公开(公告)号：CN103928338B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201410134515.0

申请日：2014-04-04

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  于成浩 ,  曹菲 ,  胡海帆

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/26

Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件抗单粒子烧毁方法，其特征在于：其特征在于：将功率半导体器件漂移区按横向厚度均匀分成2—4个区域，针对其中一个区域降低少子寿命；将功率半导体器件漂移区按纵向厚度均匀分成2—4个区域，针对其中一个区域降低少子寿命。

公开(公告)号：CN104660929A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201510032730.4

申请日：2015-01-22

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  高松松 ,  于成浩 ,  刘云涛

IPC: H04N5/374 ,  H04N5/353 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明涉及一种采用电压积分输出的电压积分型CMOS图像传感器。本发明采用电压积分输出的电压积分型CMOS图像传感器，包括光电传感器、电荷积分器、相关双采样或数字相关双采样装置、模数转换器，所述电荷积分器的输出信号经过电压积分器或数字累加器得到积分电压数字值。与电荷积分型CMOS图像传感器相比，本发明利用电荷积分电压在积分时间内所围成的面积来表征光强大小，不再受最大可容纳电荷量的限制，避免了高光条件下由于电荷积分饱和造成的信息损失。

公开(公告)号：CN103928560A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410177611.3

申请日：2014-04-29

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  胡海帆 ,  兰浩 ,  于成浩 ,  魏佳童

IPC: H01L31/09 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14603

Abstract: 本发明涉及一种应用在粒子探测器、辐射探测器中的辐射探测器像素结构。传感器电荷收集电极为三维电极由重掺杂硅沟槽构成，每个像素电极由硅深沟槽结构隔离开，传感器电荷收集电极和像素隔离都为深沟槽结构，且相等深度。传感器电荷收集电极和衬底硅杂质类型相反，即收集电极为P型，衬底硅为N型；收集电极为N型，衬底硅为P型；收集电极中杂质浓度要比衬底硅浓度大6～7个数量级。本发明提出了一种辐射探测器像素结构，有效提高像素对电荷的收集效率，改善了电荷收集时间，屏蔽了像素间串扰噪声，且降低了传感器反偏电压，以及像素级功耗。

公开(公告)号：CN104660929B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201510032730.4

申请日：2015-01-22

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  高松松 ,  于成浩 ,  刘云涛

IPC: H04N5/374 ,  H04N5/353 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明涉及一种采用电压积分输出的电压积分型CMOS图像传感器。本发明采用电压积分输出的电压积分型CMOS图像传感器，包括光电传感器、电荷积分器、相关双采样或数字相关双采样装置、模数转换器，所述电荷积分器的输出信号经过电压积分器或数字累加器得到积分电压数字值。与电荷积分型CMOS图像传感器相比，本发明利用电荷积分电压在积分时间内所围成的面积来表征光强大小，不再受最大可容纳电荷量的限制，避免了高光条件下由于电荷积分饱和造成的信息损失。

公开(公告)号：CN103928338A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410134515.0

申请日：2014-04-04

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  于成浩 ,  曹菲 ,  胡海帆

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L29/0634

Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件抗单粒子烧毁方法，其特征在于：其特征在于：将功率半导体器件漂移区按横向厚度均匀分成2—4个区域，针对其中一个区域降低少子寿命；将功率半导体器件漂移区按纵向厚度均匀分成2—4个区域，针对其中一个区域降低少子寿命。