公开(公告)号：CN101960388A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980108005.3

申请日：2009-03-06

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 水田浩德 ,  松田修

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426

Abstract: 本发明提供能够在低温且短时间内容易地将半导体元件等的制造工艺中的防反射膜层剥离的半导体表面用处理剂组合物和使用该组合物的半导体表面的处理方法；还提供不仅能够剥离防反射膜层和抗蚀剂层这两层、还能将蚀刻工序中产生的抗蚀剂固化层剥离的半导体表面用处理剂组合物和使用该组合物的半导体表面的处理方法。本发明涉及半导体表面用处理剂组合物，其特征在于，该组合物含有在水中产生氟离子的化合物、碳自由基产生剂和水，根据需要还含有有机溶剂。本发明还涉及半导体表面的处理方法，其特征在于使用上述组合物。

公开(公告)号：CN103258727B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310112019.0

申请日：2008-12-19

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 松田修 ,  菊池信之 ,  林田一良 ,  白旗里志

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44

CPC classification number: H01L21/30604 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明涉及蚀刻剂、蚀刻方法及蚀刻剂制备液，能够对半导体基板上的钛(Ti)系金属膜或钨(W)系金属膜进行蚀刻，蚀刻剂由含有下述(A)、(B)和(C)、以及(D-1)和/或(D-2)的溶液构成：(A)过氧化氢、(B)具有羟基的膦酸系螯合剂、(C)碱性化合物、(D-1)铜防蚀剂、0.01重量%～3重量%的(D-2)具有羟基的膦酸系螯合剂以外的不具有氧化力的2种以上的阴离子种。

公开(公告)号：CN101960388B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN200980108005.3

申请日：2009-03-06

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 水田浩德 ,  松田修

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426

Abstract: 本发明提供能够在低温且短时间内容易地将半导体元件等的制造工艺中的防反射膜层剥离的半导体表面用处理剂组合物和使用该组合物的半导体表面的处理方法；还提供不仅能够剥离防反射膜层和抗蚀剂层这两层、还能将蚀刻工序中产生的抗蚀剂固化层剥离的半导体表面用处理剂组合物和使用该组合物的半导体表面的处理方法。本发明涉及半导体表面用处理剂组合物，其特征在于，该组合物含有在水中产生氟离子的化合物、碳自由基产生剂和水，根据需要还含有有机溶剂。本发明还涉及半导体表面的处理方法，其特征在于使用上述组合物。

公开(公告)号：CN103258727A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310112019.0

申请日：2008-12-19

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 松田修 ,  菊池信之 ,  林田一良 ,  白旗里志

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44

CPC classification number: H01L21/30604 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明涉及蚀刻剂、蚀刻方法及蚀刻剂制备液，能够对半导体基板上的钛(Ti)系金属膜或钨(W)系金属膜进行蚀刻，蚀刻剂由含有下述(A)、(B)和(C)、以及(D-1)和/或(D-2)的溶液构成：(A)过氧化氢、(B)具有羟基的膦酸系螯合剂、(C)碱性化合物、(D-1)铜防蚀剂、0.01重量%～3重量%的(D-2)具有羟基的膦酸系螯合剂以外的不具有氧化力的2种以上的阴离子种。

公开(公告)号：CN101903988B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN200880121508.X

申请日：2008-12-19

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 松田修 ,  菊池信之 ,  林田一良 ,  白旗里志

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44

CPC classification number: H01L21/30604 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明涉及能够对半导体基板上的钛(Ti)系金属膜或钨(W)系金属膜进行蚀刻的半导体基板用蚀刻剂，其由含有下述(A)、(B)和(C)、以及(D-1)和/或(D-2)的溶液构成：(A)过氧化氢、(B)具有羟基的膦酸系螯合剂、(C)碱性化合物、(D-1)铜防蚀剂、0.01重量％～3重量％的(D-2)具有羟基的膦酸系螯合剂以外的不具有氧化力的2种以上的阴离子种。

公开(公告)号：CN101903988A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200880121508.X

申请日：2008-12-19

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 松田修 ,  菊池信之 ,  林田一良 ,  白旗里志

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44

CPC classification number: H01L21/30604 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明涉及能够对半导体基板上的钛(Ti)系金属膜或钨(W)系金属膜进行蚀刻的半导体基板用蚀刻剂，其由含有下述(A)、(B)和(C)、以及(D-1)和/或(D-2)的溶液构成：(A)过氧化氢、(B)具有羟基的膦酸系螯合剂、(C)碱性化合物、(D-1)铜防蚀剂、0.01重量％～3重量％的(D-2)具有羟基的膦酸系螯合剂以外的不具有氧化力的2种以上的阴离子种。