公开(公告)号：CN106057784B

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201510769800.4

申请日：2015-11-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭俊聪 ,  卢玠甫 ,  苏彦硕

IPC: H01L23/64

Abstract: 本发明提供了一种形成半导体器件的方法，方法包括在位于衬底上方的第一介电层中形成下线圈片段，在下线圈片段和第一介电层上方形成第二介电层，各向异性蚀刻第二介电层的顶部以在下线圈片段上方形成开口，在开口中沉积磁性材料以形成磁芯，在磁芯和第二介电层上方形成第三介电层，形成延伸穿过第二介电层和第三介电层的通孔，以及在形成通孔之后，在第三介电层和磁芯上方形成上线圈片段，其中，通孔将上线圈片段和下线圈片段连接。本发明实施例涉及集成磁芯感应器及其制造方法。

公开(公告)号：CN114967357A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210115812.5

申请日：2022-02-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张凯傑 ,  许哲彰 ,  苏彦硕 ,  张俊霖 ,  何开发 ,  陈立锐 ,  刘恒信

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种极紫外光曝光工具及其操作方法，曝光工具配置以移除污染物及/或防止在曝光工具中包括的镜子及/或其它光学部件的污染。在一些实施中，曝光工具配置以使用加热气体(诸如臭氧(O3)或超净干燥空气(extra clean dry air；XCDA)，以及其他实例)从照明器、投影光学盒、及/或曝光工具的一或多个其他子系统冲洗及/或以其他方式移除污染物。在一些实施中，曝光工具配置以提供包括氢气(H2)或另一类型的气体的气帘(或气体壁)以降低污染物到达曝光工具中包括的镜子的可能性。以此方式，镜子及曝光工具的一或多个其他部件经清洗并且维持在干净环境中，其中控制吸收辐射的污染物以增加曝光工具的效能。

公开(公告)号：CN114690572A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011592548.1

申请日：2020-12-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏彦硕 ,  谢佳颖 ,  陈彦勳 ,  叶承翰 ,  张汉龙 ,  傅中其 ,  刘恒信 ,  陈立锐

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种极紫外光设备与其运作方法，极紫外光设备包括腔室、极紫外光源以及自由基源。极紫外光源设置向腔室内发射出极紫外光束。自由基源位于腔室内并邻近于极紫外光束通过的路径上。自由基源设置以向路径发射多个自由基。

公开(公告)号：CN110662334A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910572420.X

申请日：2019-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏彦硕 ,  张俊霖 ,  张汉龙 ,  陈立锐 ,  郑博中

IPC: H05G2/00 ,  G03F7/20

Abstract: 一种极紫外光辐射源装置包含收集器镜、为产生锡滴的靶材滴产生器、可旋转残屑收集元件、为产生感应耦合电浆的一或多个线圈、为提供用于感应耦合电浆的来源气体的气体入口、以及至少包围收集器镜与可旋转残屑收集元件的腔室。配置气体入口与前述一或多个线圈以致感应耦合电浆与收集器镜间隔设置。

公开(公告)号：CN115524928A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210094388.0

申请日：2022-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 严治平 ,  苏彦硕 ,  谢劼 ,  简上傑 ,  张俊霖 ,  陈立锐 ,  刘恒信

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种用于极紫外微影术的装置及其操作方法与极紫外微影方法，在微影装置的直接焦点附近提供超音波气体喷射头，以便使由微影制程产生的锡碎屑远离扫描仪侧且朝向碎屑收集器件偏转。气体喷射头可以定位在各种有用的定向上，具有可调的气流速度及气体密度，以便防止多至近100％的锡碎屑迁移至扫描仪侧上的倍缩光罩。

公开(公告)号：CN105932013B

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201610104389.3

申请日：2016-02-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏彦硕 ,  郭俊聪 ,  卢玠甫

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/02

Abstract: 磁芯包括具有基本均匀厚度的中心部分和连接至中心部分并且围绕中心部分的边缘部分。边缘部分包括底部和设置在底部上的顶部，其中，底部具有平缓的侧表面，而顶部具有陡的侧表面。磁芯的轮廓可以更像矩形，从而提供更好的电感器性能。本发明的实施例还涉及磁芯、电感器和制造磁芯的方法。

公开(公告)号：CN105932013A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610104389.3

申请日：2016-02-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏彦硕 ,  郭俊聪 ,  卢玠甫

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01F17/0033 ,  H01F41/046

Abstract: 磁芯包括具有基本均匀厚度的中心部分和连接至中心部分并且围绕中心部分的边缘部分。边缘部分包括底部和设置在底部上的顶部，其中，底部具有平缓的侧表面，而顶部具有陡的侧表面。磁芯的轮廓可以更像矩形，从而提供更好的电感器性能。本发明的实施例还涉及磁芯、电感器和制造磁芯的方法。

公开(公告)号：CN115524933A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210378980.3

申请日：2022-04-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 严治平 ,  苏彦硕 ,  吴瑞彬 ,  张俊霖 ,  张汉龙 ,  刘恒信

IPC: G03F7/20 ,  H01S3/036

Abstract: 一种用于制造半导体的设备和用于保持激光功率及降低激光功率衰减的方法用以防止观测到的功率放大器的长期能量衰减并且相应地延长采用这些功率放大器的二氧化碳激光的使用寿命，在操作或周期性维护期间自外部管线供应掺杂氢气的混合气体，以便高效地移除随时间推移在设置于功率放大器内的催化剂的表面上堆积的固体污染物。

公开(公告)号：CN113391523A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110203702.X

申请日：2021-02-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑定亚 ,  张汉龙 ,  单师涵 ,  陈立锐 ,  苏彦硕

IPC: G03F7/20

Abstract: 揭示了一种光微影系统控制方法、其设备及非暂时性计算机可读取媒体，控制极紫外光微影系统的方法包括：利用EUV辐射照射目标液滴，侦测目标液滴反射的EUV辐射，决定侦测到的EUV辐射像差，决定对应于像差的泽尼克多项式，以及执行校正动作以减少泽尼克多项式的泽尼克系数的偏移。

公开(公告)号：CN111103766A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201911038537.6

申请日：2019-10-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏彦硕 ,  叶人豪 ,  叶展宏 ,  郑定亚 ,  童宇轩 ,  张俊霖 ,  张汉龙 ,  陈立锐 ,  郑博中

IPC: G03F7/20

Abstract: 本揭露是关于一种极紫外线微影方法。一种用于监控极紫外线光源中的冲击波的方法包括在极紫外线微影工具的极紫外线光源设备中用离子化辐射照射液滴，以产生电浆及侦测由电浆产生的冲击波。基于所侦测到的冲击波来调节极紫外线光源的一或多个操作参数。