公开(公告)号：CN117512559A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311501689.1

申请日：2023-11-13

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陈占国 ,  范盛达 ,  刘晓航 ,  陈曦 ,  侯丽新 ,  刘秀环 ,  赵纪红 ,  高延军

IPC: C23C16/34 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44

Abstract: 一种原位C掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜制备和掺杂技术领域。本发明采用低压化学气相沉积(LPCVD)技术，通过BCl3+NH3→hBN+HCl反应在衬底上生长本征hBN薄膜缓冲层，然后在缓冲层上以Cp2Mg为掺杂源进行原位掺杂，受控降温后得到原位C掺杂的P型六方氮化硼薄膜。薄膜的生长速率与厚度可通过生长温度、生长源流量等进行调控，其电学性质与掺杂浓度可通过掺杂源加热温度与稀释比例进行调节。本发明所述方法简单稳定且掺杂均匀，能够制备出空穴浓度较高的P型hBN薄膜，进一步通过异质外延等方式，可以与其他半导体材料形成各种半导体器件。