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公开(公告)号：CN103217740A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310017480.8
申请日：2013-01-17
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G02B6/4204 , G02B6/34
Abstract: 本发明涉及硅光子芯片光学耦合结构。提供了一种硅光子芯片。包括光子器件的有源硅层在硅光子芯片的前侧上。包括蚀刻的背侧腔的硅衬底在硅光子芯片的背侧上。微透镜集成到蚀刻的背侧腔中。掩埋氧化物层位于有源硅层和硅衬底之间。掩埋氧化物层是用于蚀刻的背侧腔的蚀刻停止层。
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公开(公告)号：CN100481435C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200610091839.6
申请日：2006-06-12
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/525 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L23/5252 , H01L45/06 , H01L45/1206 , H01L45/1226 , H01L45/1286 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1683 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 一种集成电路中的可逆熔丝结构，通过采用具有与过孔接触的相变材料短细线的熔丝单元以及能够使电流流经相变材料线(熔丝单元)的线结构获得。使电流流经熔丝单元，以通过将结晶态下的相变材料加热到熔点然后将该材料快速淬火至非晶态，使材料从低阻材料转变为高阻材料。通过使低电流流经熔丝单元以使高阻非晶材料转变为低阻结晶材料，获得可逆编程。集成合适的传感电路以读取熔丝中储存的信息，其中使用所述传感电路来启动或截止电路。
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公开(公告)号：CN103681618A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310428799.X
申请日：2013-09-18
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及具有通孔的功能性玻璃处理晶片。公开了具有电贯穿连接的复合布线电路及其制造方法。所述复合布线电路包括具有第一导电通孔的玻璃。所述第一导电通孔从所述玻璃层的顶面通到所述玻璃层的底面。所述复合布线电路还包括具有第二导电通孔的插入层。所述第二导电通孔从所述插入层的顶面通到所述插入层的底面。所述第二导电通孔被电耦合到所述第一导电通孔。
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公开(公告)号：CN1881576A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610091839.6
申请日：2006-06-12
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/525 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L23/5252 , H01L45/06 , H01L45/1206 , H01L45/1226 , H01L45/1286 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1683 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 一种集成电路中的可逆熔丝结构，通过采用具有与过孔接触的相变材料短细线的熔丝单元以及能够使电流流经相变材料线(熔丝单元)的线结构获得。使电流流经熔丝单元，以通过将结晶态下的相变材料加热到熔点然后将该材料快速淬火至非晶态，使材料从低阻材料转变为高阻材料。通过使低电流流经熔丝单元以使高阻非晶材料转变为低阻结晶材料，获得可逆编程。集成合适的传感电路以读取熔丝中储存的信息，其中使用所述传感电路来启动或截止电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103681618B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310428799.X
申请日：2013-09-18
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及具有通孔的功能性玻璃处理晶片。公开了具有电贯穿连接的复合布线电路及其制造方法。所述复合布线电路包括具有第一导电通孔的玻璃。所述第一导电通孔从所述玻璃层的顶面通到所述玻璃层的底面。所述复合布线电路还包括具有第二导电通孔的插入层。所述第二导电通孔从所述插入层的顶面通到所述插入层的底面。所述第二导电通孔被电耦合到所述第一导电通孔。
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公开(公告)号：CN103779376A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310484752.5
申请日：2013-10-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/24 , H01L27/142 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/2472 , H01L23/576 , H01L27/24 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L2924/0002 , Y10T29/49155 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及具有篡改检测和响应装置的集成电路以及用于制造这种集成电路的方法。一种具有篡改检测和响应装置的集成电路包括至少一种反应材料和耦合到所述至少一种反应材料的至少一个存储单元。所述至少一种反应材料中的放热反应引起所述至少一个存储单元的存储状态的改变。另一种具有篡改检测和响应装置的集成电路包括衬底、所述衬底上的至少一个门以及位于所述至少一个门的第一阱和第二阱之间的反应材料。所述反应材料中的反应引起所述门中的短路。
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公开(公告)号：CN103887277B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201310584975.9
申请日：2013-11-19
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 本发明涉及封装结构及其组装方法。提供了一种组装封装结构的方法，该方法包括以面对面设置直接电互连第一和第二芯片的各自的有源表面，将第一和第二芯片的各自的侧壁中的至少一个电互连到公共芯片；以及相对于公共芯片横向取向第一和第二芯片的各自的有源表面。
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公开(公告)号：CN103779376B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201310484752.5
申请日：2013-10-16
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L27/2472 , H01L23/576 , H01L27/24 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L2924/0002 , Y10T29/49155 , H01L2924/00
Abstract: 本公开涉及具有篡改检测和响应装置的集成电路以及用于制造这种集成电路的方法。一种具有篡改检测和响应装置的集成电路包括至少一种反应材料和耦合到所述至少一种反应材料的至少一个存储单元。所述至少一种反应材料中的放热反应引起所述至少一个存储单元的存储状态的改变。另一种具有篡改检测和响应装置的集成电路包括衬底、所述衬底上的至少一个门以及位于所述至少一个门的第一阱和第二阱之间的反应材料。所述反应材料中的反应引起所述门中的短路。
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公开(公告)号：CN103887277A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310584975.9
申请日：2013-11-19
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 本发明涉及封装结构及其组装方法。提供了一种组装封装结构的方法，该方法包括以面对面设置直接电互连第一和第二芯片的各自的有源表面，将第一和第二芯片的各自的侧壁中的至少一个电互连到公共芯片；以及相对于公共芯片横向取向第一和第二芯片的各自的有源表面。
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