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公开(公告)号：CN110535442B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201910881024.5
申请日：2019-09-18
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H03F1/26 , H03F3/68 , H03G3/30 , G01P15/125
Abstract: 本发明公开了一种应用于电容式加速度计的可编程增益放大器，属于MEMS惯性器件领域。采用开关电容结构，主要由开关，电容，可变电容阵列，运算放大器组成。通过分时复用、分时输出实现开关电容可编程增益放大器的连续信号输出，并实现全差分电路结构；通过相关双采样技术消除低频噪声和失调；可变电容阵列的n个电容呈指数分布，利用程序控制可变电容阵列来实n现2种不同的电容值，可变电容阵列选择采样电容而不是反馈电容，避免对放大器性能的影响。本发明可以实现2n种可调增益，大大提高了电路精度，能够适用于不同的电容式加速度传感器敏感结构，并实现多量程检测。
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公开(公告)号：CN109889199A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910126805.3
申请日：2019-02-20
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明涉及CMOS集成电路设计领域，具体涉及一种带斩波稳定的ΣΔ型和SAR型混合型ADC。由ΣΔADC、SAR ADC、MSB/LSB组合逻辑组成；采用两级量化方式，由ΣΔADC对输入信号进行粗量化，产生的数字信号作为模数转换的高位MSB，ΣΔADC积分器模拟输出作为SAR ADC的输入，SAR ADC进行细量化，产生的数字信号作为模数转换的低位LSB。SAR ADC由N-bit DAC、比较器部和逐次逼近寄存器部组成；N-bit DAC部分具有乘2功能，采样输入信号时由两个相等的电容进行采样，位转换时只由一个电容完成。本发明有效地消除失调和低频噪声，获得极低的误差和漂移；并在传统的采样基础上，增加了对输入信号的采样控制开关，使得转换完成后积分器的输出范围满足后续SAR ADC输入范围的要求，适用于混合型ADC电路中。
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公开(公告)号：CN102915946B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201210379408.5
申请日：2012-10-09
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明涉及绝缘体上硅器件领域，具体为一种绝缘体上硅结构形成方法。本发明包括：在多晶硅衬底上使多晶硅与氧化剂形成具有介质隔离作用的第一氧化层；在第一氧化层上涂光刻胶，曝光、刻蚀出第一通孔，除光刻胶；在第一氧化层表面，形成第一多晶硅层；在第一多晶硅层上加氧化剂，使硅与氧化剂在高温下反应形成第二氧化层；在第二氧化层上涂光刻胶，曝光、刻蚀出第二通孔；通过第二通孔，在第二氧化层表面，利用选择外延生长形成第二多晶硅层；利用碳注入，将碳注入到第一多晶硅层中，形成碳化硅薄膜。SiC具有很高的临界位移能，在SiC材料中由辐照而产生的电子空穴对要比辐照在体硅材料中产生的电子空穴对数目少很多，从而提高了器件的抗辐射性能。
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公开(公告)号：CN103594377A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310563620.1
申请日：2013-11-14
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66848 , H01L21/28 , H01L29/401
Abstract: 本发明公开了一种集成肖特基分裂栅型功率MOS器件的制造方法，利用6次掩模版完成了一种集成肖特基分裂栅型功率MOS器件的制作。对比传统的分裂栅型沟槽功率MOS器件制造工艺，本发明提出的集成肖特基分裂栅型功率MOS器件的制造方法，能够减少工艺步骤及工艺难度。
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公开(公告)号：CN103247538A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310141293.0
申请日：2013-04-22
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及沟槽功率MOS器件的版图设计领域，特别涉及一种用七次光刻来实现集成肖特基分裂栅型沟槽功率MOS器件。本发明包括P-离子注入掩膜版，沟槽刻蚀掩膜版，保护栅结构回刻蚀阻挡掩膜版，P+离子注入掩膜版，电极接触孔掩膜版，金属分离刻蚀掩膜版，光刻压焊点掩膜版。由单个台面结构边缘向内依次是电极接触孔掩膜版、P-离子注入掩膜版、P+离子注入掩膜版。N+离子注入与P-离子注入共用同一掩膜版，减少掩膜版的制作成本。器件内的台面结构由沟槽结构包围，且台面结构为规则条状结构，从而降低因台面结构复杂而因此的电场集中效应，从而提升器件的整体击穿电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102148256A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201110067484.8
申请日：2011-03-21
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供的是一种栅增强功率半导体场效应晶体管。包括漏区(201)、漂移区(202)、介质层(203)、分裂栅(204)、栅电极(205)、n+层(206)、源电极(207)、沟道区(208)，介质层(203)的K值是按一定规律分布的，即K值按照从源极到漏极方向越来越小。本发明通过用K值按照一定规律分布的介质层代替原来的侧氧结构，在不牺牲器件耐压的前提下，降低漏-源导通电阻。本发明与常规MOSFET工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。
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公开(公告)号：CN116706164A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310783449.9
申请日：2023-06-29
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01M8/04992 , H01M8/04858 , H01M8/04537 , H01M8/1011
Abstract: 本申请公开了直接甲醇燃料电池组的能量转化效率分析方法及系统，方法包括：求解直接甲醇燃料电池组的离子分布方程式，得到局部质子和氧离子分布，基于局部质子和氧离子分布计算阳极电子电流密度；计算直接甲醇燃料电池单体的阳极过电势和阴极过电势，并基于阳极电子电流密度计算直接甲醇燃料电池组的极化特性；基于极化特性确定极化初始条件，并基于极化初始条件确定能量转化效率变量；基于局部质子和氧离子分布构建传质公式，基于传质公式和能量转化效率变量，计算得到能量转化效率。本申请具有分析稳定性以及计算精度高的特点，且占用计算资源少，能够满足直接甲醇燃料电池组设计过程中的能效分析，实现在实际应用过程中的高能量转化效率。
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公开(公告)号：CN112954240B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110225179.0
申请日：2021-03-01
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H04N25/76 , H04N25/772
Abstract: 本发明公开了一种CMOS图像传感器像素级ADC电路，包括比较器，锁存器，斜坡发生器，编码信号电路，偏置电路和时钟电路，比较器对像素单元转化后的模拟信号和斜坡发生信号进行比较，锁存器锁存比较器比较后对应的BITX编码信号，斜坡发生器为比较器提供相应斜坡信号，编码信号电路为整体电路提供数字编码，偏置电路为整体电路提供偏置电压，时钟电路为整体电路提供时钟序列。本发明可以很容易地实现量化可变步长、消除图像滞后，而且电路结构相对简单，噪声低，功耗小，还具有良好的抗辐照特性，可以很好的应用于航空航天领域。
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公开(公告)号：CN114421766A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111646553.0
申请日：2021-12-30
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明属于电源管理芯片技术领域，具体涉及一种应用于开关电源具有抖频及斜坡补偿的高精度振荡器电路。本发明采用基准电流源产生的零温度系数电流源给电容充放电技术、利用三位的数字调频技术通过改变充电镜像电流，改变输出振荡器频率；利用抖频电容改变总电容改善EMI；采用源级负反馈构成的可调整斜率的斜坡补偿模块。本发明在具有传统振荡器高精度输出频率的基础上，能够在较宽的范围内线性切换输出频率，为调制电路提供可调斜率的斜坡补偿电流三角波信号，可对振荡器输出在一定范围内进行修调，较适合电源管理芯片电路中对时钟信号的稳定性和高精度的要求。
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公开(公告)号：CN111063729A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911280891.X
申请日：2019-12-13
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉一种新型S栅SOI抗总剂量辐照器件装置,所述装置包括：衬底层，绝缘氧化埋层，牺牲层，硅膜层，浅沟槽隔离氧化层，栅氧层，氮化硅Si3N4侧墙，源区，漏区，S栅区，所述衬底层上涂有绝缘氧化埋层，所述绝缘氧化埋层上涂有牺牲层，在牺牲层上由左至右依次设有浅沟槽隔离氧化层、硅膜层、源区、浅沟槽隔离氧化层，所述硅膜层上涂有栅氧层，在所述栅氧层上由左至右依次设有氮化硅侧墙、S栅区、氮化硅侧墙。该新型器件可抗总电离辐照剂量高达500krad(Si)，总电离剂量辐照对其泄露电流，阈值电压，跨导等敏感参数基本无影响。本发明和传统SOI工艺兼容，且相比现已有抗辐照栅型器件宽长比设计不受限，版图面积更小。
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