公开(公告)号：CN117203753A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202280030160.3

申请日：2022-05-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·米勒 ,  I·塞沙德里 ,  A·格林 ,  J·福罗吉尔 ,  V·巴斯克

IPC: H01L21/8234

Abstract: 一种设备(102)，包括：衬底、位于该衬底上的第一纳米片器件(D3)、以及位于该衬底上的第二纳米片器件(D4)，其中，该第二纳米片器件与该第一纳米片器件相邻。位于该第一纳米片器件上的至少一个第一栅极(145)，其中该至少一个第一栅极具有第一宽度。位于该第二纳米片器件上的至少一个第二栅极(160)，其中该至少一个第二栅极具有第二宽度，其中该第一宽度和该第二宽度是基本上相同的。位于该第一纳米片器件与该第二纳米片器件之间的扩散断裂(150)，其中该扩散断裂防止该第一纳米片器件接触该第二纳米片器件，其中该扩散断裂具有第三宽度，其中该第三宽度大于该第一宽度和该第二宽度。

公开(公告)号：CN116508136A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202180077431.6

申请日：2021-11-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： I·塞沙德里 ,  谢瑞龙 ,  张辰 ,  E·A·德西尔瓦

IPC: H01L21/336

Abstract: 一种半导体结构及其制造方法，包括：半导体衬底，具有最上表面；以及位于半导体衬底的最上表面上的鳍结构，鳍结构包括垂直于半导体衬底的最上表面延伸的n个第一区域以及在n个第一区域中的每个第一区域之间延伸并连接n个第一区域中的每个第一区域并且平行于半导体衬底的最上表面的n‑1个第二区域，其中，n≥3。

公开(公告)号：CN115088084A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202180014221.2

申请日：2021-02-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 康宗圣 ,  李桃 ,  A·拉曼 ,  P·约瑟夫 ,  I·塞沙德里 ,  E·A·德西尔瓦

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体结构(100)包括具有多个垂直纳米线(106)的第一半导体沟道和具有多个垂直纳米线(106)的第二半导体沟道。第一半导体沟道和第二半导体沟道被配置为处于堆叠配置。第一半导体沟道的多个垂直纳米线(106)被配置为相对于第二半导体沟道的多个垂直纳米线(106)处于交替位置。