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公开(公告)号：CN113380602B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202110031638.1
申请日：2021-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/50
Abstract: 提供一种处理半导体晶圆的方法与晶圆制造系统，用于处理半导体晶圆的方法包括在一晶圆承载台的一顶表面上装载一半导体晶圆。该方法亦包括经由一第一气体入口端口及一第二气体入口端口在该半导体晶圆与该晶圆承载台的该顶表面之间供应一气态材料，该第一气体入口端口及该第二气体入口端口位于该顶表面的一扇状区段下方。该方法进一步包括将一流体介质供应至该晶圆承载台的一流体入口端口且引导来自该流体入口端口的该流体介质以流经位于该顶表面的该扇状区段下方的许多弧状通道。另外，该方法包括在该半导体晶圆上方供应一电浆气体。
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公开(公告)号：CN113436984B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202010205491.9
申请日：2020-03-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种用于半导体制程机台的设备接口系统，包含容器、装载端口、机器手臂、吹气系统以及气流调整元件。容器具有壳体，其中壳体具有门口。装载端口设置于容器之外且邻近壳体的门口。机器手臂设置于容器中。吹气系统用以于容器中产生气流。气流调整元件设置于容器中且位于门口以及吹气系统之间，其中气流调整元件具有多个开口，以供气流的部分通过，气流调整元件的开口在气流调整元件的表面上的面积占比随着靠近壳体的门口逐渐降低。
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公开(公告)号：CN113436984A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010205491.9
申请日：2020-03-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种用于半导体制程机台的设备接口系统，包含容器、装载端口、机器手臂、吹气系统以及气流调整元件。容器具有壳体，其中壳体具有门口。装载端口设置于容器之外且邻近壳体的门口。机器手臂设置于容器中。吹气系统用以于容器中产生气流。气流调整元件设置于容器中且位于门口以及吹气系统之间，其中气流调整元件具有多个开口，以供气流的部分通过，气流调整元件的开口在气流调整元件的表面上的面积占比随着靠近壳体的门口逐渐降低。
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公开(公告)号：CN113628987A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202010375907.1
申请日：2020-05-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露部分实施例提供一种光固化的方法及其设备。方法包括提供一半导体晶圆至一腔体中。方法也包括以一光源照射半导体晶圆。方法还包括以非宽度的多个排气口供应一气体进入腔体中。另外，方法包括经由多个抽气口移除腔体中的气体，其中抽气口的数量大于排气口的数量。方法还包括自腔体移除半导体晶圆。
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公开(公告)号：CN113113326A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202010025322.7
申请日：2020-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种半导体制程机台，包含缓冲室、机器手臂、气流供应源、抽气系统以及多个腔室。缓冲室具有一缓冲室本体，其中缓冲室本体具有进气口、抽气口、一第一晶圆通道以及一第二晶圆通道，其中进气口邻近该第一晶圆通道，抽气口邻近该第二晶圆通道，其中该第一晶圆通道与该第二晶圆通道相对设置。机器手臂设置于缓冲室中。气流供应源连接进气口。抽气系统连接抽气口。多个腔室分别连接缓冲室的第一晶圆通道以及第二晶圆通道。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113628987B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202010375907.1
申请日：2020-05-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露部分实施例提供一种光固化的方法及其设备。方法包括提供一半导体晶圆至一腔体中。方法也包括以一光源照射半导体晶圆。方法还包括以非宽度的多个排气口供应一气体进入腔体中。另外，方法包括经由多个抽气口移除腔体中的气体，其中抽气口的数量大于排气口的数量。方法还包括自腔体移除半导体晶圆。
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公开(公告)号：CN113113326B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202010025322.7
申请日：2020-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种半导体制程机台，包含缓冲室、机器手臂、气流供应源、抽气系统以及多个腔室。缓冲室具有一缓冲室本体，其中缓冲室本体具有进气口、抽气口、一第一晶圆通道以及一第二晶圆通道，其中进气口邻近该第一晶圆通道，抽气口邻近该第二晶圆通道，其中该第一晶圆通道与该第二晶圆通道相对设置。机器手臂设置于缓冲室中。气流供应源连接进气口。抽气系统连接抽气口。多个腔室分别连接缓冲室的第一晶圆通道以及第二晶圆通道。
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公开(公告)号：CN112342528B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201910719694.7
申请日：2019-08-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , H01L21/67
Abstract: 一种半导体制程机台及其应用的方法。半导体制程机台包含壳体、载台、气体分配喷头以及气流导引元件。壳体用以环绕反应室。载台设置于反应室且用以支撑基板。气体分配喷头设置于载台的上方且用以提供至少一第一气体，其中第一气体用以在基板上沉积而形成薄膜。气流导引元件设置于载台的下方且用以提供第二气体，其中第二气体不同于第一气体且不与第一气体反应。
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公开(公告)号：CN113380602A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110031638.1
申请日：2021-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/50
Abstract: 提供一种处理半导体晶圆的方法与晶圆制造系统，用于处理半导体晶圆的方法包括在一晶圆承载台的一顶表面上装载一半导体晶圆。该方法亦包括经由一第一气体入口端口及一第二气体入口端口在该半导体晶圆与该晶圆承载台的该顶表面之间供应一气态材料，该第一气体入口端口及该第二气体入口端口位于该顶表面的一扇状区段下方。该方法进一步包括将一流体介质供应至该晶圆承载台的一流体入口端口且引导来自该流体入口端口的该流体介质以流经位于该顶表面的该扇状区段下方的许多弧状通道。另外，该方法包括在该半导体晶圆上方供应一电浆气体。
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公开(公告)号：CN112342528A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201910719694.7
申请日：2019-08-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , H01L21/67
Abstract: 一种半导体制程机台及其应用的方法。半导体制程机台包含壳体、载台、气体分配喷头以及气流导引元件。壳体用以环绕反应室。载台设置于反应室且用以支撑基板。气体分配喷头设置于载台的上方且用以提供至少一第一气体，其中第一气体用以在基板上沉积而形成薄膜。气流导引元件设置于载台的下方且用以提供第二气体，其中第二气体不同于第一气体且不与第一气体反应。
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