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公开(公告)号：CN119547083A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202380052991.5
申请日：2023-07-10
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种存储器系统、一种组装所述存储器系统的方法及一种计算机系统。该存储器系统包括耦合到多个处理元件的全局存储器设备。全局存储器设备放置于多个处理设备所驻留的芯片的外部。该存储器系统还包括耦合到多个处理设备的至少一个处理元件和全局存储器设备的至少一个主便笺式存储器。该存储器系统还包括耦合到多个处理元件和全局存储器设备的多个辅助便笺式存储器。一个或多个辅助便签式存储器被配置成存储静态张量。多个辅助便笺式存储器的至少一部分被配置为单一的多通道设备。
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公开(公告)号：CN115191030B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202180017547.0
申请日：2021-03-19
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种技术涉及使用控制系统(220)在中间范围条件下偏置电阻处理单元(102)的交叉阵列(100)，所述中间范围条件使得所述电阻处理单元(102)的电阻产生具有大约相等的比例的低值和高值的随机输出。控制系统(220)通过将电阻处理单元(102)的电阻设置为迫使低值和高值已经由中间范围条件导致的状态来加强随机输出的低值和高值。加强低值和高值使得即使当电阻处理单元(102)的交叉阵列(100)未在中间范围条件下被偏置时，随机输出也是永久的。控制系统(220)响应于加强随机输出的低值和高值而记录随机输出的低值和高值的序列。
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公开(公告)号：CN104051273A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410095336.0
申请日：2014-03-14
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： B·切恩德拉 , P·张 , 格里高里·G·弗里曼 , 郭德超 , J·R·霍尔特 , A·库玛尔 , T·J·麦克阿德勒 , S·纳拉丝穆哈 , V·昂塔鲁斯 , S·R·索达里 , C·D·雪劳 , M·W·斯托克
IPC: H01L21/336 , H01L21/311 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L29/045 , H01L29/165 , H01L29/36 , H01L29/66636 , H01L29/7834
Abstract: 本发明涉及用于在最大化通道应力水平的同时减小短通道效应的刻面本征外延缓冲层及其形成方法。刻面本征缓冲半导体材料通过选择性外延而淀积在源极沟槽和漏极沟槽的侧壁上。刻面邻接栅极隔离片的外部侧壁在其处邻接源极沟槽或漏极沟槽的侧壁的每条边缘。随后淀积掺杂的半导体材料，以填充源极沟槽和漏极沟槽。掺杂的半导体材料可以淀积成使得本征缓冲半导体材料的刻面延伸并且所淀积的掺杂的半导体材料的内部侧壁在源极沟槽和漏极沟槽每一个当中融合。掺杂的半导体材料可以随后向上生长。刻面本征缓冲半导体材料部分允许掺杂剂在刻面角落附近更大的向外扩散，同时抑制掺杂剂在统一宽度的区域中扩散，由此抑制短通道效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103378987B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310127287.X
申请日：2013-04-12
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H04L41/0893 , H04L63/20
Abstract: 本发明的实施方式涉及用于对多个安全域进行策略管理的方法和系统，具体地，提供了根据示例性实施方式的在数据处理系统中对多个安全域进行集中式策略管理的机制。数据处理系统中的策略执行点组件接收访问请求。策略执行点组件由多个安全域管理。策略执行点组件查询数据处理系统中的策略代理组件。策略代理组件确定遵守多个安全域的策略的访问决策。由此，构成包括策略决策、管理和那些域的信息组件的工作流。策略代理组件向策略执行点组件返回访问决策。
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公开(公告)号：CN103378987A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310127287.X
申请日：2013-04-12
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H04L41/0893 , H04L63/20
Abstract: 本发明的实施方式涉及用于对多个安全域进行策略管理的方法和系统，具体地，提供了根据示例性实施方式的在数据处理系统中对多个安全域进行集中式策略管理的机制。数据处理系统中的策略执行点组件接收访问请求。策略执行点组件由多个安全域管理。策略执行点组件查询数据处理系统中的策略代理组件。策略代理组件确定遵守多个安全域的策略的访问决策。由此，构成包括策略决策、管理和那些域的信息组件的工作流。策略代理组件向策略执行点组件返回访问决策。
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公开(公告)号：CN115191030A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202180017547.0
申请日：2021-03-19
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种技术涉及使用控制系统(220)在中间范围条件下偏置电阻处理单元(102)的交叉阵列(100)，所述中间范围条件使得所述电阻处理单元(102)的电阻产生具有大约相等的比例的低值和高值的随机输出。控制系统(220)通过将电阻处理单元(102)的电阻设置为迫使低值和高值已经由中间范围条件导致的状态来加强随机输出的低值和高值。加强低值和高值使得即使当电阻处理单元(102)的交叉阵列(100)未在中间范围条件下被偏置时，随机输出也是永久的。控制系统(220)响应于加强随机输出的低值和高值而记录随机输出的低值和高值的序列。
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公开(公告)号：CN104051273B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410095336.0
申请日：2014-03-14
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： B·切恩德拉 , P·张 , 格里高里·G·弗里曼 , 郭德超 , J·R·霍尔特 , A·库玛尔 , T·J·麦克阿德勒 , S·纳拉丝穆哈 , V·昂塔鲁斯 , S·R·索达里 , C·D·雪劳 , M·W·斯托克
IPC: H01L21/336 , H01L21/311 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L29/045 , H01L29/165 , H01L29/36 , H01L29/66636 , H01L29/7834
Abstract: 本发明公开涉及用于在最大化通道应力水平的同时减小短通道效应的刻面本征外延缓冲层及其形成方法。刻面本征缓冲半导体材料通过选择性外延而淀积在源极沟槽和漏极沟槽的侧壁上。刻面邻接栅极隔离片的外部侧壁在其处邻接源极沟槽或漏极沟槽的侧壁的每条边缘。随后淀积掺杂的半导体材料，以填充源极沟槽和漏极沟槽。掺杂的半导体材料可以淀积成使得本征缓冲半导体材料的刻面延伸并且所淀积的掺杂的半导体材料的内部侧壁在源极沟槽和漏极沟槽每一个当中融合。掺杂的半导体材料可以随后向上生长。刻面本征缓冲半导体材料部分允许掺杂剂在刻面角落附近更大的向外扩散，同时抑制掺杂剂在统一宽度的区域中扩散，由此抑制短通道效应。
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