公开(公告)号：CN114121599A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110777001.7

申请日：2021-07-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱立伟 ,  苏颖奇 ,  陈昱恺 ,  卢炜业 ,  陈泓旭 ,  张志维 ,  蔡明兴

IPC: H01L21/02

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置的保护方法。氟化铵气体可用于在预清洁蚀刻制程期间形成用于半导体装置的一或多个层间介电层、一或多个绝缘盖、及/或一或多个源极/漏极区的保护层。可在预清洁蚀刻制程期间通过过量供应三氟化氮来形成保护层。三氟化氮的过量供应导致氟化铵的形成增加，上述氟化铵具有厚的保护层覆盖(多个)层间介电层、(多个)绝缘盖、及/或(多个)源极/漏极区。保护层在预清洁制程期间保护(多个)层间介电层、(多个)绝缘盖、及/或(多个)源极/漏极区不被在预清洁制程期间形成的氟离子所蚀刻。

公开(公告)号：CN113889398A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202110782523.6

申请日：2021-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱立伟 ,  苏颖奇 ,  陈昱恺 ,  卢炜业 ,  陈泓旭 ,  张志维 ,  蔡明兴

IPC: H01L21/02

Abstract: 一种半导体装置的保护方法。氟化铵气体可用于在预清洁蚀刻制程期间形成用于半导体装置的一或多个层间介电层、一或多个绝缘盖、及/或一或多个源极/漏极区的保护层。可在预清洁蚀刻制程期间通过过量供应三氟化氮来形成保护层。三氟化氮的过量供应导致氟化铵的形成增加，上述氟化铵具有厚的保护层覆盖(多个)层间介电层、(多个)绝缘盖、及/或(多个)源极/漏极区。保护层在预清洁制程期间保护(多个)层间介电层、(多个)绝缘盖、及/或(多个)源极/漏极区不被在预清洁制程期间形成的氟离子所蚀刻。