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公开(公告)号：CN119469103A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411693156.2
申请日：2024-11-25
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: G01C19/72
Abstract: 本发明属于光学陀螺领域；具体涉及一种基于光强波动反馈技术的宽谱光源驱动谐振式光学陀螺及其RIN抑制方法。光源ASE与环形器CIR的1号端口相连接，环形器CIR的2号端口与微型集成光波导调制器MIOC相连接，微型集成光波导调制器MIOC的尾端分别与耦合器C1的一端和耦合器C2的一端相连接，耦合器C1的另一端与耦合器C2的另一端分别与光纤谐振腔FRR相连接，以实现光在光纤谐振腔FRR中的多圈传输；耦合器C2的右侧透射端所延伸保偏光纤经过90度熔接后与环形器CIR的3号输出端相连接后再接耦合器C3的一侧，耦合器C3输出的光强信号由光电探测器PD检测经过锁相放大器LIA与低通滤波器LPF后作为转速值输出。本发明能够主动地对特定频率处由光源引起的光强波动进行抑制。
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公开(公告)号：CN105161566A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510381967.3
申请日：2015-07-02
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L31/119 , G01T1/02
CPC classification number: H01L31/119 , G01T1/026
Abstract: 本发明公开了一种半浮栅晶体管γ射线剂量探测器及探测方法。在平面掺杂势垒晶体管的控制栅极与沟道之间的绝缘层中嵌入半浮栅结构，半浮栅结构与n型沟道中的p型势垒层直接接触，半浮栅结构的参杂类型与p型势垒层的参杂类型相同。本发明探测器通过施加偏压使浮栅与沟道之间的pn结正向偏置来复位，相比当前广泛应用的PMOS型和FG-MOS型探测器简便易行。本发明体积小、灵敏度高、功耗低，适合应用于放射医疗等领域。
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公开(公告)号：CN102915946B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201210379408.5
申请日：2012-10-09
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明涉及绝缘体上硅器件领域，具体为一种绝缘体上硅结构形成方法。本发明包括：在多晶硅衬底上使多晶硅与氧化剂形成具有介质隔离作用的第一氧化层；在第一氧化层上涂光刻胶，曝光、刻蚀出第一通孔，除光刻胶；在第一氧化层表面，形成第一多晶硅层；在第一多晶硅层上加氧化剂，使硅与氧化剂在高温下反应形成第二氧化层；在第二氧化层上涂光刻胶，曝光、刻蚀出第二通孔；通过第二通孔，在第二氧化层表面，利用选择外延生长形成第二多晶硅层；利用碳注入，将碳注入到第一多晶硅层中，形成碳化硅薄膜。SiC具有很高的临界位移能，在SiC材料中由辐照而产生的电子空穴对要比辐照在体硅材料中产生的电子空穴对数目少很多，从而提高了器件的抗辐射性能。
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公开(公告)号：CN103594377A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310563620.1
申请日：2013-11-14
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66848 , H01L21/28 , H01L29/401
Abstract: 本发明公开了一种集成肖特基分裂栅型功率MOS器件的制造方法，利用6次掩模版完成了一种集成肖特基分裂栅型功率MOS器件的制作。对比传统的分裂栅型沟槽功率MOS器件制造工艺，本发明提出的集成肖特基分裂栅型功率MOS器件的制造方法，能够减少工艺步骤及工艺难度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103247538A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310141293.0
申请日：2013-04-22
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及沟槽功率MOS器件的版图设计领域，特别涉及一种用七次光刻来实现集成肖特基分裂栅型沟槽功率MOS器件。本发明包括P-离子注入掩膜版，沟槽刻蚀掩膜版，保护栅结构回刻蚀阻挡掩膜版，P+离子注入掩膜版，电极接触孔掩膜版，金属分离刻蚀掩膜版，光刻压焊点掩膜版。由单个台面结构边缘向内依次是电极接触孔掩膜版、P-离子注入掩膜版、P+离子注入掩膜版。N+离子注入与P-离子注入共用同一掩膜版，减少掩膜版的制作成本。器件内的台面结构由沟槽结构包围，且台面结构为规则条状结构，从而降低因台面结构复杂而因此的电场集中效应，从而提升器件的整体击穿电压。
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公开(公告)号：CN102938417A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210339050.3
申请日：2012-09-14
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明涉及MOS器件版图边缘设计领域，具体涉及一种应用在低、中压器件中沟槽结构同终端结构连通的分裂栅型沟槽功率MOS器件。本发明的分裂栅型沟槽功率MOS器件，有源区中沟槽结构同终端结构连通，有源区中的台面是两端为半圆形的长条结构，半圆形的直径同台面宽度相同。本发明中分裂栅沟槽功率MOS器件为沟槽包围台面结构，这样可以保证器件的有源区台面结构一致，优化器件内台面结构中的电场分布，从而整体上提高分裂栅型沟槽功率MOS器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN102148256A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201110067484.8
申请日：2011-03-21
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供的是一种栅增强功率半导体场效应晶体管。包括漏区(201)、漂移区(202)、介质层(203)、分裂栅(204)、栅电极(205)、n+层(206)、源电极(207)、沟道区(208)，介质层(203)的K值是按一定规律分布的，即K值按照从源极到漏极方向越来越小。本发明通过用K值按照一定规律分布的介质层代替原来的侧氧结构，在不牺牲器件耐压的前提下，降低漏-源导通电阻。本发明与常规MOSFET工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。
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公开(公告)号：CN102005478A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010282581.4
申请日：2010-09-16
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明提供的是一种集成肖特基整流器的栅增强功率MOSFET器件。包括由漂移区101、漏区102、场氧化层103、栅电极104、沟道区105和源电极106构成的晶体管。源电极106延伸到漂移区101、并与漂移区101形成肖特基接触。本发明可在不牺牲器件耐压的前提下，减少栅增强UMOS晶体管结构器件的反向恢复时间。本发明与常规UMOS晶体管工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。
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公开(公告)号：CN101697356A
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200910073105.9
申请日：2009-10-29
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明提供了一种调制导通电阻UMOS晶体管。包括漏区(201)、漂移区(202)、场氧化层(203)、多晶硅极板(204)、沟道区(205)、源电极(206)、栅氧化层(207)、栅电极(208)，多晶硅极板(204)与栅电极(208)连接。可以根据器件具体导通特性、击穿特性的要求来具体设定器件各区域尺寸。这种结构可在不牺牲器件耐压的前提下，同时兼顾降低漏-源导通电阻的要求。本发明与常规UMOS晶体管工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。
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