公开(公告)号：CN113113326A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202010025322.7

申请日：2020-01-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨胜钧 ,  林艺民 ,  谢主翰 ,  李佳蓉 ,  郑智龙 ,  黄柏智

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种半导体制程机台，包含缓冲室、机器手臂、气流供应源、抽气系统以及多个腔室。缓冲室具有一缓冲室本体，其中缓冲室本体具有进气口、抽气口、一第一晶圆通道以及一第二晶圆通道，其中进气口邻近该第一晶圆通道，抽气口邻近该第二晶圆通道，其中该第一晶圆通道与该第二晶圆通道相对设置。机器手臂设置于缓冲室中。气流供应源连接进气口。抽气系统连接抽气口。多个腔室分别连接缓冲室的第一晶圆通道以及第二晶圆通道。

公开(公告)号：CN113113326B

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202010025322.7

申请日：2020-01-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨胜钧 ,  林艺民 ,  谢主翰 ,  李佳蓉 ,  郑智龙 ,  黄柏智

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种半导体制程机台，包含缓冲室、机器手臂、气流供应源、抽气系统以及多个腔室。缓冲室具有一缓冲室本体，其中缓冲室本体具有进气口、抽气口、一第一晶圆通道以及一第二晶圆通道，其中进气口邻近该第一晶圆通道，抽气口邻近该第二晶圆通道，其中该第一晶圆通道与该第二晶圆通道相对设置。机器手臂设置于缓冲室中。气流供应源连接进气口。抽气系统连接抽气口。多个腔室分别连接缓冲室的第一晶圆通道以及第二晶圆通道。

公开(公告)号：CN101567360B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200910133930.3

申请日：2009-04-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑新立 ,  李佳蓉 ,  侯锦珊 ,  陈伟铭

IPC: H01L23/525

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提出一种电致熔丝及其编程方法。一种电致熔丝，包括：在非掺杂和轻掺杂多晶硅层上的低层硅化物层，高层导电层，以及连接在低层硅化物层和高层导电层之间的钨接触孔。钨接触孔和硅化物层的颈部是电致熔丝的可编程部分。通过第一程序阶段消耗硅化物层内的硅化物，之后通过第二程序阶段消耗钨接触孔内的钨，得到高的编程后电阻。

公开(公告)号：CN101567360A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910133930.3

申请日：2009-04-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑新立 ,  李佳蓉 ,  侯锦珊 ,  陈伟铭

IPC: H01L23/525

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提出一种电致熔丝及其编程方法。一种电致熔丝，包括：在非掺杂和轻掺杂多晶硅层上的低层硅化物层，高层导电层，以及连接在低层硅化物层和高层导电层之间的钨接触孔。钨接触孔和硅化物层的颈部是电致熔丝的可编程部分。通过第一程序阶段消耗硅化物层内的硅化物，之后通过第二程序阶段消耗钨接触孔内的钨，得到高的编程后电阻。