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公开(公告)号：CN110071762A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910358985.8
申请日：2019-04-30
Applicant: 吉林大学
IPC: H04B10/079
Abstract: 本发明公开了一种基于高阶模式背向瑞利散射的少模光纤故障检测方法，属于光纤故障检测技术领域。本发明针对少模光纤仅利用基模背向瑞利散射进行故障检测所导致的灵敏度低的问题，无法准确有效实现少模光纤链路故障事件定位。提出了以少模光纤高阶模式背向瑞利散射为故障检测的评估标准，利用少模光纤高阶模式的高检测灵敏度特性，可实现对不同故障幅值损耗事件的有效表征，进而实现少模光纤链路故障事件的综合评估，为少模光纤链路简单、精确的故障检测提供了强有力保证。
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公开(公告)号：CN117512559A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311501689.1
申请日：2023-11-13
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/34 , H01L21/02 , C23C16/455 , C23C16/44
Abstract: 一种原位C掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜制备和掺杂技术领域。本发明采用低压化学气相沉积(LPCVD)技术，通过BCl3+NH3→hBN+HCl反应在衬底上生长本征hBN薄膜缓冲层，然后在缓冲层上以Cp2Mg为掺杂源进行原位掺杂，受控降温后得到原位C掺杂的P型六方氮化硼薄膜。薄膜的生长速率与厚度可通过生长温度、生长源流量等进行调控，其电学性质与掺杂浓度可通过掺杂源加热温度与稀释比例进行调节。本发明所述方法简单稳定且掺杂均匀，能够制备出空穴浓度较高的P型hBN薄膜，进一步通过异质外延等方式，可以与其他半导体材料形成各种半导体器件。
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公开(公告)号：CN108330458A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810112003.2
申请日：2018-02-05
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种Zn原位掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法，属于半导体材料制备和半导体掺杂技术领域。其是将高纯的hBN靶、高纯Zn靶和清洗后的衬底放入磁控溅射生长室内，采用射频磁控双靶共溅射技术，在hBN薄膜生长过程中原位掺入Zn杂质，生长结束后，在N2气氛下对薄膜进行原位退火，并在N2气保护下冷却至室温，从而在衬底上得到Zn原位掺杂的P型hBN薄膜。本发明方法简单，成本低廉，安全可靠，无毒无害；可以通过调节Zn靶的靶距和溅射功率来控制掺杂浓度；Zn在hBN薄膜中易于占据B原子的格点位，作为替位式杂质具有较低的形成能和较小的杂质激活能，因而能够获得电阻率较低的Zn掺杂P型hBN薄膜，且性能稳定。
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公开(公告)号：CN100516794C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710055271.7
申请日：2007-01-25
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明具体涉及一种可用于超短光脉冲测量系统、光电集成系统和光通信系统的半球形和球形双光子响应半导体光电探测器。半球形双光子响应半导体光电探测器，由半导体半球(1)、金属电极对(2，2’)和显微物镜(3)组成，其特征在于：半导体半球(1)的半径小于显微物镜(3)的工作距离，半导体半球(1)的球心位于显微物镜(3)的焦点处，金属电极对(2，2’)位于半导体半球(1)的平面内，入射的平行光(4)经显微物镜(3)聚焦后垂直于半导体半球(1)的球面入射，沿着半径方向前进，最后聚焦光束的焦点落在球心处，在金属电极对(2，2’)上施加直流电压，通过对光生电流的测量来实现对入射光功率进行相对测量。
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公开(公告)号：CN114664967A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210222190.6
申请日：2022-03-09
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 一种嵌入式MSM结构的六方氮化硼深紫外光电探测器及其制备方法，属于半导体光电探测技术领域。本发明所述六方氮化硼深紫外光电探测器，自下而上由c轴蓝宝石衬底层、六方氮化硼层、嵌入式MSM电极结构层和六方氮化硼包层组成，其中嵌入式MSM电极结构层为叉指电极结构。本发明将MSM电极嵌入在六方氮化硼层内，并且在电极上方再覆盖一层六方氮化硼包层，相当于增大了曝光面积，可以最大程度增加光生载流子的收集范围；而六方氮化硼层内的载流子迁移率远高于层间迁移率，因而这种嵌入式MSM结构有利于提高器件的响应度和响应速度；同时电极嵌入在六方氮化硼薄膜中，也可以防止电极的脱落与沾污，从而保证器件的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113890543A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111175302.9
申请日：2021-10-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了基于多层感知神经网络的多进制LDPC码的译码方法，属于通信技术领域，具体包括接收符号数据信息、FHT‑BP译码算法、多层感知神经网络译码、判决条件、比特翻转及输出判定的比特流；其中，接收符号数据信息是由接收端直接从信道得到的数据，之后对信息进行FHT‑BP译码算法，译码得到的比特数据经过神经网络处理之后得到最可能出错的比特位置，将最可能出错的数据翻转过来继续下一步的算法译码，满足译码条件则判决输出比特从而进行误码判定。本发明对四进制下的LDPC码译码进行研究，提出多层感知器(MLP)神经网络级联比特翻转的方法进行译码，能够较大的提升译码性能，非常适合高精度传输的应用场景。
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公开(公告)号：CN113053732A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110273352.4
申请日：2021-03-15
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种以金刚石为衬底生长的高质量六方氮化硼薄膜及其制备方法，属于半导体材料外延生长技术领域。具体是以金刚石为衬底，将金刚石高温加热，使其表面充分石墨化，形成石墨缓冲层，然后再利用化学气相沉积、脉冲激光沉积或磁控溅射技术，在表面充分石墨化后的金刚石衬底上外延生长hBN薄膜。在相同的hBN薄膜生长工艺条件下，高温石墨化后的金刚石衬底上生长的hBN薄膜质量优于未经石墨化过程的金刚石衬底上生长的hBN薄膜，hBN薄膜的结晶质量和平整度均有提高，进一步可以直接用于垂直结构器件的电极的制备。
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公开(公告)号：CN112962082A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110273353.9
申请日：2021-03-15
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种以磁控溅射Cu薄膜为缓冲层的二维hBN薄膜及其制备方法，属于半导体材料外延生长技术领域。本发明利用磁控溅射技术在蓝宝石或石英等衬底上生长一层Cu薄膜作为缓冲层，然后再采用低压化学气相沉积技术在Cu缓冲层上外延生长二维hBN薄膜。与现在技术中使用的金属箔片相比，Cu缓冲层表面更加平整光滑，并且是Cu(111)晶面，与hBN晶格十分匹配，更适合于二维hBN薄膜的生长，Cu缓冲层的厚度可由Cu靶材的溅射工艺参数进行调节。采用本发明方法制得的二维hBN薄膜尺寸较大、质量较高，且Cu薄膜缓冲层可以作为垂直结构的hBN器件的底电极直接使用。
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公开(公告)号：CN111106202B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010030275.5
申请日：2020-01-13
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/18 , C23C14/06 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C14/58
Abstract: 一种基于氮化镁薄膜的光电探测器件及其制备方法，属于半导体光电探测器领域。首先采用磁控溅射或蒸镀技术在衬底上生长一层过渡金属电极，并利用湿法或干法刻蚀技术制备出叉指电极结构，然后采用反应射频磁控溅射方法在制备好叉指电极结构的衬底上生长Mg3N2薄膜，最后在Mg3N2薄膜上原位溅射生长一层BN或AlN薄膜作为Mg3N2保护层，从而得到基于Mg3N2薄膜的光电探测器件。本发明拓展了Mg3N2在光电功能材料与器件领域中的应用。BN或AlN薄膜不仅有效抑制了Mg3N2薄膜的水解，提高了Mg3N2薄膜的稳定性，而且在红外、可见光和大部分紫外波段都是透明的，是Mg3N2光电器件理想的光学窗口。
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公开(公告)号：CN102540408A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110442511.5
申请日：2011-12-26
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属电光检测技术领域，具体涉及一种超半球型电光固浸透镜。理论上这种超半球型电光固浸透镜可以使得电光检测系统的空间分辨率提高n2倍，n为电光固浸透镜的折射率。超半球型电光固浸透镜是一个球体沿平行于赤道面方向去除一小部分形成的超半球，超半球底面的中心到球面顶点的距离为(1+1/n)r，其中n为超半球材料的折射率，r为超半球球体的半径；超半球材料为折射率n＞2，电光系数γ＞0.5pm/V，对探测光透明的III-V族电光材料、II-VI族电光材料或铁电体电光材料。超半球型电光固浸透镜与合适的显微物镜搭配使用，应用于外部电光检测系统中，可以获得亚微米的空间分辨率，因而具有重要的实际应用价值。
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