公开(公告)号：CN111106202A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN202010030275.5

申请日：2020-01-13

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陈占国 ,  李方野 ,  赵纪红 ,  刘秀环 ,  王帅 ,  陈曦 ,  侯丽新 ,  高延军

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  C23C14/06 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 一种基于氮化镁薄膜的光电探测器件及其制备方法，属于半导体光电探测器领域。首先采用磁控溅射或蒸镀技术在衬底上生长一层过渡金属电极，并利用湿法或干法刻蚀技术制备出叉指电极结构，然后采用反应射频磁控溅射方法在制备好叉指电极结构的衬底上生长Mg3N2薄膜，最后在Mg3N2薄膜上原位溅射生长一层BN或AlN薄膜作为Mg3N2保护层，从而得到基于Mg3N2薄膜的光电探测器件。本发明拓展了Mg3N2在光电功能材料与器件领域中的应用。BN或AlN薄膜不仅有效抑制了Mg3N2薄膜的水解，提高了Mg3N2薄膜的稳定性，而且在红外、可见光和大部分紫外波段都是透明的，是Mg3N2光电器件理想的光学窗口。

公开(公告)号：CN109666913A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201910139644.1

申请日：2019-02-26

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陈占国 ,  王帅 ,  陈曦 ,  赵纪红 ,  刘秀环 ,  侯丽新 ,  李方野 ,  高延军

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 一种氮化镁(Mg3N2)薄膜及其制备方法，属于无机非金属材料领域。其是将高纯Mg靶和清洗后的衬底(硅、蓝宝石、石英、以六方氮化硼为缓冲层的硅、以六方氮化硼为缓冲层的蓝宝石等)放入射频磁控溅射生长室内，采用反应射频磁控溅射技术，利用高纯N2在强电场下电离形成等离子体与溅射出来的Mg反应，生成Mg3N2沉积在衬底上形成薄膜。本发明方法简单，成本低廉，安全可靠，无毒无害；同时可以通过调节Mg靶的靶距、溅射功率、溅射时间以及衬底温度等参数来控制薄膜的生长速率和薄膜厚度，可获得大面积、高质量的Mg3N2薄膜，实现薄膜的可控性以及重复性生长。

公开(公告)号：CN111106202B

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202010030275.5

申请日：2020-01-13

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陈占国 ,  李方野 ,  赵纪红 ,  刘秀环 ,  王帅 ,  陈曦 ,  侯丽新 ,  高延军

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  C23C14/06 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 一种基于氮化镁薄膜的光电探测器件及其制备方法，属于半导体光电探测器领域。首先采用磁控溅射或蒸镀技术在衬底上生长一层过渡金属电极，并利用湿法或干法刻蚀技术制备出叉指电极结构，然后采用反应射频磁控溅射方法在制备好叉指电极结构的衬底上生长Mg3N2薄膜，最后在Mg3N2薄膜上原位溅射生长一层BN或AlN薄膜作为Mg3N2保护层，从而得到基于Mg3N2薄膜的光电探测器件。本发明拓展了Mg3N2在光电功能材料与器件领域中的应用。BN或AlN薄膜不仅有效抑制了Mg3N2薄膜的水解，提高了Mg3N2薄膜的稳定性，而且在红外、可见光和大部分紫外波段都是透明的，是Mg3N2光电器件理想的光学窗口。