公开(公告)号：CN113889398A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202110782523.6

申请日：2021-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱立伟 ,  苏颖奇 ,  陈昱恺 ,  卢炜业 ,  陈泓旭 ,  张志维 ,  蔡明兴

IPC: H01L21/02

Abstract: 一种半导体装置的保护方法。氟化铵气体可用于在预清洁蚀刻制程期间形成用于半导体装置的一或多个层间介电层、一或多个绝缘盖、及/或一或多个源极/漏极区的保护层。可在预清洁蚀刻制程期间通过过量供应三氟化氮来形成保护层。三氟化氮的过量供应导致氟化铵的形成增加，上述氟化铵具有厚的保护层覆盖(多个)层间介电层、(多个)绝缘盖、及/或(多个)源极/漏极区。保护层在预清洁制程期间保护(多个)层间介电层、(多个)绝缘盖、及/或(多个)源极/漏极区不被在预清洁制程期间形成的氟离子所蚀刻。

公开(公告)号：CN114121599A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110777001.7

申请日：2021-07-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱立伟 ,  苏颖奇 ,  陈昱恺 ,  卢炜业 ,  陈泓旭 ,  张志维 ,  蔡明兴

IPC: H01L21/02

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置的保护方法。氟化铵气体可用于在预清洁蚀刻制程期间形成用于半导体装置的一或多个层间介电层、一或多个绝缘盖、及/或一或多个源极/漏极区的保护层。可在预清洁蚀刻制程期间通过过量供应三氟化氮来形成保护层。三氟化氮的过量供应导致氟化铵的形成增加，上述氟化铵具有厚的保护层覆盖(多个)层间介电层、(多个)绝缘盖、及/或(多个)源极/漏极区。保护层在预清洁制程期间保护(多个)层间介电层、(多个)绝缘盖、及/或(多个)源极/漏极区不被在预清洁制程期间形成的氟离子所蚀刻。

公开(公告)号：CN110223953A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201810902633.X

申请日：2018-08-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李雅惠 ,  朱立伟 ,  廖祐祥 ,  黄鸿仪 ,  张志维 ,  苏庆煌

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种半导体装置的形成方法，包含形成介电堆叠于基底上方，并在介电堆叠中图案化接触区，接触区具有多个侧部及露出基底的底部。此方法亦包含形成介电阻障层于接触区中以覆盖这些侧部，以及形成导电阻挡层以覆盖介电阻障层、介电堆叠以及接触区的底部。此方法可包含形成导电层于导电阻挡层上方，以及形成导电阻障层于导电层上方。此方法还可包含形成硅化区于导电层下方的基底中。

公开(公告)号：CN110010456A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811384663.2

申请日：2018-11-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖佑祥 ,  李雅惠 ,  朱立伟 ,  聂君文 ,  黄鸿仪 ,  张志维 ,  苏庆煌

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768

Abstract: 本揭露涉及一种半导体结构的制造方法，其包括以下操作。在导电层上方形成牺牲层，其中所述牺牲层包括第一导电部分上方的第一牺牲部分以及第二导电部分上方的第二牺牲部分，且所述第一牺牲部分的第一厚度大于所述第二牺牲部分的第二厚度。去除所述牺牲层的所述第一牺牲部分和所述第二牺牲部分，以及导电层的所述第二导电部分，其中所述第一导电部分的至少一部分保持在沟槽的底部上方。