公开(公告)号：CN102483591B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201080038222.2

申请日：2010-09-01

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 水田浩德 ,  柿沢政彦

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/426 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物和以使用该组合物为特征的抗蚀剂的剥离方法，所述半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物能够简便且容易地将半导体领域的照相平版印刷工艺中的抗蚀剂剥离。本发明是关于半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物的发明，其特征在于，该组合物含有〔I〕碳自由基产生剂、〔II〕酸、〔III〕还原剂、以及〔IV〕有机溶剂，且pH小于7；并且本发明是关于抗蚀剂的剥离方法的发明，其特征在于，该方法使用该组合物。

公开(公告)号：CN102483591A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080038222.2

申请日：2010-09-01

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 水田浩德 ,  柿沢政彦

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/426 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物和以使用该组合物为特征的抗蚀剂的剥离方法，所述半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物能够简便且容易地将半导体领域的照相平版印刷工艺中的抗蚀剂剥离。本发明是关于半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物的发明，其特征在于，该组合物含有〔I〕碳自由基产生剂、〔II〕酸、〔III〕还原剂、以及〔IV〕有机溶剂，且pH小于7；并且本发明是关于抗蚀剂的剥离方法的发明，其特征在于，该方法使用该组合物。

公开(公告)号：CN101454879A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200780019453.7

申请日：2007-05-22

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 加藤岳久 ,  柿沢政彦 ,  林田一良

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/02019

Abstract: 本发明提供能够防止基板(特别是半导体基板)被金属杂质污染的基板蚀刻液及基板蚀刻方法。本发明的蚀刻液包含通式(1)所示的二羧酸或其盐和20重量％(W/W)以上的碱金属氢氧化物，本发明的基板的蚀刻方法的特征在于，用上述蚀刻液来蚀刻基板。通式(1)中，T1和T2各自独立地表示氢原子、羟基、羧基、碳原子数为1～3的烷基，或者表示T1和T2形成结合键，R1～R4各自独立地表示氢原子、羟基、羧基或碳原子数为1～3的烷基。其中，在T1和T2未形成结合键的情况下，T、T2和R1～R4中的任意2个基团为羧基，其余的任意1个基团为羟基，这些以外的基团各自独立地是氢原子或碳原子数为1～3的烷基；在T1和T2形成结合键的情况下，R1～R4中的任意2个基团为羧基，其余基团各自独立地是氢原子或碳原子数为1～3的烷基。

公开(公告)号：CN103228775A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180057321.X

申请日：2011-11-28

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 川田博美 ,  白旗里志 ,  水田浩德 ,  柿沢政彦 ,  白木一夫

IPC: C11D7/32 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  H01L21/304

CPC classification number: C11D7/3245 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明的目的在于提供一种铜配线用基板清洗剂、以及特征在于使用了该铜配线用基板清洗剂的铜配线半导体基板的清洗方法，在半导体基板的制造工艺中，对化学机械抛光(CMP)工序后的半导体基板进行清洗时，所述铜配线用基板清洗剂可以充分地抑制金属铜的溶出、且可以除去在化学机械抛光(CMP)工序中产生的氢氧化铜(II)、氧化铜(II)等杂质或颗粒。本发明涉及铜配线用基板清洗剂、以及特征在于使用了该铜配线用基板清洗剂的铜配线半导体基板的清洗方法，所述铜配线用基板清洗剂由含有[I]以下述通式[1]表示的氨基酸和[II]烷基羟胺的水溶液构成，(式中，R1表示氢原子、羧甲基或羧乙基；R2和R3各自独立地表示氢原子、或具有或不具有羟基的碳原子数为1～4的烷基，其中，R1～R3均为氢原子的情况除外)。

公开(公告)号：CN100543124C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200480031760.3

申请日：2004-10-13

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 水田浩德 ,  柿沢政彦 ,  林田一良

IPC: C11D7/60 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/36 ,  H01L21/304 ,  B08B3/08

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C11D7/261 ,  C11D7/262 ,  C11D7/263 ,  C11D7/264 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  C23G5/02 ,  C23G5/032

Abstract: 本发明提供了基板用清洗剂以及清洗方法，采用该基板用清洗剂以及清洗方法时，可以有效地除去存在于基板表面的微细粒子(颗粒)或来自各种金属的杂质(金属杂质)，而不会引起基板、特别是半导体基板的表面粗糙，此外，也不会引起铺设于基板表面的金属配线、特别是铜配线的腐蚀或氧化，并且可以同时除去存在于基板表面的碳缺陷，而不会除去防金属腐蚀剂-Cu涂层、特别是Cu-BTA涂层。本发明所提供的基板用清洗剂含有[I]具有至少1个羧基的有机酸或/和[II]络合剂，还含有[III]有机溶剂，所述有机溶剂选自由(1)一元醇类、(2)烷氧基醇类、(3)二元醇类、(4)二元醇醚类、(5)酮类和(6)腈类组成的组。本发明所提供的基板表面的清洗方法的特征在于，其采用上述清洗剂对基板表面进行处理。

公开(公告)号：CN1875090A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200480031760.3

申请日：2004-10-13

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 水田浩德 ,  柿沢政彦 ,  林田一良

IPC: C11D7/60 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/36 ,  H01L21/304 ,  B08B3/08

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C11D7/261 ,  C11D7/262 ,  C11D7/263 ,  C11D7/264 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  C23G5/02 ,  C23G5/032

Abstract: 本发明提供了基板用清洗剂以及清洗方法，采用该基板用清洗剂以及清洗方法时，可以有效地除去存在于基板表面的微细粒子(颗粒)或来自各种金属的杂质(金属杂质)，而不会引起基板、特别是半导体基板的表面粗糙，此外，也不会引起铺设于基板表面的金属配线、特别是铜配线的腐蚀或氧化，并且可以同时除去存在于基板表面的碳缺陷，而不会除去防金属腐蚀剂－Cu涂层、特别是Cu－BTA涂层。本发明所提供的基板用清洗剂含有[I]具有至少1个羧基的有机酸或/和[II]络合剂，还含有[III]有机溶剂，所述有机溶剂选自由(1)一元醇类、(2)烷氧基醇类、(3)二元醇类、(4)二元醇醚类、(5)酮类和(6)腈类组成的组。本发明所提供的基板表面的清洗方法的特征在于，其采用上述清洗剂对基板表面进行处理。