公开(公告)号：CN113270366A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110124222.4

申请日：2021-01-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 顾钧尧 ,  陈文豪 ,  陈冠廷 ,  余明道 ,  张钧皓

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 一种集成电路的形成方法包括产生第一标准单元布局设计及邻近的第二标准单元布局设计，及基于至少第一或第二标准单元布局设计来制造集成电路。第一标准单元布局设计具有第一高度。第二标准单元布局设计具有不同于第一高度的第二高度。产生第一标准单元布局设计包括产生第一接脚布局图案的集合，第一接脚布局图案的集合在第一方向上延伸，处于第一布局层上，且具有第一宽度。产生第二标准单元布局设计包括产生第二接脚布局图案的集合，第二接脚布局图案的集合在第一方向上延伸，处于第一布局层上，且具有不同于第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN102646440A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210033496.3

申请日：2012-02-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴经纬 ,  陈冠廷 ,  李政宏

IPC: G11C7/06

CPC classification number: G11C7/08 ,  G11C7/065

Abstract: 一种电路，包括：第一反相器，包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管；第二反相器，包括第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管；第一节点，连接至第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管的栅极以及第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管的漏极；第二节点，连接至第二PMOS晶体管的栅极和第二NMOS晶体管的栅极以及第一PMOS晶体管的漏极和第一NMOS晶体管的漏极；第一电容器，具有第一电容，连接至第一节点；以及第二电容器，具有第二电容，连接至第二节点，其中，第二电容大于第一电容。本发明还提出了一种非对称读出放大器设计。

公开(公告)号：CN116224715A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310028733.5

申请日：2023-01-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘瑞雄 ,  李柏璇 ,  吕安云 ,  陈冠廷 ,  陈柏熊 ,  林本坚

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 一种光阻剂、半导体装置的制造方法及极紫外线微影术方法，制造半导体装置的方法包括以下步骤：在基板上形成光阻剂层，将光阻剂层选择性地曝露于EUV辐射，及显影选择性地曝光的光阻剂层。光阻剂层的组成物包括溶剂及光敏化合物，该光敏化合物溶解于溶剂且由结合六聚体锡及两个氯配体的分子簇化合物组成。

公开(公告)号：CN115036199A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202110244695.8

申请日：2021-03-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨胜钧 ,  郑智龙 ,  黄柏智 ,  林艺民 ,  陈冠廷 ,  王仁珏 ,  庄智尧

IPC: H01J25/50 ,  H01J63/02 ,  H01L21/263

Abstract: 一种微波产生器、紫外光源，与基板处理方法，微波产生器包含核心组件、第一磁性元件、第二磁性元件以及散热件。核心组件包含第一电极元件与套接于第一电极元件的第二电极元件。第一磁性元件套接于第一电极元件，第二磁性元件套接于第一电极元件，并与第一磁性元件分开。第二电极元件位于第一磁性元件与第二磁性元件之间。散热件包含至少一散热鳍片，散热鳍片朝向第二磁性元件延伸。

公开(公告)号：CN114023813A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202110347256.X

申请日：2021-03-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈冠廷 ,  张书通 ,  李敏鸿

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体元件及其形成方法，该方法包括：在基板之上形成界面层；在界面层之上形成准反铁电层，其中形成准反铁电层包含执行原子层沉积(ALD)循环，且原子层沉积循环包括：执行第一子循环X次，其中第一子循环包含提供含Zr前驱物；执行第二子循环Y次，其中第二子循环包含提供含Hf前驱物；及执行第三子循环Z次，其中第三子循环包含提供含Zr前驱物，且其中X+Z为Y的至少三倍；及在准反铁电层之上形成栅极电极。

公开(公告)号：CN102646440B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201210033496.3

申请日：2012-02-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴经纬 ,  陈冠廷 ,  李政宏

IPC: G11C7/06

CPC classification number: G11C7/08 ,  G11C7/065

Abstract: 一种电路，包括：第一反相器，包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管；第二反相器，包括第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管；第一节点，连接至第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管的栅极以及第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管的漏极；第二节点，连接至第二PMOS晶体管的栅极和第二NMOS晶体管的栅极以及第一PMOS晶体管的漏极和第一NMOS晶体管的漏极；第一电容器，具有第一电容，连接至第一节点；以及第二电容器，具有第二电容，连接至第二节点，其中，第二电容大于第一电容。本发明还提出了一种非对称读出放大器设计。