公开(公告)号：CN104699293B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201410723211.8

申请日：2014-12-03

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 薛九枝 ,  克里希纳.巴尔拉姆 ,  戴维.M.霍夫曼

IPC: G06F3/041 ,  G06F3/042

CPC classification number: H01L31/02327 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0421 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14609 ,  H01L29/7839 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/1085

Abstract: 本发明提供检测器、多单元检测部件、光学光传感器、光学感测阵列以及显示装置。该检测器用于检测一波长范围和一入射角范围的光，该检测器包括：基板；多个电介质结构，在基板上，多个电介质结构中的每一个通过电介质结构的与基板相反的一侧接收光；以及多个导电结构，在基板上，多个导电结构中的连续导电结构在其间具有多个电介质结构中的相应电介质结构，其中连续导电结构和相应电介质结构形成腔体以响应于接收该波长范围的光而引起吸收谐振。

公开(公告)号：CN109065661A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810801049.5

申请日：2018-07-20

Applicant: 北京镓族科技有限公司

Inventor： 吴真平 ,  余杰

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/032 ,  H01L31/036 ,  H01L31/18 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28

CPC classification number: H01L31/1085 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  H01L31/032 ,  H01L31/036 ,  H01L31/18

Abstract: 基于铝酸镁衬底的氧化镓薄膜光电探测器及其制造方法。本发明提供了一种氧化镓薄膜光电探测器，以及相应的氧化镓薄膜和氧化镓薄膜的制造方法。所述的探测器包括依次叠置的衬底、氧化镓薄膜和电极，其中氧化镓薄膜为(00l)取向的β‑Ga2O3薄膜，衬底为MgAl2O4衬底。本发明的工艺可控性强、容易操作。本发明制得的氧化镓薄膜表面致密、厚度稳定均一，适于大面积制备、且复性好。本发明制得的光电探测器响应度高、暗电流小、紫外可见抑制比高、制造工艺简单，且所用材料容易获得。

公开(公告)号：CN104011891B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201280063406.3

申请日：2012-11-20

Applicant: 诺基亚技术有限公司

Inventor： A·库利 ,  S·阿万 ,  A·洛姆巴多 ,  T·库尔马拉 ,  A·费拉里 ,  T·埃彻梅耶

IPC: H01L45/00 ,  B82Y15/00 ,  G01J1/44

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L31/1085 ,  H01L45/00 ,  H01L2031/0344

Abstract: 一种装置包括由电绝缘材料层(306)分隔开来的第一导电材料层和第二导电材料层(304，307)，其中一个或两个导电材料层(304，307)包括石墨烯，并且其中该装置被配置为使得电子能够从第一导电材料层(304)通过电绝缘材料层(306)隧穿至第二导电材料层(307)。

公开(公告)号：CN102446936B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201110301665.2

申请日：2011-09-27

Applicant: 索尼公司

Inventor： 坂野赖人

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14649 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/1465 ,  H01L27/14683 ,  H01L31/108 ,  H01L31/1085

Abstract: 本发明公开一种固态成像装置及其制造方法以及电子设备。该固态成像装置包括：半导体层，包括接收入射光且产生信号电荷的光电转换部分；以及光吸收部分，用于吸收透过所述光电转换部分且波长长于所述光电转换部分吸收的光的波长的透射光，该透射光包括在所述入射光中，该光吸收部分设置在该半导体层的一个表面相反侧的该半导体层的另一个表面侧，所述入射光入射在该半导体层的该一个表面上。

公开(公告)号：CN103229358A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180054072.9

申请日：2011-11-22

Applicant: 赛特联合控股有限公司

Inventor： 保罗·H·库特勒

IPC: H01Q13/08 ,  H01Q1/46

CPC classification number: B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/1085 ,  H01Q1/248

Abstract: 本发明是一种用于接收入射辐射并将入射辐射转换为直流电流的方法和装置。该方法从选择具有终止末端的天线开始，该终止末端具有锐利边缘。采用衬底和第一涂层来层积天线。第一电极和金属/mCNT天线被层积在第一涂层上，然后附加等离激元层。形成缝隙，该缝隙在一侧由等离激元层的终止末端和第一涂层的终止末端划界，并且在另一侧由第二电极和第二涂层划界。第二电极被层积在第二涂层上，第二涂层被层积在衬底上。沿天线的长度感应一组交流电流。该方法然后计算所感应的交流电流是否足够大以产生用于场发射的电压。如果电压足够大，则发起正向偏置和反向偏置。由于这些隧穿势垒的非对称性，正的净直流电流被传送到外部电路。

公开(公告)号：CN101171691B

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200680015631.4

申请日：2006-09-25

Applicant: 香港应用科技研究院有限公司

Inventor： 托斯腾·威匹耶斯基

IPC: H01L31/08

CPC classification number: H01L31/1085 ,  G01J1/0488 ,  G01J1/4228 ,  G01J9/00 ,  G01P3/68 ,  H01L31/02024

Abstract: 本发明提供的一个光电设备包括多个光探测器，每个所述的光探测器包括多个平行连接的光探测片，所述多个光探测器的光探测片被间隔插入排列，使得一个光探测器的一个光探测片位于另一光探测器的光探测片的中间，而此另一光探测器的一个光探测片位于所述光探测器的光探测片的中间。

公开(公告)号：CN101068022A

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200610167479.3

申请日：2006-12-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钱俊逸 ,  萧国裕 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/02 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L31/1085 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L31/02327

Abstract: 本发明提供一种影像感测器及其制造方法，特别涉及一种影像感测器，其包括多个像素，其中至少一像素包括：一半导体基底，具有一感光区；以及一第一电极及一第二电极，嵌入于该半导体基底内，其中该第一及第二电极形成以一阵列排列的多个狭缝，所述狭缝用以使具有一特定波长的光通过该感光区。本发明所提供的影像感测器及其制造方法，可降低影像感测器的成本及尺寸。

公开(公告)号：CN1721827A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510081955.5

申请日：2005-07-05

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 林和志 ,  橘武史 ,  横田嘉宏 ,  川上信之

IPC: G01J1/02 ,  G01J1/42 ,  H01L31/09

CPC classification number: H01L31/028 ,  G01J1/429 ,  H01L31/09 ,  H01L31/1085 ,  Y02E10/547

Abstract: 金刚石元件安装在设有一对金属互连件的、厚度不超过3毫米的绝缘基底材料上。在金刚石元件中，用作检测层的绝缘金刚石层沉积在衬底上，一对叉指型电极沉积在该绝缘金刚石层的表面上。金刚石元件的叉指型电极通过引线连接在沉积于绝缘基底材料上的金属互连件上。绝缘基底材料可透射待检测的紫外线辐射。即使在灯与照射目标之间的距离较短时，金刚石传感器也能够稳定地检测紫外线辐射。

公开(公告)号：CN105378937B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201380078087.8

申请日：2013-08-02

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 那允中 ,  H-D·刘 ,  Y·康 ,  S-L·陈

IPC: H01L31/00

CPC classification number: H01L31/02161 ,  G02B6/12004 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/107 ,  H01L31/1085 ,  H01L31/1868 ,  H01L31/1872 ,  H04B10/60 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种低电压光电检测器结构包括可以是Ge的半导体器件层，该半导体器件层设置在可以是Si的衬底半导体上方，例如在光集成电路(PIC)芯片内横向延伸的波导的部分之内。在器件层形成于绝缘层上方的示例性实施例中，去除绝缘层以暴露半导体器件层的表面，并且在高场区之内形成钝化材料以作为绝缘层的替代。在其它实施例中，通过在金属－半导体－金属(MSM)架构中将电极隔开、或在p‑i‑n架构中将互补掺杂区域隔开，来提供足以在一距离上引发碰撞电离的场强，该距离不显著大于比载流子为了获得足够能量以用于碰撞电离而必须行进的距离大一个数量级的距离。

公开(公告)号：CN102782880B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201180012674.8

申请日：2011-03-03

Applicant: 思科技术公司

Inventor： 威普库马·帕特尔 ,  普拉卡什·约托斯卡 ,  马克·韦伯斯特 ,  克里斯多佛·J·朗

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/09

CPC classification number: H01L31/101 ,  H01L31/1085

Abstract: 一种平面的、基于波导的硅肖特基势垒光电探测器包括一个场板形式的第三端子，以便改进该探测器的响应度。优选的是，在一个处理步骤过程中形成用于探测区域的硅化物，在该处理步骤中正在形成其他硅化物接触区。该场板优选形成为CMOS金属化的第一或者第二层的一部分，并且由一个施加电压控制，以便更改在该探测器的硅化物层附近的电场。通过更改该电场，可以“调谐”该装置的响应度，从而相对于该装置的肖特基势垒调节“热”载流子（电子或者空穴，取决于硅的传导性）的动量。所施加的电势发挥作用来在优选的“正交”于该硅-硅化物界面的方向上与这些“热”载流子的动量的方向对准，允许增加的数量的“热”载流子在该肖特基势垒上运动并且添加到所产生的光电流中。