公开(公告)号：CN106024716A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610179034.0

申请日：2016-03-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张慎明 ,  M·A·圭罗恩 ,  I·劳尔 ,  J·W·斯莱特

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/42392 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/84 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/401 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775 ,  H01L21/8238

Abstract: 在一个方面中，提供了一种形成具有多个晶体管的CMOS器件的方法，多个晶体管具有不同的Vt，该方法包括：在晶片上形成纳米线和焊盘，其中纳米线被悬置在晶片的氧化物层上方的变化高度处；以及通过如下方式形成至少部分地围绕每个纳米线的一部分的晶体管的栅极堆叠：i)在纳米线周围并在纳米线下方的晶片上沉积保形栅极电介质；ii)在纳米线周围并在纳米线下方的晶片上的保形栅极电介质上沉积保形功函数金属，其中基于纳米线在氧化物层上方悬置的变化的高度而改变沉积在纳米线周围的保形功函数金属的量；以及iii)在纳米线周围并在纳米线下方的晶片上的保形功函数金属上沉积保形多晶硅层。

公开(公告)号：CN106024716B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201610179034.0

申请日：2016-03-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张慎明 ,  M·A·圭罗恩 ,  I·劳尔 ,  J·W·斯莱特

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/42392 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/84 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/401 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775

Abstract: 在一个方面中，提供了一种形成具有多个晶体管的CMOS器件的方法，多个晶体管具有不同的Vt，该方法包括：在晶片上形成纳米线和焊盘，其中纳米线被悬置在晶片的氧化物层上方的变化高度处；以及通过如下方式形成至少部分地围绕每个纳米线的一部分的晶体管的栅极堆叠：i)在纳米线周围并在纳米线下方的晶片上沉积保形栅极电介质；ii)在纳米线周围并在纳米线下方的晶片上的保形栅极电介质上沉积保形功函数金属，其中基于纳米线在氧化物层上方悬置的变化的高度而改变沉积在纳米线周围的保形功函数金属的量；以及iii)在纳米线周围并在纳米线下方的晶片上的保形功函数金属上沉积保形多晶硅层。

公开(公告)号：CN105984840B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201610143130.X

申请日：2016-03-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张慎明 ,  P·常 ,  G·M·科恩 ,  M·A·圭罗恩

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L39/025 ,  B05D5/12 ,  H01L39/223 ,  H01L39/2467 ,  H01L39/2493

Abstract: 本发明涉及用于纳米桥弱链接的硅化纳米线，具体地，硅化纳米线作为约瑟夫森结中的纳米桥。超导硅化纳米线被用作约瑟夫逊结中的弱链接桥，并且采用制造过程以产生硅化纳米线，所述过程包括：对来自硅衬底的粗糙纳米线和两个结岸进行图案化，通过氢退火重塑纳米线，以及通过将金属引入到纳米线结构中来硅化所述纳米线。

公开(公告)号：CN105845622A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610066551.7

申请日：2016-01-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张慎明 ,  M·A·古罗恩 ,  宫副裕之 ,  A·M·皮茨那 ,  蔡欣妤

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76864 ,  H01L23/528 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/16 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/41 ,  H01L29/413

Abstract: 本发明涉及半导体结构及其形成方法。提供包括交替的第一U形电极和第二U形电极、以及将第一和第二U形电极互连的接触衬垫的结构。每个第一U形电极包括通过位于衬底的一端的弯折部而连接的基本平行的直部。每个第二U形电极包括通过位于衬底的相反另一端的弯折部而连接的基本平行的直部。邻近的第一和第二U形电极的每个相邻的直部构成具有亚光刻间距的电极对。每个接触衬垫与第一和第二U形电极中的一个的弯折部重叠并且接触。

公开(公告)号：CN104733530B

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201410708318.5

申请日：2014-11-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张慎明 ,  I·劳尔 ,  林崇勋 ,  J·W·斯雷特

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供应变半导体纳米线。在绝缘体层之上形成半导体衬垫部的对所横向邻接的至少一条半导体纳米线。部分所述绝缘体层从所述至少一条半导体纳米线下方被蚀刻，以使所述至少一条半导体纳米线悬置。在所述至少一条半导体纳米线之上沉积临时填充材料，并且该临时填充材料被平面化以使所述半导体衬垫部的对的顶面物理暴露。在所述半导体衬垫部的对内形成沟槽，并且用应力产生材料填充所述沟槽。随后去除所述临时填充材料。所述至少一条半导体纳米线以拉伸应变或压缩应变沿纵长方向发生应变。

公开(公告)号：CN104733530A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410708318.5

申请日：2014-11-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张慎明 ,  I·劳尔 ,  林崇勋 ,  J·W·斯雷特

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7848 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供应变半导体纳米线。在绝缘体层之上形成半导体衬垫部的对所横向邻接的至少一条半导体纳米线。部分所述绝缘体层从所述至少一条半导体纳米线下方被蚀刻，以使所述至少一条半导体纳米线悬置。在所述至少一条半导体纳米线之上沉积临时填充材料，并且该临时填充材料被平面化以使所述半导体衬垫部的对的顶面物理暴露。在所述半导体衬垫部的对内形成沟槽，并且用应力产生材料填充所述沟槽。随后去除所述临时填充材料。所述至少一条半导体纳米线以拉伸应变或压缩应变沿纵长方向发生应变。

公开(公告)号：CN105984840A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610143130.X

申请日：2016-03-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张慎明 ,  P·常 ,  G·M·科恩 ,  M·A·圭罗恩

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L39/025 ,  B05D5/12 ,  H01L39/223 ,  H01L39/2467 ,  H01L39/2493 ,  B81C1/00095

Abstract: 本发明涉及用于纳米桥弱链接的硅化纳米线，具体地，硅化纳米线作为约瑟夫森结中的纳米桥。超导硅化纳米线被用作约瑟夫逊结中的弱链接桥，并且采用制造过程以产生硅化纳米线，所述过程包括：对来自硅衬底的粗糙纳米线和两个结岸进行图案化，通过氢退火重塑纳米线，以及通过将金属引入到纳米线结构中来硅化所述纳米线。

公开(公告)号：CN105845622B

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201610066551.7

申请日：2016-01-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张慎明 ,  M·A·古罗恩 ,  宫副裕之 ,  A·M·皮茨那 ,  蔡欣妤

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76864 ,  H01L23/528 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明涉及半导体结构及其形成方法。提供包括交替的第一U形电极和第二U形电极、以及将第一和第二U形电极互连的接触衬垫的结构。每个第一U形电极包括通过位于衬底的一端的弯折部而连接的基本平行的直部。每个第二U形电极包括通过位于衬底的相反另一端的弯折部而连接的基本平行的直部。邻近的第一和第二U形电极的每个相邻的直部构成具有亚光刻间距的电极对。每个接触衬垫与第一和第二U形电极中的一个的弯折部重叠并且接触。

公开(公告)号：CN105990415A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610151526.9

申请日：2016-03-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张慎明 ,  M·A·圭罗恩 ,  I·劳尔 ,  J·W·斯莱特

IPC: H01L29/775 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/165 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78618 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0676

Abstract: 本申请涉及一种纳米线场效应晶体管(FET)器件及其制造方法。该纳米线FET器件包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区中的每一个均在块体半导体衬底的上表面上形成。栅极区被插入第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间，并且直接地位于块体半导体衬底的上表面上。仅仅在栅极区中形成多条纳米线。所述纳米线被悬置于半导体衬底上方并限定纳米线FET器件的栅极沟道。栅极结构包括在栅极区中形成的栅极电极，以使得所述栅极电极接触每条纳米线的整个表面。