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公开(公告)号：CN107004906A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580064216.7
申请日：2015-11-27
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: H01M10/0568 , H01M10/054 , H01M10/0567 , H01M10/0569 , H01G11/62
Abstract: 本发明的目的在于提供一种使用非亲核性的醇盐系镁盐、氧化分解电位高、反复稳定地进行镁的溶解析出的电解液。本发明涉及：(1)一种镁电池用电解液，其是将下述通式(I)所表示的化合物、路易斯酸和溶剂混合而成的；(2)一种电化学装置，其包含上述电解液、正极和负极；以及(3)下述通式(I’)所表示的化合物。
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公开(公告)号：CN105190846A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480015211.0
申请日：2014-04-09
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/32
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3281 , H01L21/02074
Abstract: 本发明涉及一种在半导体元件的制造工序中的化学机械研磨(CMP)后清洗工序中用于具有金属配线的基板的清洗剂以及特征在于使用该清洗剂的半导体基板的清洗方法，其中，所述基板用清洗剂包含pH为10以上的水溶液，所述水溶液含有(A)具有含氮杂环的羧酸和(B)烷基羟胺。
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公开(公告)号：CN102483591A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080038222.2
申请日：2010-09-01
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/426 , C11D11/0047 , G03F7/422 , G03F7/423
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物和以使用该组合物为特征的抗蚀剂的剥离方法，所述半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物能够简便且容易地将半导体领域的照相平版印刷工艺中的抗蚀剂剥离。本发明是关于半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物的发明，其特征在于，该组合物含有〔I〕碳自由基产生剂、〔II〕酸、〔III〕还原剂、以及〔IV〕有机溶剂，且pH小于7；并且本发明是关于抗蚀剂的剥离方法的发明，其特征在于，该方法使用该组合物。
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公开(公告)号：CN104254906B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201380022014.7
申请日：2013-04-26
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/32 , C11D7/36
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D7/3218 , C11D7/36 , H01L21/0206 , H01L21/02068 , H01L21/02074 , H01L21/31055 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 本发明的目的在于提供一种钨配线或钨合金配线的耐腐蚀性优异、在化学机械抛光工序后的半导体基板表面、特别是TEOS膜等硅氧化膜表面残存的二氧化硅或氧化铝等研磨微粒(颗粒)的除去性优异的半导体基板用清洗剂、以及半导体基板表面的处理方法。本发明涉及一种半导体基板用清洗剂以及半导体基板表面的处理方法，该半导体基板用清洗剂的特征在于，其为在具有钨配线或钨合金配线和硅氧化膜的半导体基板的化学机械抛光工序的后工序中使用的清洗剂，含有(A)膦酸系螯合剂、(B)分子内具有至少1个烷基或羟基烷基的一元伯胺或一元仲胺和(C)水，pH超过6且小于7。
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公开(公告)号：CN102484057B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201080038221.8
申请日：2010-09-01
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: H01L21/304 , G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/306
CPC classification number: G03F7/425 , C11D11/0047 , G03F7/423 , G03F7/426 , H01L21/31133
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体表面用处理剂组合物以及以使用该组合物为特征的半导体表面的处理方法，所述半导体表面用处理剂组合物能够简便且在短时间内将半导体元件等的制造工艺中的防反射膜层、抗蚀剂层和抗蚀剂固化层剥离。本发明是关于半导体表面用处理剂组合物的发明，其特征在于，该组合物含有〔I〕在水中产生氟离子的化合物、〔II〕碳自由基产生剂、〔III〕水、〔IV〕有机溶剂、以及〔V〕选自由羟胺和通式[1]表示的羟胺衍生物组成的组中的至少1种化合物；并且本发明是关于半导体表面的处理方法的发明，其特征在于，该方法使用该组合物。(式中，R1表示碳原子数为1～6的直链状、支链状或环状的烷基或者具有1～3个羟基的碳原子数为1～4的直链状或支链状的取代烷基，R2表示氢原子、碳原子数为1～6的直链状、支链状或环状的烷基或者具有1～3个羟基的碳原子数为1～4的直链状或支链状的取代烷基)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101960388B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200980108005.3
申请日：2009-03-06
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31133 , C11D11/0047 , G03F7/425 , G03F7/426
Abstract: 本发明提供能够在低温且短时间内容易地将半导体元件等的制造工艺中的防反射膜层剥离的半导体表面用处理剂组合物和使用该组合物的半导体表面的处理方法；还提供不仅能够剥离防反射膜层和抗蚀剂层这两层、还能将蚀刻工序中产生的抗蚀剂固化层剥离的半导体表面用处理剂组合物和使用该组合物的半导体表面的处理方法。本发明涉及半导体表面用处理剂组合物，其特征在于，该组合物含有在水中产生氟离子的化合物、碳自由基产生剂和水，根据需要还含有有机溶剂。本发明还涉及半导体表面的处理方法，其特征在于使用上述组合物。
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公开(公告)号：CN102483591B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201080038222.2
申请日：2010-09-01
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/426 , C11D11/0047 , G03F7/422 , G03F7/423
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物和以使用该组合物为特征的抗蚀剂的剥离方法，所述半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物能够简便且容易地将半导体领域的照相平版印刷工艺中的抗蚀剂剥离。本发明是关于半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物的发明，其特征在于，该组合物含有〔I〕碳自由基产生剂、〔II〕酸、〔III〕还原剂、以及〔IV〕有机溶剂，且pH小于7；并且本发明是关于抗蚀剂的剥离方法的发明，其特征在于，该方法使用该组合物。
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公开(公告)号：CN102484057A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080038221.8
申请日：2010-09-01
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: H01L21/304 , G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/306
CPC classification number: G03F7/425 , C11D11/0047 , G03F7/423 , G03F7/426 , H01L21/31133
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体表面用处理剂组合物以及以使用该组合物为特征的半导体表面的处理方法，所述半导体表面用处理剂组合物能够简便且在短时间内将半导体元件等的制造工艺中的防反射膜层、抗蚀剂层和抗蚀剂固化层剥离。本发明是关于半导体表面用处理剂组合物的发明，其特征在于，该组合物含有〔I〕在水中产生氟离子的化合物、〔II〕碳自由基产生剂、〔III〕水、〔IV〕有机溶剂、以及〔V〕选自由羟胺和通式[1]表示的羟胺衍生物组成的组中的至少1种化合物；并且本发明是关于半导体表面的处理方法的发明，其特征在于，该方法使用该组合物。式中，R1表示碳原子数为1～6的直链状、支链状或环状的烷基或者具有1～3个羟基的碳原子数为1～4的直链状或支链状的取代烷基，R2表示氢原子、碳原子数为1～6的直链状、支链状或环状的烷基或者具有1～3个羟基的碳原子数为1～4的直链状或支链状的取代烷基。
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公开(公告)号：CN101960388A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980108005.3
申请日：2009-03-06
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31133 , C11D11/0047 , G03F7/425 , G03F7/426
Abstract: 本发明提供能够在低温且短时间内容易地将半导体元件等的制造工艺中的防反射膜层剥离的半导体表面用处理剂组合物和使用该组合物的半导体表面的处理方法；还提供不仅能够剥离防反射膜层和抗蚀剂层这两层、还能将蚀刻工序中产生的抗蚀剂固化层剥离的半导体表面用处理剂组合物和使用该组合物的半导体表面的处理方法。本发明涉及半导体表面用处理剂组合物，其特征在于，该组合物含有在水中产生氟离子的化合物、碳自由基产生剂和水，根据需要还含有有机溶剂。本发明还涉及半导体表面的处理方法，其特征在于使用上述组合物。
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公开(公告)号：CN1872976A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610066697.8
申请日：2001-03-19
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: C11D3/34 , C11D1/66 , H01L21/304 , C11D3/33
CPC classification number: H01L21/02074 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3245 , C11D7/3272 , C11D7/34 , C11D11/0047 , C23G1/20 , H01L21/76877
Abstract: 本发明涉及含有在分子中具有带有非共享电子对氮原子的化合物形成的，用于表面上施加了铜布线的半导体表面的洗涤剂，以及半导体表面的洗涤方法，其特征在于用该洗涤剂处理表面上施加了铜布线的半导体表面。本发明所涉及的洗涤剂，在表面施加了Cu布线的半导体中，不腐蚀Cu布线(Cu薄膜)，层间绝缘膜SiO2，而且不损坏表面的平坦度，能够有效地除去在Cu－CMP工序附着的半导体表面的CuO和颗粒。
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