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公开(公告)号：CN115527886A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210152932.2
申请日：2022-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/324
Abstract: 一种用于在半导体基板的处理腔室的出入口上方产生气幕的系统及方法。气流稳定器及气流接收器，各个包括合作以产生气幕的水平流动段及垂直流动段，该气幕阻碍处理腔室之外的气体，例如，氧，流入腔室中，举例而言，在出入口打开以添加/或自处理腔室移除工件时。
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