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公开(公告)号：CN101013049A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710055271.7
申请日：2007-01-25
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明具体涉及一种可用于超短光脉冲测量系统、光电集成系统和光通信系统的半球形和球形双光子响应半导体光电探测器。半球形双光子响应半导体光电探测器，由半导体半球(1)、金属电极对(2，2’)和显微物镜(3)组成，其特征在于：半导体半球(1)的半径小于显微物镜(3)的工作距离，半导体半球(1)的球心位于显微物镜(3)的焦点处，金属电极对(2，2’)位于半导体半球(1)的平面内，入射的平行光(4)经显微物镜(3)聚焦后垂直于半导体半球(1)的球面入射，沿着半径方向前进，最后聚焦光束的焦点落在球心处，在金属电极对(2，2’)上施加直流电压，通过对光生电流的测量来实现对入射光功率进行相对测量。
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公开(公告)号：CN100516794C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710055271.7
申请日：2007-01-25
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明具体涉及一种可用于超短光脉冲测量系统、光电集成系统和光通信系统的半球形和球形双光子响应半导体光电探测器。半球形双光子响应半导体光电探测器，由半导体半球(1)、金属电极对(2，2’)和显微物镜(3)组成，其特征在于：半导体半球(1)的半径小于显微物镜(3)的工作距离，半导体半球(1)的球心位于显微物镜(3)的焦点处，金属电极对(2，2’)位于半导体半球(1)的平面内，入射的平行光(4)经显微物镜(3)聚焦后垂直于半导体半球(1)的球面入射，沿着半径方向前进，最后聚焦光束的焦点落在球心处，在金属电极对(2，2’)上施加直流电压，通过对光生电流的测量来实现对入射光功率进行相对测量。
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