公开(公告)号：CN100440445C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200380102722.8

申请日：2003-11-07

Applicant: 福吉米株式会社 ,  和光纯药工业株式会社

Inventor： 河瀬昭博 ,  三轮俊博 ,  阪本健次 ,  林田一良

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/02024 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C11D7/20 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02052

Abstract: 按照本发明的抛光组合物和清洗组合物可以有效的抑制由金属杂质引起的硅片污染。抛光组合物包括螯合剂、碱性化合物、二氧化硅和水。清洗组合物包括螯合剂、碱性化合物和水。抛光组合物和清洗组合物中的螯合剂为可由化学通式(1)表示的一种酸或其盐，在化学通式(1)中，Y2和Y3均表示亚烷基，n为0～4之间的整数，由R8～R12表示的每个4+n取代基为烷基，并且至少有四个烷基具备膦酸基团。

公开(公告)号：CN1711626A

公开(公告)日：2005-12-21

申请号：CN200380102722.8

申请日：2003-11-07

Applicant: 福吉米株式会社 ,  和光纯药工业株式会社

Inventor： 河瀬昭博 ,  三轮俊博 ,  阪本健次 ,  林田一良

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/02024 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C11D7/20 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02052

Abstract: 按照本发明的抛光组合物和清洗组合物可以有效的抑制由金属杂质引起的硅片污染。抛光组合物包括螯合剂、碱性化合物、二氧化硅和水。清洗组合物包括螯合剂、碱性化合物和水。抛光组合物和清洗组合物中的螯合剂为可由化学通式(1)表示的一种酸或其盐，在化学通式(1)中，Y2和Y3均表示亚烷基，n为0～4之间的整数，由R8～R12表示的每个4+n取代基为烷基，并且至少有四个烷基具备膦酸基团。

公开(公告)号：CN1746254B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200510099561.2

申请日：2005-09-07

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 阪本健次

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02024 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 一种含有研磨剂、至少一种选自吡咯化合物及其衍生物的化合物以及水的抛光组合物。该抛光组合物以合适的方式用于抛光半导体基材的表面。

公开(公告)号：CN1746254A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510099561.2

申请日：2005-09-07

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 阪本健次

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02024 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 一种含有研磨剂、至少一种选自吡咯化合物及其衍生物的化合物以及水的抛光组合物。该抛光组合物以合适的方式用于抛光半导体基材的表面。