在微影曝光制程中产生光的方法及光源

    公开(公告)号:CN109799683A

    公开(公告)日:2019-05-24

    申请号:CN201810987706.X

    申请日:2018-08-28

    Abstract: 本公开部分实施例提供一种在一微影曝光制程中产生光的方法及光源。上述方法包括利用一燃料标靶产生器产生多个标靶。上述方法还包括测量标靶的一者通过在一移动路径上的两个检测位置的一时间。上述方法也包括利用一激光产生器激发一标靶,以产生发出光的等离子体。另外,上述方法包括当所测量的时间相异于一既定数值时,根据所测量的时间,调整燃料标靶产生器或激光产生器的至少一参数。

    集成芯片及其设计和制造方法

    公开(公告)号:CN113284886A

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN202110014641.2

    申请日:2021-01-06

    Abstract: 集成芯片的有源器件区上的多段线的阵列延伸,以在相邻的隔离区域上形成伪器件结构。所得的伪器件结构是具有与有源器件区上的多段线的阵列相同的线宽度、线间距和节距的多段线的阵列。伪器件结构的多段线与有源器件区上的多段线在网格上。由于伪器件结构由与有源器件区上的多段线在网格上的多段线形成,所以伪器件结构可以比可能的情况更接近有源器件区。伪器件结构与有源器件区的所得接近度提高了抗凹陷性能,并且减小集成芯片上的空白空间。本发明的实施例涉及集成芯片及其设计和制造方法。

    产生极紫外光辐射的装置

    公开(公告)号:CN110837209A

    公开(公告)日:2020-02-25

    申请号:CN201910760768.1

    申请日:2019-08-16

    Abstract: 一种产生极紫外光(Extreme Ultraviolet;EUV)辐射的装置,此装置包含液滴产生器、激发激光、能量侦测器与反馈控制器。液滴产生器是配置以产生目标液滴。激发激光是配置以使用激发脉冲加热此些目标液滴,以将目标液滴转换为电浆。当目标液滴转换为电浆时,能量侦测器是配置以量测极紫外光能量中所产生的变化。反馈控制器是配置以基于极紫外光能量中的变化来调整液滴产生器及/或激发激光的参数。

    极紫外线辐射源模块
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109839804A

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201810966772.9

    申请日:2018-08-23

    Abstract: 一种极紫外线辐射源模块,包含一目标液滴产生器,配置于产生复数个目标液滴;一第一激光光源,配置于产生复数个第一激光脉冲,第一激光脉冲加热目标液滴以产生复数个目标云雾团;一第二激光光源,配置于产生复数个第二激光脉冲,第二激光脉冲加热目标云雾团以产生一等离子体发射极紫外线辐射;一第三和激光光源及一第四激光光源,分别配置于产生一第一激光光束和一第二激光光束,第一激光光束和一第二激光光束被引导至目标云雾团的一行进路径上,且第一激光光束和一第二激光光束基本上平行;以及一监视器,配置于接收由目标云雾团反射的第一激光光束和一第二激光光束。

    半导体结构
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114864596A

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202210306474.3

    申请日:2022-03-25

    Abstract: 本公开提出一种半导体结构。半导体结构包括基板,其具有分别为第一与第二导电型态的第一与第二井区。第一与第二井区在俯视图中沿着第一方向纵向延伸,第一与第二井区各自包括沿着垂直于第一方向的第二方向凸起的凸起部分与沿着第二方向凹陷的凹陷部分。第一井区的凸起部分嵌入第二井区的凹陷部分,反之亦然。第一源极/漏极结构位于第一井区的凸起部分上、第二源极/漏极结构位于第二井区上、第三源极/漏极结构位于第二井区的凸起部分上、以及第四源极/漏极结构位于第一井区上。第一与第二源极/漏极结构为第一导电型态。第三与第四源极/漏极结构为第二导电型态。

    在微影曝光制程中产生光的方法及光源

    公开(公告)号:CN109799683B

    公开(公告)日:2022-05-03

    申请号:CN201810987706.X

    申请日:2018-08-28

    Abstract: 本公开部分实施例提供一种在一微影曝光制程中产生光的方法及光源。上述方法包括利用一燃料标靶产生器产生多个标靶。上述方法还包括测量标靶的一者通过在一移动路径上的两个检测位置的一时间。上述方法也包括利用一激光产生器激发一标靶,以产生发出光的等离子体。另外,上述方法包括当所测量的时间相异于一既定数值时,根据所测量的时间,调整燃料标靶产生器或激光产生器的至少一参数。

    产生极紫外辐射的装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110837206A

    公开(公告)日:2020-02-25

    申请号:CN201910758158.8

    申请日:2019-08-16

    Abstract: 一种产生极紫外(EXTREME ULTRAVIOLET;EUV)辐射的装置,其包含液滴产生器、激发激光源、能量检测器以及回授控制器。液滴产生器是配置以产生目标液滴。激发激光源是配置以产生预脉冲和主脉冲,以通过加热来将目标液滴转换为电浆。能量检测器是配置以量测当目标液滴被转换为电浆时所产生的极紫外能量的偏差。回授控制器是配置以基于极紫外能量的偏差来调整透过激发激光源所产生的后续预脉冲和主脉冲间的时间延迟,极紫外能量的偏差是透过给定主脉冲来产生。

    极紫外线辐射源模块
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119758679A

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202510183754.3

    申请日:2018-08-23

    Abstract: 一种极紫外线辐射源模块,包含一目标液滴产生器,配置于产生复数个目标液滴;一第一激光光源,配置于产生复数个第一激光脉冲,第一激光脉冲加热目标液滴以产生复数个目标云雾团;一第二激光光源,配置于产生复数个第二激光脉冲,第二激光脉冲加热目标云雾团以产生一等离子体发射极紫外线辐射;一第三和激光光源及一第四激光光源,分别配置于产生一第一激光光束和一第二激光光束,第一激光光束和一第二激光光束被引导至目标云雾团的一行进路径上,且第一激光光束和一第二激光光束基本上平行;以及一监视器,配置于接收由目标云雾团反射的第一激光光束和一第二激光光束。

    集成芯片及其设计和制造方法

    公开(公告)号:CN113284886B

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202110014641.2

    申请日:2021-01-06

    Abstract: 集成芯片的有源器件区上的多段线的阵列延伸,以在相邻的隔离区域上形成伪器件结构。所得的伪器件结构是具有与有源器件区上的多段线的阵列相同的线宽度、线间距和节距的多段线的阵列。伪器件结构的多段线与有源器件区上的多段线在网格上。由于伪器件结构由与有源器件区上的多段线在网格上的多段线形成,所以伪器件结构可以比可能的情况更接近有源器件区。伪器件结构与有源器件区的所得接近度提高了抗凹陷性能,并且减小集成芯片上的空白空间。本发明的实施例涉及集成芯片及其设计和制造方法。

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