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公开(公告)号：CN115036199A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202110244695.8
申请日：2021-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J25/50 , H01J63/02 , H01L21/263
Abstract: 一种微波产生器、紫外光源，与基板处理方法，微波产生器包含核心组件、第一磁性元件、第二磁性元件以及散热件。核心组件包含第一电极元件与套接于第一电极元件的第二电极元件。第一磁性元件套接于第一电极元件，第二磁性元件套接于第一电极元件，并与第一磁性元件分开。第二电极元件位于第一磁性元件与第二磁性元件之间。散热件包含至少一散热鳍片，散热鳍片朝向第二磁性元件延伸。
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公开(公告)号：CN113380602B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202110031638.1
申请日：2021-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/50
Abstract: 提供一种处理半导体晶圆的方法与晶圆制造系统，用于处理半导体晶圆的方法包括在一晶圆承载台的一顶表面上装载一半导体晶圆。该方法亦包括经由一第一气体入口端口及一第二气体入口端口在该半导体晶圆与该晶圆承载台的该顶表面之间供应一气态材料，该第一气体入口端口及该第二气体入口端口位于该顶表面的一扇状区段下方。该方法进一步包括将一流体介质供应至该晶圆承载台的一流体入口端口且引导来自该流体入口端口的该流体介质以流经位于该顶表面的该扇状区段下方的许多弧状通道。另外，该方法包括在该半导体晶圆上方供应一电浆气体。
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公开(公告)号：CN113471128B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202110035455.7
申请日：2021-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 一种半导体制程工具、气流加速器及处理半导体装置的方法，气流加速器可以包括主体部分，以及一包括与主体部分一体形成的第一端的锥形主体部分。气流加速器可包括与主体部分连接的入口端口，并用于接收将由主泵送线路从半导体制程工具中移除的制程气体。半导体制程工具可包括吸盘及用以向吸盘施加真空以固定半导体装置的吸盘真空线路。锥形主体部分可配置以产生制程气体的旋转流动，以防止制程副产物在主泵送线路的内壁上堆积。气流加速器可包括与锥形主体部分的第二端一体形成的出口端口。吸盘真空线路的末端部分可以通过出口端口提供。
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公开(公告)号：CN113471128A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110035455.7
申请日：2021-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 一种半导体制程工具、气流加速器及处理半导体装置的方法，气流加速器可以包括主体部分，以及一包括与主体部分一体形成的第一端的锥形主体部分。气流加速器可包括与主体部分连接的入口端口，并用于接收将由主泵送线路从半导体制程工具中移除的制程气体。半导体制程工具可包括吸盘及用以向吸盘施加真空以固定半导体装置的吸盘真空线路。锥形主体部分可配置以产生制程气体的旋转流动，以防止制程副产物在主泵送线路的内壁上堆积。气流加速器可包括与锥形主体部分的第二端一体形成的出口端口。吸盘真空线路的末端部分可以通过出口端口提供。
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公开(公告)号：CN103367336A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310020319.6
申请日：2013-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/49822 , H01F2017/0086 , H01L23/147 , H01L23/49827 , H01L25/0652 , H01L25/18 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2924/13091 , H01L2924/1421 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/16172 , H01L2924/19105 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H03H7/0115 , H03H2001/0085 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 一种位于带有堆叠元件的多维集成电路中的中介层元件具有一个或多个导体(尤其是电源线)，该导体通过限定了用于高频信号的低阻抗分路的去耦网络来与地电位相连接。介电层具有连续的层，该层包括有硅层、金属层和电介质沉积层。用于导体的去耦网络具有至少一条并且优选地两条电抗传输线。传输线具有与导体串联的电感器以及处在电感器终端处的并联电容。通过间隔的金属沉积层中的迹线来形成电感器，该金属沉积层形成了线圈绕组并且穿过通孔在层之间进行连接，从而允许导体跨线。通过中介层中的MOScap形成电容。一个实施例具有与处于输入端、输出端和线圈之间的结处的电容串联连接的线圈，其中，该线圈磁性耦合，从而形成了变压器。本发明还提供了一种多维集成电路的电源线滤波器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113628987B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202010375907.1
申请日：2020-05-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露部分实施例提供一种光固化的方法及其设备。方法包括提供一半导体晶圆至一腔体中。方法也包括以一光源照射半导体晶圆。方法还包括以非宽度的多个排气口供应一气体进入腔体中。另外，方法包括经由多个抽气口移除腔体中的气体，其中抽气口的数量大于排气口的数量。方法还包括自腔体移除半导体晶圆。
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公开(公告)号：CN113113326B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202010025322.7
申请日：2020-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种半导体制程机台，包含缓冲室、机器手臂、气流供应源、抽气系统以及多个腔室。缓冲室具有一缓冲室本体，其中缓冲室本体具有进气口、抽气口、一第一晶圆通道以及一第二晶圆通道，其中进气口邻近该第一晶圆通道，抽气口邻近该第二晶圆通道，其中该第一晶圆通道与该第二晶圆通道相对设置。机器手臂设置于缓冲室中。气流供应源连接进气口。抽气系统连接抽气口。多个腔室分别连接缓冲室的第一晶圆通道以及第二晶圆通道。
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公开(公告)号：CN113380602A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110031638.1
申请日：2021-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/50
Abstract: 提供一种处理半导体晶圆的方法与晶圆制造系统，用于处理半导体晶圆的方法包括在一晶圆承载台的一顶表面上装载一半导体晶圆。该方法亦包括经由一第一气体入口端口及一第二气体入口端口在该半导体晶圆与该晶圆承载台的该顶表面之间供应一气态材料，该第一气体入口端口及该第二气体入口端口位于该顶表面的一扇状区段下方。该方法进一步包括将一流体介质供应至该晶圆承载台的一流体入口端口且引导来自该流体入口端口的该流体介质以流经位于该顶表面的该扇状区段下方的许多弧状通道。另外，该方法包括在该半导体晶圆上方供应一电浆气体。
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公开(公告)号：CN103367336B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310020319.6
申请日：2013-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/49822 , H01F2017/0086 , H01L23/147 , H01L23/49827 , H01L25/0652 , H01L25/18 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2924/13091 , H01L2924/1421 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/16172 , H01L2924/19105 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H03H7/0115 , H03H2001/0085 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 一种位于带有堆叠元件的多维集成电路中的中介层元件具有一个或多个导体(尤其是电源线)，该导体通过限定了用于高频信号的低阻抗分路的去耦网络来与地电位相连接。介电层具有连续的层，该层包括有硅层、金属层和电介质沉积层。用于导体的去耦网络具有至少一条并且优选地两条电抗传输线。传输线具有与导体串联的电感器以及处在电感器终端处的并联电容。通过间隔的金属沉积层中的迹线来形成电感器，该金属沉积层形成了线圈绕组并且穿过通孔在层之间进行连接，从而允许导体跨线。通过中介层中的MOScap形成电容。一个实施例具有与处于输入端、输出端和线圈之间的结处的电容串联连接的线圈，其中，该线圈磁性耦合，从而形成了变压器。本发明还提供了一种多维集成电路的电源线滤波器。
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公开(公告)号：CN115527886A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210152932.2
申请日：2022-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/324
Abstract: 一种用于在半导体基板的处理腔室的出入口上方产生气幕的系统及方法。气流稳定器及气流接收器，各个包括合作以产生气幕的水平流动段及垂直流动段，该气幕阻碍处理腔室之外的气体，例如，氧，流入腔室中，举例而言，在出入口打开以添加/或自处理腔室移除工件时。
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