公开(公告)号：CN105810738B

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201610023757.1

申请日：2016-01-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游承谚 ,  张哲诚 ,  程潼文 ,  张哲豪 ,  杨柏峰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/165

Abstract: 用于制造半导体器件的方法包括在衬底上方形成鳍结构。形成隔离绝缘层，使得鳍结构的上部突出于隔离绝缘层。在部分鳍结构上方形成栅极结构。在鳍结构的两侧处的隔离绝缘层中形成凹槽。在未由栅极结构覆盖的部分鳍结构中形成凹槽。鳍结构中的凹槽和隔离绝缘层中的凹槽形成为使得从隔离绝缘层的最上表面测量的鳍结构中的凹槽的深度D1和隔离绝缘层中的凹槽的深度D2满足0≤D1≤D2(但是D1和D2不同时为0)。本发明的实施例还涉及半导体器件。

公开(公告)号：CN106531803A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610627370.7

申请日：2016-08-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 程潼文 ,  张哲诚 ,  林木沧 ,  杨柏峰 ,  游承谚

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/1029

Abstract: 本发明涉及一种通过在邻近沟道区的凹槽中形成介电材料来控制沟道区上的应变的半导体器件，以为了提供对形成在凹槽内的外延源极/漏极区的应变诱导材料的体积和形状的控制。在一些实施例中，半导体器件具有布置在半导体本体的位于沟道区的相对两侧上的上表面内的凹槽中的外延源极/漏极区。栅极结构布置在沟道区上方，并且介电材料横向布置在外延源极/漏极区和沟道区之间。介电材料消耗凹槽的一些体积，从而减少形成在凹槽中的外延源极/漏极区中的应变诱导材料的体积。本发明实施例涉及通过凹槽轮廓控制的增强的体积控制。

公开(公告)号：CN113053819A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202110156114.5

申请日：2021-02-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游承谚 ,  巫柏奇 ,  赖岳军

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 一种制造半导体装置的方法及其装置，在一种制造包括Fin FET的半导体装置的方法中，在基板上形成在第一方向上延伸的鳍片结构。在基板上形成隔离绝缘层以使得鳍片结构的上部部分自隔离绝缘层暴露。在鳍片结构的一部分上形成在与第一方向交叉的第二方向上延伸的栅极结构。在鳍片结构的源极/漏极区域的侧壁上形成鳍片遮罩层。使鳍片结构的源极/漏极区域凹陷。在凹陷的鳍片结构上形成磊晶源极/漏极结构。在使鳍片结构的源极/漏极区域凹陷中，使用组合蚀刻及沉积制程的电浆制程在沿第二方向的横截面中形成具有圆角形状的凹槽。

公开(公告)号：CN105810738A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610023757.1

申请日：2016-01-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游承谚 ,  张哲诚 ,  程潼文 ,  张哲豪 ,  杨柏峰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/165

Abstract: 用于制造半导体器件的方法包括在衬底上方形成鳍结构。形成隔离绝缘层，使得鳍结构的上部突出于隔离绝缘层。在部分鳍结构上方形成栅极结构。在鳍结构的两侧处的隔离绝缘层中形成凹槽。在未由栅极结构覆盖的部分鳍结构中形成凹槽。鳍结构中的凹槽和隔离绝缘层中的凹槽形成为使得从隔离绝缘层的最上表面测量的鳍结构中的凹槽的深度D1和隔离绝缘层中的凹槽的深度D2满足0≤D1≤D2(但是D1和D2不同时为0)。本发明的实施例还涉及半导体器件。