公开(公告)号：CN101273437A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200680035236.2

申请日：2006-07-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 哈比卜·希克里 ,  金伯利·拉森 ,  海伦·梅纳德 ,  凯文·佩特拉卡

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01F41/04 ,  H01F17/00 ,  H01F41/10

CPC classification number: H01L21/02118 ,  H01F41/041 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5227 ,  H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明同时形成了结构相似但深度不相似的集成电路装置，例如互连和电感的方法。本发明在具有通孔和不具有通孔的区的上方沉积共形聚合物。同时，在具有和不具有通孔的区中形成空腔。在具有通孔的区中形成的空腔的深度比在没有通孔的区中形成的空腔更深地延伸入衬底。这产生是因为聚合物沿衬底的表面不均匀地沉积，并且更具体地，在下面具有凹陷的区中较薄。一旦用导电材料填充，则更深地延伸入衬底的空腔，即形成于具有通孔的区中的空腔，变成电感；而较浅地延伸入衬底的空腔，即在不具有通孔的区中形成的空腔，变成互连。

公开(公告)号：CN101004763A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200710001544.X

申请日：2007-01-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 哈比卜·希克里 ,  安德鲁·卢 ,  科纳尔·E·默里 ,  马修·S·安格耶尔 ,  戴尔·C·麦克赫伦 ,  吉奥范尼·菲奥伦扎

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/50

Abstract: 一种用于分析电路设计的系统、方法和计算机程序产品用于将电路设计离散化成一系列像素元素。为每个像素元素确定至少一个组成材料的份额。也为每个像素确定偏差。该偏差基于该像素的平坦化，而且在利用包括至少一个组成材料的份额的算法时计算该偏差。可以映射和评价关于一系列像素的一系列偏差。

公开(公告)号：CN100550026C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200710001544.X

申请日：2007-01-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 哈比卜·希克里 ,  安德鲁·卢 ,  科纳尔·E·默里 ,  马修·S·安格耶尔 ,  戴尔·C·麦克赫伦 ,  吉奥范尼·菲奥伦扎

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/50

Abstract: 一种用于分析电路设计的系统、方法和计算机程序产品用于将电路设计离散化成一系列像素元素。为每个像素元素确定至少一个组成材料的份额。也为每个像素确定偏差。该偏差基于该像素的平坦化，而且在利用包括至少一个组成材料的份额的算法时计算该偏差。可以映射和评价关于一系列像素的一系列偏差。

公开(公告)号：CN1297001C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200310102425.5

申请日：2003-10-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 蒂莫西·J·达尔顿 ,  桑吉特·K·达斯 ,  布雷特·H·恩格尔 ,  布赖恩·W·赫布斯特 ,  哈比卜·希克里 ,  伯恩德·E·卡斯滕迈耶 ,  凯利·马隆 ,  杰弗里·R·马里诺 ,  阿瑟·马丁 ,  文森特·J·麦加海 ,  伊恩·D·梅尔维尔 ,  钱德拉塞卡·纳拉延 ,  凯文·S·佩特拉卡 ,  理查德·P·沃兰特

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于半导体器件的互连结构，该互连结构包括在下金属化层上形成的有机低介电常数(低k)介电层。在该低k介电层中形成通孔，该通孔将在下金属化层中形成的下金属化线与上金属化层中形成的上金属化线连接起来。该通孔由结构环环绕，所述结构环选自其热膨胀系数(CTE)能保护通孔不被低k介电层热膨胀之后的剪切力损坏的材料。

公开(公告)号：CN101273437B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680035236.2

申请日：2006-07-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 哈比卜·希克里 ,  金伯利·拉森 ,  海伦·梅纳德 ,  凯文·佩特拉卡

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01F41/04 ,  H01F17/00 ,  H01F41/10

CPC classification number: H01L21/02118 ,  H01F41/041 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5227 ,  H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明同时形成了结构相似但深度不相似的集成电路装置，例如互连和电感的方法。本发明在具有通孔和不具有通孔的区的上方沉积共形聚合物。同时，在具有和不具有通孔的区中形成空腔。在具有通孔的区中形成的空腔的深度比在没有通孔的区中形成的空腔更深地延伸入衬底。这产生是因为聚合物沿衬底的表面不均匀地沉积，并且更具体地，在下面具有凹陷的区中较薄。一旦用导电材料填充，则更深地延伸入衬底的空腔，即形成于具有通孔的区中的空腔，变成电感；而较浅地延伸入衬底的空腔，即在不具有通孔的区中形成的空腔，变成互连。

公开(公告)号：CN1507044A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200310102425.5

申请日：2003-10-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 蒂莫西·J·达尔顿 ,  桑吉特·K·达斯 ,  布雷特·H·恩格尔 ,  布赖恩·W·赫布斯特 ,  哈比卜·希克里 ,  伯恩德·E·卡斯滕迈耶 ,  凯利·马隆 ,  杰弗里·R·马里诺 ,  阿瑟·马丁 ,  文森特·J·麦加海 ,  伊恩·D·梅尔维尔 ,  钱德拉塞卡·纳拉延 ,  凯文·S·佩特拉卡 ,  理查德·P·沃兰特

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于半导体器件的互连结构，该互连结构包括在下金属化层面上形成的有机低介电常数(低k)介电层。在该低k介电层中形成通孔，该通孔将在下金属化层面中形成的下金属化线与上金属化层面中形成的上金属化线连接起来。该通孔由结构环环绕，所述结构环选自其热膨胀系数(CTE)能保护通孔不被低k介电层热膨胀之后的剪切力损坏的材料。