公开(公告)号：CN105990391B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201610159010.9

申请日：2016-03-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 蔡劲 ,  E·里欧班端 ,  李宁 ,  宁德雄 ,  J-O·普卢查特 ,  D·K·萨达纳

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/44 ,  H01L21/77

Abstract: 在形成延伸通过顶部半导体层以及隐埋绝缘体层并且延伸到绝缘体上半导体(SOI)衬底的处理衬底中的第一沟槽之后，在第一沟槽内形成电介质波导材料堆叠，该电介质波导材料堆叠包括下电介质包覆层、核心层以及上电介质包覆层。接下来，在顶部半导体层的剩余部分中形成至少一个横向双极结型晶体管(BJT)，其可以是PNP BJT、NPN BJT或者一对互补的PNP BJT和NPN BJT。在形成延伸通过电介质波导材料堆叠的第二沟槽以重新暴露第一沟槽的底部表面的一部分之后，在第二沟槽中形成激光二极管。

公开(公告)号：CN116250042A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202180059343.3

申请日：2021-07-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J-O·普卢查特 ,  D·法伊弗 ,  A·库马尔 ,  安藤崇志 ,  宋培林

IPC: G11C13/00

Abstract: 通过在集成电路上面部分的金属布线层之间放置固态存储器阵列来形成防篡改存储器(后端生产线)。金属层形成围绕存储器阵列的网格，以保护其免受皮秒成像电路分析、旁道攻击和电测量的去层级化。存储器单元及其测量电路之间的互连被设计成保护下方的每一层，即特定金属层中的互连金属部分不小于下一个下面层中的互连金属部分。测量电路被金属网覆盖。衬底、金属层和存储器阵列是单个单片结构一部分。适用于芯片标识协议的存储器阵列包含唯一标识防篡改集成电路的物理不可克隆功能标识符、对称加密密钥和释放密钥。

公开(公告)号：CN105990391A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610159010.9

申请日：2016-03-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 蔡劲 ,  E·里欧班端 ,  李宁 ,  宁德雄 ,  J-O·普卢查特 ,  D·K·萨达纳

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/44 ,  H01L21/77

Abstract: 在形成延伸通过顶部半导体层以及隐埋绝缘体层并且延伸到绝缘体上半导体(SOI)衬底的处理衬底中的第一沟槽之后，在第一沟槽内形成电介质波导材料堆叠，该电介质波导材料堆叠包括下电介质包覆层、核心层以及上电介质包覆层。接下来，在顶部半导体层的剩余部分中形成至少一个横向双极结型晶体管(BJT)，其可以是PNP BJT、NPN BJT或者一对互补的PNP BJT和NPN BJT。在形成延伸通过电介质波导材料堆叠的第二沟槽以重新暴露第一沟槽的底部表面的一部分之后，在第二沟槽中形成激光二极管。