公开(公告)号：CN103258727A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310112019.0

申请日：2008-12-19

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 松田修 ,  菊池信之 ,  林田一良 ,  白旗里志

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44

CPC classification number: H01L21/30604 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明涉及蚀刻剂、蚀刻方法及蚀刻剂制备液，能够对半导体基板上的钛(Ti)系金属膜或钨(W)系金属膜进行蚀刻，蚀刻剂由含有下述(A)、(B)和(C)、以及(D-1)和/或(D-2)的溶液构成：(A)过氧化氢、(B)具有羟基的膦酸系螯合剂、(C)碱性化合物、(D-1)铜防蚀剂、0.01重量%～3重量%的(D-2)具有羟基的膦酸系螯合剂以外的不具有氧化力的2种以上的阴离子种。

公开(公告)号：CN103258727B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310112019.0

申请日：2008-12-19

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 松田修 ,  菊池信之 ,  林田一良 ,  白旗里志

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44

CPC classification number: H01L21/30604 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明涉及蚀刻剂、蚀刻方法及蚀刻剂制备液，能够对半导体基板上的钛(Ti)系金属膜或钨(W)系金属膜进行蚀刻，蚀刻剂由含有下述(A)、(B)和(C)、以及(D-1)和/或(D-2)的溶液构成：(A)过氧化氢、(B)具有羟基的膦酸系螯合剂、(C)碱性化合物、(D-1)铜防蚀剂、0.01重量%～3重量%的(D-2)具有羟基的膦酸系螯合剂以外的不具有氧化力的2种以上的阴离子种。

公开(公告)号：CN103228775A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180057321.X

申请日：2011-11-28

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 川田博美 ,  白旗里志 ,  水田浩德 ,  柿沢政彦 ,  白木一夫

IPC: C11D7/32 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  H01L21/304

CPC classification number: C11D7/3245 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明的目的在于提供一种铜配线用基板清洗剂、以及特征在于使用了该铜配线用基板清洗剂的铜配线半导体基板的清洗方法，在半导体基板的制造工艺中，对化学机械抛光(CMP)工序后的半导体基板进行清洗时，所述铜配线用基板清洗剂可以充分地抑制金属铜的溶出、且可以除去在化学机械抛光(CMP)工序中产生的氢氧化铜(II)、氧化铜(II)等杂质或颗粒。本发明涉及铜配线用基板清洗剂、以及特征在于使用了该铜配线用基板清洗剂的铜配线半导体基板的清洗方法，所述铜配线用基板清洗剂由含有[I]以下述通式[1]表示的氨基酸和[II]烷基羟胺的水溶液构成，(式中，R1表示氢原子、羧甲基或羧乙基；R2和R3各自独立地表示氢原子、或具有或不具有羟基的碳原子数为1～4的烷基，其中，R1～R3均为氢原子的情况除外)。

公开(公告)号：CN101903988B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN200880121508.X

申请日：2008-12-19

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 松田修 ,  菊池信之 ,  林田一良 ,  白旗里志

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44

CPC classification number: H01L21/30604 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明涉及能够对半导体基板上的钛(Ti)系金属膜或钨(W)系金属膜进行蚀刻的半导体基板用蚀刻剂，其由含有下述(A)、(B)和(C)、以及(D-1)和/或(D-2)的溶液构成：(A)过氧化氢、(B)具有羟基的膦酸系螯合剂、(C)碱性化合物、(D-1)铜防蚀剂、0.01重量％～3重量％的(D-2)具有羟基的膦酸系螯合剂以外的不具有氧化力的2种以上的阴离子种。

公开(公告)号：CN101903988A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200880121508.X

申请日：2008-12-19

Applicant: 和光纯药工业株式会社

Inventor： 松田修 ,  菊池信之 ,  林田一良 ,  白旗里志

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44

CPC classification number: H01L21/30604 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明涉及能够对半导体基板上的钛(Ti)系金属膜或钨(W)系金属膜进行蚀刻的半导体基板用蚀刻剂，其由含有下述(A)、(B)和(C)、以及(D-1)和/或(D-2)的溶液构成：(A)过氧化氢、(B)具有羟基的膦酸系螯合剂、(C)碱性化合物、(D-1)铜防蚀剂、0.01重量％～3重量％的(D-2)具有羟基的膦酸系螯合剂以外的不具有氧化力的2种以上的阴离子种。