-
公开(公告)号：CN101958463B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201010258754.9
申请日：2010-08-13
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明提供的是一种高增益宽频带全向天线。该天线包括主馈线、双锥赋形反射器、宽频带槽式天线、馈电网络和天线罩。本发明的特点是：1、带宽超过110％，有较高的辐射效率，采用不一致的槽线赋形曲线，有利于进一步展宽天线的带宽；2、可安装在塑料桶内和任何形状的天线罩内，方向图比较理想，能覆盖整个空间，电流分布均匀，实现无盲区覆盖，提高了通信质量；3、采用双锥形赋形反射器结构，能压缩全向天线垂直面内的波束宽度，从而提高天线的增益；辐射单元发射的波经双锥赋形反射器变成平面向自由空间辐射，便于提高天线的极化纯度；4、易于实现双极化设计；5、工艺简单，焊点少，便于设计和制造，有利于提高天线的3阶无源交调。
-
公开(公告)号：CN101656269B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200910072919.0
申请日：2009-09-18
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明提供的是一种具有低导通电阻的沟槽DMOS器件，该沟槽DMOS晶体管单元包括第一导电类型的衬底、第一导电类型的外延层和位于其上的体区，体区具有第二导电类型；至少一个沟槽贯穿体区并延伸进入外延层；沟槽内壁衬有隔离介质层，导电电极位于沟槽中覆盖隔离介质层；第一导电类型的源区位于邻近沟槽的体区上部；它还具有位于紧邻沟槽下端的第二导电类型掺杂区，并且所述第二导电类型掺杂区被第一导电类型掺杂区包围，第一导电类型掺杂区的掺杂浓度高于外延层。本发明提供的沟槽DMOS器件相比传统沟槽DMOS器件具有更低的导通电阻，更易满足功率电子系统的应用要求。
-
公开(公告)号：CN101546767A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910071964.4
申请日：2009-05-07
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L27/07 , H01L29/74 , H01L29/73 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供的是一种可降低通态功耗的自关断晶闸管，其内部结构为：一个PNPN型半导体主晶闸管，高掺杂P型层(1)经金属层(1M)引出阳极，在高掺杂P型层(1)上依次为低掺杂N型基区层(2)和P型基区层(3)，在P型基区层(3)上为高掺杂N型层(4)经金属层(4M)引出阴极，同时在P型基区层(3)经金属层(3M)引出门极；一个PNP型半导体晶体管，高掺杂P型层(1)经金属层(1M)引出发射极，在高掺杂P型层(1)上依次为低掺杂N型基区层(2)和P型基区层(3)，在P型基区层(3)上为高掺杂P型层(5)经金属层(5M)引出集电极。PNPN型主晶闸管和PNP型晶体管部分由N－区隔离。该晶闸管结构具有较低的导通电阻，从而达到提高晶闸管的通态电流的目的。
-
公开(公告)号：CN102891713B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201210369924.X
申请日：2012-09-27
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明提供的是一种适用于中高纬度区域覆盖的低轨道微小卫星编队系统。该编队系统基于Flower星座设计“表面投影”理论，在回归周期初始时刻由各卫星构成紧凑的几何空间构形，并保证该拓扑结构相对于地面各点具有周期重复特性；编队中各卫星均采用形状完全一致的近极椭圆轨道；编队内部在保证无链路重叠的情况下，建立多条永久星间链路。本发明所提供的卫星编队系统能够大大降低地面跟踪控制系统的复杂度，有利于星间链路的优化和通信可靠性的提高，保证了良好的地面中高纬度区域多重覆盖特性，在空间通信领域具有广阔的应用价值和发展前景。
-
公开(公告)号：CN101702466B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200910073156.1
申请日：2009-11-09
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明提供的是一种高增益宽频带全向天线.主要包括主馈电电缆(14)、双锥赋形反射器、两个槽式天线(10、15)、馈电网络(9)和支撑结构，主馈电电缆(14)通过下固定底座(2)进入下反射器(6)直接和馈电网络(9)连接，馈电网络(9)通过第一馈电电缆(11)、第二馈电电缆(12)分别给第一槽式天线(10)和第二槽式天线(15)馈电。本发明具有高增益，宽带宽，辐射效率高，能实现无盲区覆盖的特点。能够广泛应用于小区覆盖和移动通信中。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102005645A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010570778.8
申请日：2010-12-02
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明提供的是一种小型化双频天线。它包括介质基板和印制在介质基板上的单极子天线，所述单极子天线包括主辐射单元、与主辐射单元相连的共面波导馈电信号带线、共面波导接地面以及在主辐射单元和共面波导接地面之间的辅辐射单元，所述主辐射单元为U形辐射单元，共面波导馈电信号带线的下端与SMA内导体连接，SMA的外导体与共面波导接地面连接。本发明可以用于接受和发射无线电波。本发明可以用于电子侦察和电子对抗，跟踪和电磁防护的终端，无线局域网和全球微波接入终端接收设备上。本发明的结构简单、工作带宽宽，便于批量生产，且成本低廉。
-
公开(公告)号：CN102005478A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010282581.4
申请日：2010-09-16
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明提供的是一种集成肖特基整流器的栅增强功率MOSFET器件。包括由漂移区101、漏区102、场氧化层103、栅电极104、沟道区105和源电极106构成的晶体管。源电极106延伸到漂移区101、并与漂移区101形成肖特基接触。本发明可在不牺牲器件耐压的前提下，减少栅增强UMOS晶体管结构器件的反向恢复时间。本发明与常规UMOS晶体管工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。
-
公开(公告)号：CN101958463A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010258754.9
申请日：2010-08-13
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明提供的是一种高增益宽频带全向天线。该天线包括主馈线、双锥赋形反射器、宽频带槽式天线、馈电网络和天线罩。本发明的特点是：1、带宽超过110％，有较高的辐射效率，采用不一致的槽线赋形曲线，有利于进一步展宽天线的带宽；2、可安装在塑料桶内和任何形状的天线罩内，方向图比较理想，能覆盖整个空间，电流分布均匀，实现无盲区覆盖，提高了通信质量；3、采用双锥形赋形反射器结构，能压缩全向天线垂直面内的波束宽度，从而提高天线的增益；辐射单元发射的波经双锥赋形反射器变成平面向自由空间辐射，便于提高天线的极化纯度；4、易于实现双极化设计；5、工艺简单，焊点少，便于设计和制造，有利于提高天线的3阶无源交调。
-
公开(公告)号：CN101702466A
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200910073156.1
申请日：2009-11-09
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明提供的是一种高增益宽频带全向天线。主要包括主馈电电缆(14)、双锥赋形反射器、两个槽式天线(10、15)、馈电网络(9)和支撑结构，主馈电电缆(14)通过下固定底座(2)进入下反射器(6)直接和馈电网络(9)连接，馈电网络(9)通过第一馈电电缆(11)、第二馈电电缆(12)分别给第一槽式天线(10)和第二槽式天线(15)馈电。本发明具有高增益，宽带宽，辐射效率高，能实现无盲区覆盖的特点，能够广泛应用于小区覆盖和移动通信中。
-
公开(公告)号：CN101656269A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910072919.0
申请日：2009-09-18
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明提供的是一种具有低导通电阻的沟槽DMOS器件，该沟槽DMOS晶体管单元包括第一导电类型的衬底、第一导电类型的外延层和位于其上的体区，体区具有第二导电类型；至少一个沟槽贯穿体区并延伸进入外延层；沟槽内壁衬有隔离介质层，导电电极位于沟槽中覆盖隔离介质层；第一导电类型的源区位于邻近沟槽的体区上部；它还具有位于紧邻沟槽下端的第二导电类型掺杂区，并且所述第二导电类型掺杂区被第一导电类型掺杂区包围，第一导电类型掺杂区的掺杂浓度高于外延层。本发明提供的沟槽DMOS器件相比传统沟槽DMOS器件具有更低的导通电阻，更易满足功率电子系统的应用要求。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
33
records
(took 0.028 seconds)
