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公开(公告)号：CN108330458B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201810112003.2
申请日：2018-02-05
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种Zn原位掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法，属于半导体材料制备和半导体掺杂技术领域。其是将高纯的hBN靶、高纯Zn靶和清洗后的衬底放入磁控溅射生长室内，采用射频磁控双靶共溅射技术，在hBN薄膜生长过程中原位掺入Zn杂质，生长结束后，在N2气氛下对薄膜进行原位退火，并在N2气保护下冷却至室温，从而在衬底上得到Zn原位掺杂的P型hBN薄膜。本发明方法简单，成本低廉，安全可靠，无毒无害；可以通过调节Zn靶的靶距和溅射功率来控制掺杂浓度；Zn在hBN薄膜中易于占据B原子的格点位，作为替位式杂质具有较低的形成能和较小的杂质激活能，因而能够获得电阻率较低的Zn掺杂P型hBN薄膜，且性能稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102435789A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110442564.7
申请日：2011-12-26
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于电光检测技术领域，具体涉及一种电光固浸探头，该探头可用于电子器件的外部电学特性和内部节点电信号的在片测量，且具有很高的空间分辨率和电压灵敏度。电光固浸探头由外圆筒、内圆筒、显微物镜和电光探针组成；外圆筒底端为“倒置的正四棱台状”漏斗，内圆筒的底端为“倒置的圆台状”漏斗；电光探针的针头为尖顶或平顶结构，由半球型电光固浸透镜沿半径或平行于半径方向切割而成，其尖顶或平顶的中心为半球型电光固浸透镜的球心；外圆筒、内圆筒、显微物镜和电光探针均轴对称，且它们的对称轴重合在一起；通过螺纹控制显微物镜相对于电光探针的距离，使用时显微物镜的焦点位于电光探针的尖顶或平顶的中心，该电光固浸探头可以使电光检测系统的空间分辨率可以提高n倍。
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公开(公告)号：CN108330458A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810112003.2
申请日：2018-02-05
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种Zn原位掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法，属于半导体材料制备和半导体掺杂技术领域。其是将高纯的hBN靶、高纯Zn靶和清洗后的衬底放入磁控溅射生长室内，采用射频磁控双靶共溅射技术，在hBN薄膜生长过程中原位掺入Zn杂质，生长结束后，在N2气氛下对薄膜进行原位退火，并在N2气保护下冷却至室温，从而在衬底上得到Zn原位掺杂的P型hBN薄膜。本发明方法简单，成本低廉，安全可靠，无毒无害；可以通过调节Zn靶的靶距和溅射功率来控制掺杂浓度；Zn在hBN薄膜中易于占据B原子的格点位，作为替位式杂质具有较低的形成能和较小的杂质激活能，因而能够获得电阻率较低的Zn掺杂P型hBN薄膜，且性能稳定。
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公开(公告)号：CN100516794C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710055271.7
申请日：2007-01-25
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明具体涉及一种可用于超短光脉冲测量系统、光电集成系统和光通信系统的半球形和球形双光子响应半导体光电探测器。半球形双光子响应半导体光电探测器，由半导体半球(1)、金属电极对(2，2’)和显微物镜(3)组成，其特征在于：半导体半球(1)的半径小于显微物镜(3)的工作距离，半导体半球(1)的球心位于显微物镜(3)的焦点处，金属电极对(2，2’)位于半导体半球(1)的平面内，入射的平行光(4)经显微物镜(3)聚焦后垂直于半导体半球(1)的球面入射，沿着半径方向前进，最后聚焦光束的焦点落在球心处，在金属电极对(2，2’)上施加直流电压，通过对光生电流的测量来实现对入射光功率进行相对测量。
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公开(公告)号：CN101013049A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710055271.7
申请日：2007-01-25
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明具体涉及一种可用于超短光脉冲测量系统、光电集成系统和光通信系统的半球形和球形双光子响应半导体光电探测器。半球形双光子响应半导体光电探测器，由半导体半球(1)、金属电极对(2，2’)和显微物镜(3)组成，其特征在于：半导体半球(1)的半径小于显微物镜(3)的工作距离，半导体半球(1)的球心位于显微物镜(3)的焦点处，金属电极对(2，2’)位于半导体半球(1)的平面内，入射的平行光(4)经显微物镜(3)聚焦后垂直于半导体半球(1)的球面入射，沿着半径方向前进，最后聚焦光束的焦点落在球心处，在金属电极对(2，2’)上施加直流电压，通过对光生电流的测量来实现对入射光功率进行相对测量。
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公开(公告)号：CN102540408A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110442511.5
申请日：2011-12-26
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属电光检测技术领域，具体涉及一种超半球型电光固浸透镜。理论上这种超半球型电光固浸透镜可以使得电光检测系统的空间分辨率提高n2倍，n为电光固浸透镜的折射率。超半球型电光固浸透镜是一个球体沿平行于赤道面方向去除一小部分形成的超半球，超半球底面的中心到球面顶点的距离为(1+1/n)r，其中n为超半球材料的折射率，r为超半球球体的半径；超半球材料为折射率n＞2，电光系数γ＞0.5pm/V，对探测光透明的III-V族电光材料、II-VI族电光材料或铁电体电光材料。超半球型电光固浸透镜与合适的显微物镜搭配使用，应用于外部电光检测系统中，可以获得亚微米的空间分辨率，因而具有重要的实际应用价值。
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