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公开(公告)号：CN1872976A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610066697.8
申请日：2001-03-19
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: C11D3/34 , C11D1/66 , H01L21/304 , C11D3/33
CPC classification number: H01L21/02074 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3245 , C11D7/3272 , C11D7/34 , C11D11/0047 , C23G1/20 , H01L21/76877
Abstract: 本发明涉及含有在分子中具有带有非共享电子对氮原子的化合物形成的，用于表面上施加了铜布线的半导体表面的洗涤剂，以及半导体表面的洗涤方法，其特征在于用该洗涤剂处理表面上施加了铜布线的半导体表面。本发明所涉及的洗涤剂，在表面施加了Cu布线的半导体中，不腐蚀Cu布线(Cu薄膜)，层间绝缘膜SiO2，而且不损坏表面的平坦度，能够有效地除去在Cu－CMP工序附着的半导体表面的CuO和颗粒。
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公开(公告)号：CN1419709A
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN01806955.X
申请日：2001-03-19
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02074 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3245 , C11D7/3272 , C11D7/34 , C11D11/0047 , C23G1/20 , H01L21/76877
Abstract: 本发明涉及含有在分子中具有带有非共享电子对氮原子的化合物形成的，用于表面上施加了铜布线的半导体表面的洗涤剂，以及半导体表面的洗涤方法，其特征在于用该洗涤剂处理表面上施加了铜布线的半导体表面。本发明所涉及的洗涤剂，在表面施加了Cu布线的半导体中，不腐蚀Cu布线(Cu薄膜)，层间绝缘膜SiO2，而且不损坏表面的平坦度，能够有效地除去在Cu－CMP工序附着的半导体表面的CuO和颗粒。
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公开(公告)号：CN103258727A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310112019.0
申请日：2008-12-19
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: H01L21/306 , C23F1/38 , C23F1/44
CPC classification number: H01L21/30604 , C23F1/38 , C23F1/44 , H01L21/32134
Abstract: 本发明涉及蚀刻剂、蚀刻方法及蚀刻剂制备液，能够对半导体基板上的钛(Ti)系金属膜或钨(W)系金属膜进行蚀刻，蚀刻剂由含有下述(A)、(B)和(C)、以及(D-1)和/或(D-2)的溶液构成：(A)过氧化氢、(B)具有羟基的膦酸系螯合剂、(C)碱性化合物、(D-1)铜防蚀剂、0.01重量%～3重量%的(D-2)具有羟基的膦酸系螯合剂以外的不具有氧化力的2种以上的阴离子种。
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公开(公告)号：CN101454879A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200780019453.7
申请日：2007-05-22
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/30604 , H01L21/02019
Abstract: 本发明提供能够防止基板(特别是半导体基板)被金属杂质污染的基板蚀刻液及基板蚀刻方法。本发明的蚀刻液包含通式(1)所示的二羧酸或其盐和20重量％(W/W)以上的碱金属氢氧化物，本发明的基板的蚀刻方法的特征在于，用上述蚀刻液来蚀刻基板。通式(1)中，T1和T2各自独立地表示氢原子、羟基、羧基、碳原子数为1～3的烷基，或者表示T1和T2形成结合键，R1～R4各自独立地表示氢原子、羟基、羧基或碳原子数为1～3的烷基。其中，在T1和T2未形成结合键的情况下，T、T2和R1～R4中的任意2个基团为羧基，其余的任意1个基团为羟基，这些以外的基团各自独立地是氢原子或碳原子数为1～3的烷基；在T1和T2形成结合键的情况下，R1～R4中的任意2个基团为羧基，其余基团各自独立地是氢原子或碳原子数为1～3的烷基。
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公开(公告)号：CN101903988B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200880121508.X
申请日：2008-12-19
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: H01L21/306 , C23F1/38 , C23F1/44
CPC classification number: H01L21/30604 , C23F1/38 , C23F1/44 , H01L21/32134
Abstract: 本发明涉及能够对半导体基板上的钛(Ti)系金属膜或钨(W)系金属膜进行蚀刻的半导体基板用蚀刻剂，其由含有下述(A)、(B)和(C)、以及(D-1)和/或(D-2)的溶液构成：(A)过氧化氢、(B)具有羟基的膦酸系螯合剂、(C)碱性化合物、(D-1)铜防蚀剂、0.01重量％～3重量％的(D-2)具有羟基的膦酸系螯合剂以外的不具有氧化力的2种以上的阴离子种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101903988A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200880121508.X
申请日：2008-12-19
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: H01L21/306 , C23F1/38 , C23F1/44
CPC classification number: H01L21/30604 , C23F1/38 , C23F1/44 , H01L21/32134
Abstract: 本发明涉及能够对半导体基板上的钛(Ti)系金属膜或钨(W)系金属膜进行蚀刻的半导体基板用蚀刻剂，其由含有下述(A)、(B)和(C)、以及(D-1)和/或(D-2)的溶液构成：(A)过氧化氢、(B)具有羟基的膦酸系螯合剂、(C)碱性化合物、(D-1)铜防蚀剂、0.01重量％～3重量％的(D-2)具有羟基的膦酸系螯合剂以外的不具有氧化力的2种以上的阴离子种。
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公开(公告)号：CN100440445C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200380102722.8
申请日：2003-11-07
Applicant: 福吉米株式会社 , 和光纯药工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/02024 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C11D7/20 , C11D7/36 , C11D11/0047 , H01L21/02052
Abstract: 按照本发明的抛光组合物和清洗组合物可以有效的抑制由金属杂质引起的硅片污染。抛光组合物包括螯合剂、碱性化合物、二氧化硅和水。清洗组合物包括螯合剂、碱性化合物和水。抛光组合物和清洗组合物中的螯合剂为可由化学通式(1)表示的一种酸或其盐，在化学通式(1)中，Y2和Y3均表示亚烷基，n为0～4之间的整数，由R8～R12表示的每个4+n取代基为烷基，并且至少有四个烷基具备膦酸基团。
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公开(公告)号：CN1711626A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200380102722.8
申请日：2003-11-07
Applicant: 福吉米株式会社 , 和光纯药工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/02024 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C11D7/20 , C11D7/36 , C11D11/0047 , H01L21/02052
Abstract: 按照本发明的抛光组合物和清洗组合物可以有效的抑制由金属杂质引起的硅片污染。抛光组合物包括螯合剂、碱性化合物、二氧化硅和水。清洗组合物包括螯合剂、碱性化合物和水。抛光组合物和清洗组合物中的螯合剂为可由化学通式(1)表示的一种酸或其盐，在化学通式(1)中，Y2和Y3均表示亚烷基，n为0～4之间的整数，由R8～R12表示的每个4+n取代基为烷基，并且至少有四个烷基具备膦酸基团。
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公开(公告)号：CN103258727B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310112019.0
申请日：2008-12-19
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: H01L21/306 , C23F1/38 , C23F1/44
CPC classification number: H01L21/30604 , C23F1/38 , C23F1/44 , H01L21/32134
Abstract: 本发明涉及蚀刻剂、蚀刻方法及蚀刻剂制备液，能够对半导体基板上的钛(Ti)系金属膜或钨(W)系金属膜进行蚀刻，蚀刻剂由含有下述(A)、(B)和(C)、以及(D-1)和/或(D-2)的溶液构成：(A)过氧化氢、(B)具有羟基的膦酸系螯合剂、(C)碱性化合物、(D-1)铜防蚀剂、0.01重量%～3重量%的(D-2)具有羟基的膦酸系螯合剂以外的不具有氧化力的2种以上的阴离子种。
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公开(公告)号：CN100543124C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200480031760.3
申请日：2004-10-13
Applicant: 和光纯药工业株式会社
CPC classification number: H01L21/02052 , C11D7/261 , C11D7/262 , C11D7/263 , C11D7/264 , C11D7/3245 , C11D7/36 , C11D11/0047 , C23G5/02 , C23G5/032
Abstract: 本发明提供了基板用清洗剂以及清洗方法，采用该基板用清洗剂以及清洗方法时，可以有效地除去存在于基板表面的微细粒子(颗粒)或来自各种金属的杂质(金属杂质)，而不会引起基板、特别是半导体基板的表面粗糙，此外，也不会引起铺设于基板表面的金属配线、特别是铜配线的腐蚀或氧化，并且可以同时除去存在于基板表面的碳缺陷，而不会除去防金属腐蚀剂-Cu涂层、特别是Cu-BTA涂层。本发明所提供的基板用清洗剂含有[I]具有至少1个羧基的有机酸或/和[II]络合剂，还含有[III]有机溶剂，所述有机溶剂选自由(1)一元醇类、(2)烷氧基醇类、(3)二元醇类、(4)二元醇醚类、(5)酮类和(6)腈类组成的组。本发明所提供的基板表面的清洗方法的特征在于，其采用上述清洗剂对基板表面进行处理。
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