公开(公告)号：CN114566566A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202210185150.9

申请日：2022-02-28

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陈占国 ,  张文博 ,  陈曦 ,  孙浩航 ,  刘晓航 ,  赵纪红 ,  刘秀环 ,  侯丽新 ,  高延军

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/09 ,  H01L31/0304

Abstract: 一种氮化铝日盲光电探测器及其制备方法，属于半导体光电探测技术领域。本发明以c面蓝宝石为衬底，采用反应射频磁控溅射技术在衬底上生长氮化铝薄膜，然后以“面对面”的退火方式改善氮化铝薄膜的结晶质量，再通过磁控溅射或电子束蒸发的方式在氮化铝薄膜上制备金属叉指电极，最终得到氮化铝日盲光电探测器。本发明制得的氮化铝探测器对波长小于210nm的日盲波段光有着较高的响应，其在50V偏压下的光电流高达291nA，响应度为0.51A/W。本发明工艺流程简单，成本低廉，适合批量生产，制备的氮化铝探测器可应用于日盲光电探测领域。

公开(公告)号：CN111243942A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010060273.0

申请日：2020-01-19

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陈占国 ,  栾凯然 ,  陈曦 ,  张文博 ,  刘秀环 ,  赵纪红 ,  侯丽新 ,  高延军

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285

Abstract: 一种利用过渡金属或合金作为缓冲层提高六方氮化硼结晶质量的方法，属于半导体材料外延生长技术领域。本发明是在生长六方氮化硼外延薄膜前，以磁控溅射、电子束蒸发、脉冲激光沉积或热蒸发薄膜制备技术预先在硅、蓝宝石或其他晶格失配较大衬底上沉积过渡金属或合金作为缓冲层，再将带有缓冲层的衬底上采用化学气相沉积、磁控溅射或脉冲激光沉积技术外延生长六方氮化硼薄膜；缓冲层在外延生长六方氮化硼薄膜前做退火处理以进一步提高缓冲层的质量，从而达到进一步提高hBN薄膜结晶质量的目的。缓冲层材料为Cu、Cr、Mo、Ni、W、Mn、Co等过渡金属或其组合形成的过渡金属合金材料。

公开(公告)号：CN114664967A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210222190.6

申请日：2022-03-09

Applicant: 吉林大学

Inventor： 孙浩航 ,  陈占国 ,  刘晓航 ,  张文博 ,  陈曦 ,  赵纪红 ,  侯丽新 ,  刘秀环 ,  高延军

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 一种嵌入式MSM结构的六方氮化硼深紫外光电探测器及其制备方法，属于半导体光电探测技术领域。本发明所述六方氮化硼深紫外光电探测器，自下而上由c轴蓝宝石衬底层、六方氮化硼层、嵌入式MSM电极结构层和六方氮化硼包层组成，其中嵌入式MSM电极结构层为叉指电极结构。本发明将MSM电极嵌入在六方氮化硼层内，并且在电极上方再覆盖一层六方氮化硼包层，相当于增大了曝光面积，可以最大程度增加光生载流子的收集范围；而六方氮化硼层内的载流子迁移率远高于层间迁移率，因而这种嵌入式MSM结构有利于提高器件的响应度和响应速度；同时电极嵌入在六方氮化硼薄膜中，也可以防止电极的脱落与沾污，从而保证器件的稳定性。