公开(公告)号：CN101454879A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200780019453.7

申请日：2007-05-22

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 加藤岳久 ,  柿沢政彦 ,  林田一良

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/02019

Abstract: 本发明提供能够防止基板(特别是半导体基板)被金属杂质污染的基板蚀刻液及基板蚀刻方法。本发明的蚀刻液包含通式(1)所示的二羧酸或其盐和20重量％(W/W)以上的碱金属氢氧化物，本发明的基板的蚀刻方法的特征在于，用上述蚀刻液来蚀刻基板。通式(1)中，T1和T2各自独立地表示氢原子、羟基、羧基、碳原子数为1～3的烷基，或者表示T1和T2形成结合键，R1～R4各自独立地表示氢原子、羟基、羧基或碳原子数为1～3的烷基。其中，在T1和T2未形成结合键的情况下，T、T2和R1～R4中的任意2个基团为羧基，其余的任意1个基团为羟基，这些以外的基团各自独立地是氢原子或碳原子数为1～3的烷基；在T1和T2形成结合键的情况下，R1～R4中的任意2个基团为羧基，其余基团各自独立地是氢原子或碳原子数为1～3的烷基。

公开(公告)号：CN100437922C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200380102751.4

申请日：2003-11-07

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 林田一良 ,  水田浩德 ,  加藤岳久

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/36

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02068

Abstract: 本发明提供一种也可具有金属布线的半导体基板用洗涤液及使用它的洗涤方法，其含有用下述通式(1)表示的螯合剂或其盐、碱性化合物及纯水的各成分，而且pH是8～13，(式中，Y1及Y2表示低级亚烷基、n表示0～4的整数，R1～R4和n个R5中的至少4个表示具有膦酸基的烷基的同时，其余的表示烷基。)。即使在使用碱性抛光剂或蚀刻液的工序后使用，也不会产生基板表面的粒子凝胶化而难以除去，或者半导体基板表面容易粗面等问题，可以有效地除去半导体基板表面上的微粒子和来自各种金属的杂质。

公开(公告)号：CN1711627A

公开(公告)日：2005-12-21

申请号：CN200380102751.4

申请日：2003-11-07

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 林田一良 ,  水田浩德 ,  加藤岳久

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/36

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02068

Abstract: 本发明提供一种也可具有金属布线的半导体基板用洗涤液及使用它的洗涤方法，其含有用下述通式(1)表示的螯合剂或其盐、碱性化合物及纯水的各成分，而且pH是8～13，(式中，Y1及Y2表示低级亚烷基、n表示0～4的整数，R1～R4和n个R5中的至少4个表示具有膦酸基的烷基的同时，其余的表示烷基。)。即使在使用碱性抛光剂或蚀刻液的工序后使用，也不会产生基板表面的粒子凝胶化而难以除去，或者半导体基板表面容易粗面等问题，可以有效地除去半导体基板表面上的微粒子和来自各种金属的杂质。