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公开(公告)号:CN104718605B
公开(公告)日:2018-05-18
申请号:CN201380053216.8
申请日:2013-09-20
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L23/49827 , H01L21/02 , H01L21/2007 , H01L21/6835 , H01L29/00 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于加工半导体晶片的方法包括将释放层施加到透明操作体(S11)。在半导体晶片与其上施加有所述释放层的所述透明操作体之间施加不同于所述释放层的粘合层(S12)。使用所述粘合层将所述半导体晶片接合到所述透明操作体(S13)。在所述半导体晶片被接合到所述透明操作体时加工所述半导体晶片(S14)。通过使用激光器透过所述透明操作体照射所述释放层来烧蚀所述释放层(S16)。从所述透明操作体去除所述半导体晶片(S17)。
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公开(公告)号:CN104718605A
公开(公告)日:2015-06-17
申请号:CN201380053216.8
申请日:2013-09-20
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L23/49827 , H01L21/02 , H01L21/2007 , H01L21/6835 , H01L29/00 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于加工半导体晶片的方法包括将释放层施加到透明操作体(S11)。在半导体晶片与其上施加有所述释放层的所述透明操作体之间施加不同于所述释放层的粘合层(S12)。使用所述粘合层将所述半导体晶片接合到所述透明操作体(S13)。在所述半导体晶片被接合到所述透明操作体时加工所述半导体晶片(S14)。通过使用激光器透过所述透明操作体照射所述释放层来烧蚀所述释放层(S16)。从所述透明操作体去除所述半导体晶片(S17)。
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公开(公告)号:CN102843987A
公开(公告)日:2012-12-26
申请号:CN201180018660.7
申请日:2011-04-12
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor: D·P·康纳斯 , J·费尔森斯坦 , R·E·特里辛斯基 , J·J·韦恩 , D·S·祖潘斯基-尼尔森
IPC: A61B18/20
CPC classification number: A61B18/20 , A61B2018/207
Abstract: 公开的是使用激光消融有效去除组织的改善的系统和方法。第一激光器发射具有足以消融组织的可变第一积分通量的第一激光束。第一激光束可移动地定位在组织的一个或多个表面上并且第一积分通量随着位置在不同级上变化,因此,为了修饰组织表面的外形,在不同表面位置上消融不同厚度的组织。修饰包括组织平滑、去除、羽化、锐化以及粗糙化。在一个优选实施例中焦痂的组织被去除,显露活组织。在可选优选实施例中,具有足以消融组织的积分通量的一个或多个具有不同波长的另外的激光束在组织的表面上移动直到第二消融达到第二自动终止点,例如,通过吸收第二激光束而没有产生持续消融必须的温度升高的终止点之下的化学影响而确定第二自动终止点。
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