公开(公告)号：CN105161566B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201510381967.3

申请日：2015-07-02

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  项智强

IPC: H01L31/119 ,  G01T1/02

Abstract: 本发明公开了一种半浮栅晶体管γ射线剂量探测器及探测方法。在平面掺杂势垒晶体管的控制栅极与沟道之间的绝缘层中嵌入半浮栅结构，半浮栅结构与n型沟道中的p型势垒层直接接触，半浮栅结构的参杂类型与p型势垒层的参杂类型相同。本发明探测器通过施加偏压使浮栅与沟道之间的pn结正向偏置来复位，相比当前广泛应用的PMOS型和FG‑MOS型探测器简便易行。本发明体积小、灵敏度高、功耗低，适合应用于放射医疗等领域。

公开(公告)号：CN105161566A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510381967.3

申请日：2015-07-02

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  项智强

IPC: H01L31/119 ,  G01T1/02

CPC classification number: H01L31/119 ,  G01T1/026

Abstract: 本发明公开了一种半浮栅晶体管γ射线剂量探测器及探测方法。在平面掺杂势垒晶体管的控制栅极与沟道之间的绝缘层中嵌入半浮栅结构，半浮栅结构与n型沟道中的p型势垒层直接接触，半浮栅结构的参杂类型与p型势垒层的参杂类型相同。本发明探测器通过施加偏压使浮栅与沟道之间的pn结正向偏置来复位，相比当前广泛应用的PMOS型和FG-MOS型探测器简便易行。本发明体积小、灵敏度高、功耗低，适合应用于放射医疗等领域。