公开(公告)号：CN113759669B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202110789100.7

申请日：2021-07-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴政轩 ,  蔡明训 ,  简上傑 ,  陈立锐 ,  刘恒信

IPC: G03F7/20

Abstract: 本揭露描述了一种颗粒去除装置，以及使用这种装置的方法。该装置包括具有主体的手持模块。主体中形成有一或多个第一通道及一或多个第二通道。主体包括喷嘴，并且手持模块用以通过喷嘴提供抽吸并通过喷嘴注入电离液流。主体进一步包括附接至喷嘴的手柄。

公开(公告)号：CN109324062B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN201810709621.5

申请日：2018-07-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张俊霖 ,  简上杰 ,  吴尚颖 ,  郑力凯 ,  傅中其 ,  刘柏村 ,  陈立锐 ,  郑博中 ,  严涛南 ,  陈家桢

IPC: G01N21/90

Abstract: 本公开提供用于直接检查极紫外光容器的整个内部的单次拍摄测量。可提供包括与极紫外光容器整合的检查工具的一极紫外光容器。在检查过程中，检查工具移入极紫外光容器的主要聚焦区域。当检查工具是设置在主要聚焦区域，并且当通过一照明器向极紫外光容器的内部提供一实质地均匀且恒定的照明度时，极紫外光容器的内部的一全景影像可以通过检查工具的一单次拍摄来获取。之后，极紫外光容器中的多个元件上的锡污染程度可以基于极紫外光容器的内部的全景影像来量化。所量化的污染程度可以与一关键绩效指标做比较，并且可以实行一失控行动计划。

公开(公告)号：CN116382038A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310093587.4

申请日：2023-02-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈泰佑 ,  潘子融 ,  陈冠宏 ,  余昇刚 ,  简上杰 ,  陈立锐 ,  刘恒信

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明提供了用于极紫外(EUV)光刻系统的方法，该极紫外光刻系统包括具有激光器件的辐射源，该激光器件配置有用以产生EUV辐射的机构。该方法包括：以3维(3D)模式收集来自激光器件的激光束的激光束轮廓；以3D模式收集由激光束产生的EUV辐射的EUV能量分布；对激光束轮廓和EUV能量分布实施分析，获得分析数据；以及根据分析数据调节辐射源，以增强EUV辐射。本发明的实施例还提供了极紫外(EUV)光刻系统。

公开(公告)号：CN115524934A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210399898.9

申请日：2022-04-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 孙于洸 ,  蔡明训 ,  陈宇桓 ,  程薇心 ,  赖政豪 ,  陈鑫封 ,  郑乔华 ,  吴政轩 ,  罗煜发 ,  简上傑 ,  陈立锐 ,  刘恒信

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种操作极紫外光微影系统的方法，微影系统利用锡滴产生用于微影的极紫外辐射。微影系统用激光照射液滴。液滴经激励且发出极紫外辐射。收集器将极紫外辐射反射至微影靶。微影系统将液滴源与氧化剂隔离以防止喷嘴氧化或在喷嘴上形成金属氧化物，这两者皆会不利地影响喷嘴产生足够量的液滴及/或将液滴引导至所需方向的能力。

公开(公告)号：CN115524930A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210161469.8

申请日：2022-02-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 塗时雨 ,  王绍华 ,  刘彦豪 ,  郭爵旗 ,  陈立锐 ,  刘恒信

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种微影系统的清洁方法与微影系统的清洁系统，在微影系统的清洁方法中，在闲置模式期间，经由第一开口将空气流引导至极紫外微影系统的晶圆台的腔室中。利用所引导的空气流从晶圆台的腔室中的一或多个晶圆卡盘的表面抽取一或多个微粒。经由第二开口将空气流与所抽取的一或多个微粒抽出晶圆台的腔室。

公开(公告)号：CN115524929A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210112285.2

申请日：2022-01-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡政宏 ,  余昇刚 ,  简上傑 ,  刘恒信 ,  陈立锐

IPC: G03F7/20 ,  H05G2/00

Abstract: 一种极紫外光源设备及其操作方法，极紫外光源设备包括金属液滴产生器、收集器反射镜、用于接收激发激光的激发激光入口、用以反射穿过激发区域的激发激光的第一反射镜，及用以反射由第一反射镜反射的激发激光的第二反射镜。

公开(公告)号：CN115524920A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210282260.7

申请日：2022-03-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦勳 ,  陈亦镇 ,  叶展宏 ,  张汉龙 ,  傅中其 ,  陈立锐

IPC: G03F1/66 ,  G03F7/20

Abstract: 一种倍缩光罩载体及其操作的方法，倍缩光罩载体用以快速放电倍缩光罩上的剩余电荷，以防止倍缩光罩载体中的粒子吸附至或转移至倍缩光罩。倍缩光罩载体可用以在倍缩光罩载体的内底板与倍缩光罩之间提供减小的电容。电容的减小可减小用于放电倍缩光罩上剩余电荷的电阻电容(RC)时间常数，这可提高经由倍缩光罩载体的支撑销放电剩余电荷的放电速度。放电速度的提高可降低倍缩光罩载体中的静电力将倍缩光罩载体中的粒子吸附至倍缩光罩的可能性。这可减少转移至基板的使用倍缩光罩来图案化的图案缺陷，可提高半导体装置制造品质及产率。

公开(公告)号：CN115016226A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202110820401.1

申请日：2021-07-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  许倍诚 ,  连大成 ,  陈立锐 ,  高蔡胜 ,  林进祥

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/22

Abstract: 一种薄膜组件和倍缩光罩组件的形成方法以及薄膜膜状物，形成薄膜组件的方法包括减少一或多个初始膜状物的厚度以获得薄膜膜状物。接着将薄膜膜状物固定至安装框架以获得薄膜组件。可施加压缩压力以减少初始膜状物的厚度。可替代的是，通过拉伸初始膜状物来减少厚度以获得经延伸膜状物。接着将安装框架固定至经延伸膜状物的一部分。接着将安装框架及经延伸膜状物的此部分与经延伸膜状物的其余部分分离，以获得薄膜组件。所得薄膜组件包括附接至安装框架的薄膜膜状物。薄膜膜状物可由纳米管形成且具有高透射率、低偏转及小微孔尺寸的组合。

公开(公告)号：CN114975088A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210100725.2

申请日：2022-01-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宇桓 ,  黄昱智 ,  彭彦安 ,  简上傑 ,  陈立锐 ,  刘恒信

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

Abstract: 一种晶圆台的操作方法，包含将晶圆台移动到微影腔室的桌体上的第一站；将晶圆放置在晶圆台的顶面上；从第一激光发射器向晶圆台的第一侧壁上的第一分光镜发射第一激光，其中第一激光的第一部分被第一分光镜反射以形成第一反射激光，而第一激光的第二部分穿过第一分光镜以形成第一穿透激光；根据第一反射激光计算晶圆台在第一轴上的位置；在计算出晶圆台的位置后，将晶圆台移动到桌体上的第二站；以及当晶圆台位于第二站时，对晶圆进行微影制程。

公开(公告)号：CN114967359A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210282272.X

申请日：2022-03-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡政宏 ,  余昇刚 ,  简上傑 ,  刘恒信 ,  陈立锐

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种极紫外光刻设备及其方法，光刻设备的来源容器内收集导片的碎屑的微波加热用于实现均匀的温度分布，以减少在导片的内外表面上的落下污染和堵塞物的形成。