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公开(公告)号：CN1206667C
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN99814297.2
申请日：1999-12-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01B13/00 , H01L21/28 , H01L21/306 , G03F7/038 , G03F7/40
CPC classification number: H01L31/1884 , G02F1/13439 , H01L21/32139 , H05K1/0269 , H05K3/064 , Y02E10/50
Abstract: 提供一种用化学放大抗蚀剂对铟-锡-氧化物(ITO)膜进行图形刻蚀时在抗蚀剂显影后即使暴露在白色光线下也不发生抗蚀剂剥离和密接性下降的ITO膜的图形刻蚀方法。在基板上首先形成非晶态ITO膜，直接涂敷负型化学放大抗蚀剂，进行照射、显影。所获得的在非晶态ITO膜上有抗蚀剂图形的结构即使暴露在白色光下，也不发生抗蚀剂剥离和密接性下降，所以不会对后面的工序产生不良影响，能进行充分的目视检查。关于目视检查中断定为正品的该结构，将抗蚀剂图形作为掩模，对非晶态ITO膜进行刻蚀，将抗蚀剂图形除去后，通过用ITO的结晶化温度以上的温度加热，能获得具备良好的耐药性及导电性的结晶化ITO图形。
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公开(公告)号：CN100573900C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN03821958.1
申请日：2003-09-12
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/3211 , H01L51/0038 , H01L51/004 , H01L51/0042 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/007 , H01L51/0077 , H01L51/0081 , H01L51/0089 , H05B33/14 , H05B33/22
Abstract: 一种有机电致发光显示器和制造该有机电致发光显示器的方法。该有机电致发光显示器包括基材(12)、在基材(12)上形成的透光电极(14)、在基材(12)上形成的并包含空穴传输材料和电子传输材料的由膜形成的功能层(16)、在功能层(16)上形成的沟道图案(18a、18b)、掺入构成沟道图案的隔壁之间的功能层(16)中的掺杂剂(Do)、和覆盖沟道图案(18a、18b)的反光电极(20)。掺杂剂(Do)是通过毛细作用引入沟道图案(18a、18b)的，使得高清晰度色彩图案化成为可能。还公开了制造上述有机电致发光显示器的方法。
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公开(公告)号：CN1183604C
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN01144051.1
申请日：2001-12-28
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78633 , H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L27/12 , H01L27/1277 , H01L29/66757
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件、一种薄膜晶体管和形成薄膜晶体管的方法。根据本发明的半导体器件包括顶部栅极型薄膜晶体管，所述的顶部栅极型薄膜晶体管形成在衬底上，所述的顶部栅极型薄膜晶体管包括：沉积在所述衬底上的绝缘层；由金属与掺杂剂形成的合金形成的源电极和漏电极，所述合金沉积在所述绝缘层上；沉积在所述绝缘层、以及所述源电极和所述漏电极上的多晶硅层；通过所述掺杂剂自所述合金的迁移，在所述合金和所述多晶硅层之间形成的欧姆接触层；沉积在所述多晶硅层上的栅极绝缘层；以及形成在所述栅极绝缘层上的栅电极，其中，所述多晶硅层通过金属诱导的横向结晶而晶化。
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公开(公告)号：CN1348594A
公开(公告)日：2002-05-08
申请号：CN99814297.2
申请日：1999-12-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01B13/00 , H01L21/28 , H01L21/306 , G03F7/038 , G03F7/40
CPC classification number: H01L31/1884 , G02F1/13439 , H01L21/32139 , H05K1/0269 , H05K3/064 , Y02E10/50
Abstract: 提供一种用化学放大抗蚀剂对铟－锡－氧化物(ITO)膜进行图形刻蚀时在抗蚀剂显影后即使暴露在白色光线下也不发生抗蚀剂剥离和密接性下降的ITO膜的图形刻蚀方法。在基板上首先形成非晶态ITO膜,直接涂敷负型化学放大抗蚀剂,进行照射、显影。所获得的在非晶态ITO膜上有抗蚀剂图形的结构即使暴露在白色光下,也不发生抗蚀剂剥离和密接性下降,所以不会对后面的工序产生不良影响,能进行充分的目视检查。关于目视检查中断定为正品的该结构,将抗蚀剂图形作为掩模,对非晶态ITO膜进行刻蚀,将抗蚀剂图形除去后,通过用ITO的结晶化温度以上的温度加热,能获得具备良好的耐药性及导电性的结晶化ITO图形。
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公开(公告)号：CN1589506A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN02823012.4
申请日：2002-11-20
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L29/78669 , G09G2310/0254 , H01L27/3244 , H01L29/4908
Abstract: 用于提供电流给一有机发光二极管的电路，包括：(a)一非晶硅场效应晶体管(1000)(1050)(1200) (1250)，其具有一栅电极和一漏电极，通过该漏电极电流被提供给所述有机发光二极管；以及(b)一控制器，用于控制所述栅电极和所述漏电极之间的偏压，以把阈值电压偏移保持为小于约1V。所述有机发光二极管优选地是一有源矩阵中的元件。
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公开(公告)号：CN1435894A
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN03103556.6
申请日：2003-01-29
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L27/3244
Abstract: 本发明公开了一种形成在衬底上的有机LED器件及其制造方法。该有机LED器件由包括：一开关TFT和一驱动器TFT，每个都形成在一衬底上；一有机LED元件，对应每个像素的，该元件形成在该衬底上，该元件与该衬底之间形成有一绝缘膜，该有机LED元件连接到该驱动器TFT；一阳极，其连接到一公共电极；以及一阴极，连接该驱动器TFT和形成在该绝缘膜上的该有机LED元件。作为公共电极，阳极将多个像素彼此相连，由此改善了制造过程中的自对准性。
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公开(公告)号：CN1366351A
公开(公告)日：2002-08-28
申请号：CN01144051.1
申请日：2001-12-28
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78633 , H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L27/12 , H01L27/1277 , H01L29/66757
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件、一种薄膜晶体管和形成薄膜晶体管的方法。根据本发明的半导体器件包括顶部栅极型薄膜晶体管,所述的顶部栅极型薄膜晶体管形成在衬底上,所述的顶部栅极型薄膜晶体管包括:沉积在所述衬底上的绝缘层;由金属掺杂剂化合物形成的源电极和漏电极,所述金属掺杂剂化合物沉积在所述绝缘层上;沉积在所述绝缘层、以及所述源电极和所述漏电极上的多晶硅层;通过所述掺杂剂自所述金属掺杂剂化合物的迁移,在所述金属掺杂剂化合物和所述多晶硅层之间形成的欧姆接触层;沉积在所述多晶硅层上的栅极绝缘层;以及形成在所述栅极绝缘层上的栅电极,其中,所述多晶硅层通过金属诱导的横向结晶而晶化。
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公开(公告)号：CN1237589C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN01119079.5
申请日：2001-05-25
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/316 , G02F1/136 , G09F9/33
CPC classification number: H01L29/66757 , C23C16/4404 , H01L21/67063 , H01L27/12
Abstract: 提供了一种方法和装置，用于制作包含顶部栅极型TFT的有源矩阵器件，它能够提高生产率和降低制作成本，而不会负面影响TFT特性。此方法包括下列步骤：在CVD加工室9的内壁上形成氧化物膜15；在加工室9中放置其上形成有源电极和漏电极5和4的基底1；用P掺杂源电极和漏电极5和4；并在加工室中形成a-Si层6与栅极绝缘膜7。
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公开(公告)号：CN1682573A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03821958.1
申请日：2003-09-12
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/3211 , H01L51/0038 , H01L51/004 , H01L51/0042 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/007 , H01L51/0077 , H01L51/0081 , H01L51/0089 , H05B33/14 , H05B33/22
Abstract: 一种有机电致发光显示器和制造该有机电致发光显示器的方法。该有机电致发光显示器包括基材(12)、在基材(12)上形成的透光电极(14)、在基材(12)上形成的并包含空穴传输材料和电子传输材料的由膜形成的功能层(16)、在功能层(16)上形成的沟道图案(18a、18b)、掺入构成沟道图案的隔壁之间的功能层(16)中的掺杂剂(Do)、和覆盖沟道图案(18a、18b)的反光电极(20)。掺杂剂(Do)是通过毛细作用引入沟道图案(18a、18b)的，使得高清晰度色彩图案化成为可能。还公开了制造上述有机电致发光显示器的方法。
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公开(公告)号：CN1208840C
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN01122828.8
申请日：2001-07-09
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F2201/123
Abstract: 所公开的是一种有源矩阵基片，通过把栅绝缘膜和ITO膜沉积在导线上使该基片能防止引出线腐蚀等问题，而又不增加图案形成过程的次数，提高制造过程的生产量及可靠性。本发明包括源极和漏极，它们沉积在绝缘基片上并彼此分开一个预先确定的间隙；沉积在源极和漏极上的a-Si层；沉积在a-Si层上的栅绝缘膜；沉积在栅绝缘膜上的栅极；以及具有第1和第2部分的ITO膜，这第1部分覆盖在栅极上，其图案与栅极图案基本相同，这第2部分沉积在或者是源极或者是漏极上并构成像素电极；以及与漏极相连的数据线，它由栅绝缘膜覆盖，从而使a-Si膜介入这二者之间。
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