公开(公告)号：CN100419129C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200510063997.6

申请日：2005-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 石健学 ,  蔡明兴

IPC: C25D3/38

CPC classification number: C25D3/38 ,  C25D3/02 ,  H01L21/2885

Abstract: 本发明涉及一种铜电镀的电解液，该电解液中的组合物是有机混合物，包括有机酸，及低分子量非离子聚合物。该电解液的使用方法包括在电解质溶液内悬浮一层此组合物；以及将待电镀表面通过此组合物悬浮层以确定一湿润层于待电镀表面上。然后，被电镀至待电镀表面上的金属，其实质上并无凹洞或其它结构性缺陷存在。在电镀一金属层，例如铜的材料层至一待电镀表面时，可实质上促进电化学电镀电解液对该待电镀表面的湿润性。

公开(公告)号：CN100371502C

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200510008770.1

申请日：2005-02-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 石健学 ,  眭晓林

IPC: C25D3/02 ,  C25D3/38 ,  H01L21/288 ,  H01L21/445

CPC classification number: C25D3/38 ,  C25D3/02

Abstract: 本发明涉及一种电化学电镀电解液及在电镀表面电镀金属的方法。该电化学电镀电解液中含有一聚合添加物，其包含具有芳香族与芳香胺官能基单体的低正电荷密度共聚物，该低正电荷密度聚合物包括苯或吡咯烷酮官能基单体及咪唑或咪唑衍生物官能基单体。使用该聚合物的该方法可在最佳沟填能力下减少电镀金属上金属的过度覆盖。

公开(公告)号：CN1797763A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200510109049.1

申请日：2005-10-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏鸿文 ,  石健学 ,  蔡明兴 ,  眭晓林 ,  余振华

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76865 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种集成电路及其制造方法。所述集成电路包括一导电层于一介电层中的一沟槽中，以及一渐层顶盖层于该导电层上，其中该渐层顶盖层包括一渐层的金属合金，于邻近该导电层的浓度大于或等于95at％钴、镍、或上述的组合以及于该导电层相对端的浓度小于或等于95at％钴、镍、或上述的组合。本发明提供一种顶盖层、胶着层、保护/阻障层、或渐层顶盖层于集成电路中的导电层上，其与导电层间具良好粘着性质且能阻障导电层扩散进入层间介电层，以改善集成电路的电性如电阻率及导电性。

公开(公告)号：CN101075578B

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200710103954.5

申请日：2007-05-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 石健学 ,  蔡明兴 ,  余振华 ,  叶名世

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76883

Abstract: 本发明涉及一种集成电路，包括低介电常数层在半导体基底上方，低介电常数层中有第一开口，以及第一开口内有第一扩散阻挡层覆盖第一开口内的低介电常数层，其中第一扩散阻挡层的底部部分连接至侧壁部分，且其中侧壁部分的表面接近低介电常数层的表面。该集成电路还包括填充于第一开口的导线，该导线的表面低于扩散阻挡层的侧壁部分的表面；以及金属盖在导线上，且只在直接位于导线上方的区域内。

公开(公告)号：CN100399563C

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200510112677.5

申请日：2005-10-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 石健学 ,  蔡明兴 ,  苏鸿文 ,  眭晓林

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05176 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05676 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48757 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48769 ,  H01L2224/48781 ,  H01L2224/48784 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48857 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/48881 ,  H01L2224/48884 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00011

Abstract: 本发明提供一种半导体元件，其包括：一具有开口的介电层；一铜基第一金属层，填满该介电层的该开口并具有一上表面；以及一第一导电性高分子，覆盖该铜基第一金属层的该上表面。本发明还提供一种半导体元件，其包括：一铜基金属层，埋设于一介电层并具有一上表面；一导电性高分子，覆盖该铜基金属层的该上表面；以及一铝基金属垫，设置于该导电性高分子上。该导电性高分子夹置于两金属层间，可作为粘着层，阻挡层或活化晶种层。该导电性高分子可包覆铜连线结构以避免铜扩散至其上层，以及增加铜与其上层的附着力。

公开(公告)号：CN101075578A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200710103954.5

申请日：2007-05-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 石健学 ,  蔡明兴 ,  余振华 ,  叶名世

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76883

Abstract: 本发明涉及一种集成电路，包括低介电常数层在半导体基底上方，低介电常数层中有第一开口，以及第一开口内有第一扩散阻挡层覆盖第一开口内的低介电常数层，其中第一扩散阻挡层的底部部分连接至侧壁部分，且其中侧壁部分的表面接近低介电常数层的表面。该集成电路还包括填充于第一开口的导线，该导线的表面低于扩散阻挡层的侧壁部分的表面；以及金属盖在导线上，且只在直接位于导线上方的区域内。

公开(公告)号：CN1690253A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510063997.6

申请日：2005-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 石健学 ,  蔡明兴

IPC: C25D3/38

CPC classification number: C25D3/38 ,  C25D3/02 ,  H01L21/2885

Abstract: 本发明涉及一种铜电镀的电解液，该电解液中的组合物是有机混合物，包括有机酸，及低分子量非离子聚合物。该电解液的使用方法包括在电解质溶液内悬浮一层此组合物；以及将待电镀表面通过此组合物悬浮层以确定一湿润层于待电镀表面上。然后，被电镀至待电镀表面上的金属，其实质上并无凹洞或其它结构性缺陷存在。在电镀一金属层，例如铜的材料层至一待电镀表面时，可实质上促进电化学电镀电解液对该待电镀表面的湿润性。

公开(公告)号：CN1680629A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200510053631.0

申请日：2005-03-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 石健学 ,  蔡明兴 ,  眭晓林

IPC: C25D3/38

CPC classification number: C25D3/38

Abstract: 本发明提供一种化学组成及方法，是一种用于铜电镀的电解液及将金属电镀至电镀表面的方法，本发明的化学成分组成包含有一抑制添加剂，该抑制添加剂为一共聚物，并包含有不同比例的环氧乙烷与环氧丙烷的单体分子，可以用来改善电镀浴溶液在电镀表面上的湿润度，而电镀浴溶液在电镀表面上具有适当的湿润度则可使受镀金属表面的凹洞及其它结构性缺陷大致上消失，并可强化其填隙能力。

公开(公告)号：CN100517610C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200610004718.3

申请日：2006-01-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 石健学 ,  苏鸿文 ,  蔡明兴

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C11D7/08 ,  C11D7/265 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685

Abstract: 本发明涉及一种半导体元件的处理方法以及半导体元件的形成方法，主要是在保护层形成于导电部分之前，先以溶液处理该导电部分的顶部表面，其中该溶液包括：清洁剂以及化学接枝前驱物。溶液中可包括整平湿润剂，用来改善该化学接枝前驱物覆盖的均匀度。上述的处理方法能使保护层均匀地覆盖在导体部分上。

公开(公告)号：CN101286495A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200710165741.5

申请日：2007-11-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 石健学 ,  睦晓林

IPC: H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76844 ,  H01L21/288

Abstract: 一种半导体元件及用于半导体元件的内连接。在一实施例中，一介电层形成于一基底上，其中介电层中形成有一凹槽。一有机层形成于凹槽的侧壁上。一催化金属层形成于有机层上。一阻障金属层形成于催化金属层上。