公开(公告)号：CN100440445C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200380102722.8

申请日：2003-11-07

Applicant: 福吉米株式会社 ,  和光纯药工业株式会社

Inventor： 河瀬昭博 ,  三轮俊博 ,  阪本健次 ,  林田一良

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/02024 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C11D7/20 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02052

Abstract: 按照本发明的抛光组合物和清洗组合物可以有效的抑制由金属杂质引起的硅片污染。抛光组合物包括螯合剂、碱性化合物、二氧化硅和水。清洗组合物包括螯合剂、碱性化合物和水。抛光组合物和清洗组合物中的螯合剂为可由化学通式(1)表示的一种酸或其盐，在化学通式(1)中，Y2和Y3均表示亚烷基，n为0～4之间的整数，由R8～R12表示的每个4+n取代基为烷基，并且至少有四个烷基具备膦酸基团。

公开(公告)号：CN1711626A

公开(公告)日：2005-12-21

申请号：CN200380102722.8

申请日：2003-11-07

Applicant: 福吉米株式会社 ,  和光纯药工业株式会社

Inventor： 河瀬昭博 ,  三轮俊博 ,  阪本健次 ,  林田一良

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/02024 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C11D7/20 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02052

Abstract: 按照本发明的抛光组合物和清洗组合物可以有效的抑制由金属杂质引起的硅片污染。抛光组合物包括螯合剂、碱性化合物、二氧化硅和水。清洗组合物包括螯合剂、碱性化合物和水。抛光组合物和清洗组合物中的螯合剂为可由化学通式(1)表示的一种酸或其盐，在化学通式(1)中，Y2和Y3均表示亚烷基，n为0～4之间的整数，由R8～R12表示的每个4+n取代基为烷基，并且至少有四个烷基具备膦酸基团。

公开(公告)号：CN1670115A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510059249.0

申请日：2005-03-18

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 三轮俊博

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/02024

Abstract: 本发明的抛光用组合物能合适地使用在硅片的抛光用途上。该抛光用组合物含有二氧化硅、碱性化合物、阴离子型表面活性剂及水。二氧化硅是胶体二氧化硅、气相二氧化硅或沉淀法二氧化硅。所述碱性化合物例如是氢氧化钾、氢氧化钠、氨、氢氧化四甲基铵、无水哌嗪或六水合哌嗪。阴离子型表面活性剂是选自磺酸型表面活性剂、羧酸型表面活性剂及硫酸脂型表面活性剂中的至少一种。