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公开(公告)号：CN117120970A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202280023227.0
申请日：2022-03-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06F7/544
Abstract: 在用于形成非易失性可调谐电容器装置的方法中，第一电极层与第二电极层相对地向远侧形成，第一电极层被配置为形成第一电连接，第二电极层被配置为形成第二电连接。介电层设置在第一电极层之间并且与第二电极层相邻。相变材料(PCM)层邻近介电层设置在第一电极层与第二电极层之间。提供激励部件以加热PCM层以改变PCM层的相位。该激励部件可以包括与该PCM层直接接触的加热元件或电探针，当被激励时该加热元件或电探针被配置成用于向该PCM层施加热量。PCM层的相在非晶相与结晶相之间是可改变的。
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公开(公告)号：CN111512438B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201880082340.X
申请日：2018-12-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/098
Abstract: 本发明的实施例涉及具有可控电阻的半导体器件的方法和所得结构。形成半导体器件的示例方法包括在衬底上形成场效应晶体管(FET)的源极端子和漏极端子。源极端子和漏极端子形成在沟道区的两侧。能量势垒邻近源极端子和沟道区形成。在沟道区上形成导电栅极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111433792A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201880077961.9
申请日：2018-11-22
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 描述了用于在电阻处理单元(RPU)阵列的交叉点器件中存储权重的技术方案。示例方法包括设置交叉点器件中的一组单比特计数器中的每个单比特计数器的状态，单比特计数器的状态表示要在交叉点器件处存储的权重。该方法还包括调整交叉点器件的电阻器器件的电导。电阻器器件包括一组电阻电路，每个电阻电路与该组单比特计数器中的相应单比特计数器相关联，通过根据相关联的单比特计数器的状态激活或去激活每个电阻电路来调节电导。
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公开(公告)号：CN119013653A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202380021115.6
申请日：2023-02-20
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06F3/06
Abstract: 通过将输入数据排列成由组合以形成棒页的数据棒组成的统一结构，来执行处理输入数据以便传送到诸如人工智能引擎的数据消费者。棒是任何尺寸合适的输入数据元素集合，由此棒的尺寸是固定的。为具有用于消耗部分棒的某些范围的无效数据的数据棒建立掩码模式，同时保持所传送的输入数据的有效性。基于设置有效掩码和值(SAMV)指令导出掩码模式。导出的掩码模式将被转发以用于向数据消费者发送后续加载指令。
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公开(公告)号：CN116670765A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202180085602.X
申请日：2021-10-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种电子电路包括：多条字线；多条位线(703‑1，703‑2)，其在多个网格点处与所述多个字线(701‑1，701‑2)相交；以及多个存储器内处理单元，其位于所述多个网格点处。所述存储器内处理单元中的每个包括第一开关，所述第一开关具有耦合到所述字线中的对应字线的第一端子和第二端子；第二开关，所述第二开关具有耦合到所述第一开关的所述第二端子的第一端子和耦合到所述位线中的对应位线的第二端子；以及非易失性可调谐电容器，所述非易失性可调谐电容器具有耦合到所述第一开关的所述第二端子和所述开关的所述第一端子的一个电极，并且具有耦合到地的另一电极。
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公开(公告)号：CN111512438A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201880082340.X
申请日：2018-12-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/098
Abstract: 本发明的实施例涉及具有可控电阻的半导体器件的方法和所得结构。形成半导体器件的示例方法包括在衬底上形成场效应晶体管(FET)的源极端子和漏极端子。源极端子和漏极端子形成在沟道区的两侧。能量势垒邻近源极端子和沟道区形成。在沟道区上形成导电栅极。
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