层。
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