公开(公告)号：CN114121599A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110777001.7

申请日：2021-07-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱立伟 ,  苏颖奇 ,  陈昱恺 ,  卢炜业 ,  陈泓旭 ,  张志维 ,  蔡明兴

IPC: H01L21/02

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置的保护方法。氟化铵气体可用于在预清洁蚀刻制程期间形成用于半导体装置的一或多个层间介电层、一或多个绝缘盖、及/或一或多个源极/漏极区的保护层。可在预清洁蚀刻制程期间通过过量供应三氟化氮来形成保护层。三氟化氮的过量供应导致氟化铵的形成增加，上述氟化铵具有厚的保护层覆盖(多个)层间介电层、(多个)绝缘盖、及/或(多个)源极/漏极区。保护层在预清洁制程期间保护(多个)层间介电层、(多个)绝缘盖、及/或(多个)源极/漏极区不被在预清洁制程期间形成的氟离子所蚀刻。

公开(公告)号：CN115394717A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202211159869.1

申请日：2016-10-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄俊贤 ,  李弘贸 ,  陈昱恺 ,  杨弦龙 ,  林威戎

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/768

Abstract: 本公开提供一种半导体装置的形成方法，包括：形成一源极/漏极特征于一基板之上；形成一介电层于源极/漏极特征之上；形成一接触沟槽穿过介电层以曝露源极/漏极特征；以一第一原子层沉积(ALD)工艺沉积一氮化钛(TiN)层于接触沟槽；以及沉积一钴层于接触沟槽中的TiN层之上。

公开(公告)号：CN110223954B

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN201810998352.9

申请日：2018-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢炜业 ,  张志维 ,  李弘贸 ,  黄俊贤 ,  黄昱明 ,  蔡彦明 ,  王毓萱 ,  陈泓旭 ,  陈昱恺 ,  郑宇彣

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/528 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明的实施例总体性地提供与包括阻挡层的导电部件相关的实例及其方法。在实施例中，在穿过介电层直至源极/漏极区的开口中沉积金属层。金属层沿着源极/漏极区并且沿着介电层的至少部分地限定开口的侧壁。氮化金属层包括实施包括至少一次方向依赖性的等离子体工艺的多次等离子体工艺。通过多次等离子体工艺使金属层的部分保持未被氮化。形成硅化物区，其包括使金属层的未氮化部分与源极/漏极区的部分反应。在位于金属层的氮化部分上的开口中设置导电材料。

公开(公告)号：CN107170706A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201610996710.3

申请日：2016-10-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄俊贤 ,  李弘贸 ,  陈昱恺 ,  杨弦龙 ,  林威戎

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/76895 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76889 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/76877

Abstract: 本公开提供一种半导体装置的形成方法，包括：形成一源极/漏极特征于一基板之上；形成一介电层于源极/漏极特征之上；形成一接触沟槽穿过介电层以曝露源极/漏极特征；以一第一原子层沉积(ALD)工艺沉积一氮化钛(TiN)层于接触沟槽；以及沉积一钴层于接触沟槽中的TiN层之上。

公开(公告)号：CN113889398A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202110782523.6

申请日：2021-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱立伟 ,  苏颖奇 ,  陈昱恺 ,  卢炜业 ,  陈泓旭 ,  张志维 ,  蔡明兴

IPC: H01L21/02

Abstract: 一种半导体装置的保护方法。氟化铵气体可用于在预清洁蚀刻制程期间形成用于半导体装置的一或多个层间介电层、一或多个绝缘盖、及/或一或多个源极/漏极区的保护层。可在预清洁蚀刻制程期间通过过量供应三氟化氮来形成保护层。三氟化氮的过量供应导致氟化铵的形成增加，上述氟化铵具有厚的保护层覆盖(多个)层间介电层、(多个)绝缘盖、及/或(多个)源极/漏极区。保护层在预清洁制程期间保护(多个)层间介电层、(多个)绝缘盖、及/或(多个)源极/漏极区不被在预清洁制程期间形成的氟离子所蚀刻。

公开(公告)号：CN110223954A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201810998352.9

申请日：2018-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢炜业 ,  张志维 ,  李弘贸 ,  黄俊贤 ,  黄昱明 ,  蔡彦明 ,  王毓萱 ,  陈泓旭 ,  陈昱恺 ,  郑宇彣

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/528 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明的实施例总体性地提供与包括阻挡层的导电部件相关的实例及其方法。在实施例中，在穿过介电层直至源极/漏极区的开口中沉积金属层。金属层沿着源极/漏极区并且沿着介电层的至少部分地限定开口的侧壁。氮化金属层包括实施包括至少一次方向依赖性的等离子体工艺的多次等离子体工艺。通过多次等离子体工艺使金属层的部分保持未被氮化。形成硅化物区，其包括使金属层的未氮化部分与源极/漏极区的部分反应。在位于金属层的氮化部分上的开口中设置导电材料。