公开(公告)号：CN102148256B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201110067484.8

申请日：2011-03-21

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  兰昊 ,  曹菲 ,  刘云涛 ,  邵雷

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供的是一种栅增强功率半导体场效应晶体管。包括漏区(201)、漂移区(202)、介质层(203)、分裂栅(204)、栅电极(205)、n+层(206)、源电极(207)、沟道区(208)，介质层(203)的K值是按一定规律分布的，即K值按照从源极到漏极方向越来越小。本发明通过用K值按照一定规律分布的介质层代替原来的侧氧结构，在不牺牲器件耐压的前提下，降低漏-源导通电阻。本发明与常规MOSFET工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。

公开(公告)号：CN102148256A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110067484.8

申请日：2011-03-21

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  兰昊 ,  曹菲 ,  刘云涛 ,  邵雷

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供的是一种栅增强功率半导体场效应晶体管。包括漏区(201)、漂移区(202)、介质层(203)、分裂栅(204)、栅电极(205)、n+层(206)、源电极(207)、沟道区(208)，介质层(203)的K值是按一定规律分布的，即K值按照从源极到漏极方向越来越小。本发明通过用K值按照一定规律分布的介质层代替原来的侧氧结构，在不牺牲器件耐压的前提下，降低漏-源导通电阻。本发明与常规MOSFET工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。