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公开(公告)号：CN110444482B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201910131889.X
申请日：2019-02-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/488
Abstract: 本发明实施例提供一种用于将垂直取向的组件的顶部电极耦合到衬底的高高宽比通孔，其中组件的顶部电极通过导电桥接件耦合到通孔，且其中组件的底部电极耦合到衬底。一些实施例通过组件晶片来安装组件且在将组件安装到衬底的同时将组件分离。一些实施例将各别的组件安装到衬底。
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公开(公告)号：CN110690642A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910211329.5
申请日：2019-03-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在实施例中，器件包括第一反射结构，包括半导体材料的第一掺杂层，交替的第一掺杂层中掺杂有p型掺杂剂；第二反射结构，包括半导体材料的第二掺杂层，交替的第二掺杂层中掺杂有n型掺杂剂；发射半导体区域，设置在第一反射结构和第二反射结构之间；在第二反射结构上的接触焊盘，接触焊盘的功函数小于第二反射结构的功函数；在接触焊盘上的接合层，接合层的功函数大于第二反射结构的功函数；以及在接合层上的导电连接器。本发明实施例涉及半导体器件和方法。
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公开(公告)号：CN110660751A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910293383.9
申请日：2019-04-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/56
Abstract: 一种芯片封装件，包括集成电路组件、导热层、绝缘包封体及重布线路结构。所述集成电路组件包括位于所述集成电路组件的后表面处的非晶半导体部分。所述导热层覆盖所述集成电路组件的所述非晶半导体部分，其中所述导热层的导热率大于或大体上等于10W/mK。所述绝缘包封体在横向上对所述集成电路组件及所述导热层进行包封。所述重布线路结构设置在所述绝缘包封体及所述集成电路组件上，其中所述重布线路结构电连接到所述集成电路组件。
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公开(公告)号：CN109786350A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201810584283.7
申请日：2018-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , H01L25/18
Abstract: 在实施例中，一种器件包括：集成电路管芯；位于集成电路管芯上方的第一介电层；延伸穿过第一介电层以电连接至集成电路管芯的第一金属化图案；位于第一金属化图案上方的第二介电层；延伸穿过第二介电层的凸块下金属；位于二介电层和凸块下金属的部分上方的第三介电层；密封第三介电层和凸块下金属的界面的导电环；以及延伸穿过导电环的中心的导电连接件，导电连接件电连接至凸块下金属。本发明的实施例还涉及半导体封装件和方法。
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公开(公告)号：CN109103150A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201710684019.6
申请日：2017-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露实施例公开集成扇出式封装及其形成方法。一种集成扇出式封装包括：第一管芯、至少一个集成扇出式穿孔以及模制层。所述至少一个集成扇出式穿孔位于所述第一管芯旁边，且包括晶种层及金属层。所述模制层包封所述至少一个集成扇出式穿孔及所述第一管芯。此外，所述晶种层环绕所述金属层的侧壁，且位于所述金属层与所述模制层之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101515562A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200810133037.6
申请日：2008-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/76807 , H01L21/76831 , H01L21/76844 , H01L21/76864 , H01L21/76867 , H01L21/76873 , H01L23/53238 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是有关于一种形成集成电路的方法，其至少包括以下步骤：提供一半导体基材；形成一介电层于该半导体基材上；形成一开口于该介电层中；形成一铜合金晶种层于该开口中，其中该铜合金晶种层完全接触该介电层，且其中该铜合金晶种层至少包括有一铜及一合金材料；填充一金属材料于该开口中且覆盖于该铜合金晶种层上；执行一平坦化步骤，以移除覆盖在该介电层上的多余的该金属材料；以及执行一热退火步骤，以将该铜合金晶种层中的该合金材料由该铜中分离。本发明使受到改善而厚度减低的扩散阻障层，以及沟渠开口与介层窗开口有较佳的间隙填充。
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公开(公告)号：CN115274469A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210868282.1
申请日：2018-07-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 方法包括将第一管芯和第二管芯附接至载体；在第一管芯和第二管芯之间形成模塑料；以及在第一管芯、第二管芯和模塑料上方形成再分布结构，再分布结构包括第一再分布区域；第二再分布区域；以及位于第一再分布区域和第二再分布区域之间的切割区域。该方法还包括在切割区域中形成第一开口和第二开口，第一开口和第二开口延伸穿过再分布结构并且暴露模塑料；以及从模塑料的第二侧朝向模塑料的第一侧通过切割穿过模塑料的与切割区域对准的部分来分离第一管芯和第二管芯，第二侧与第一侧相对。本发明实施例涉及集成扇出封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN110690642B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201910211329.5
申请日：2019-03-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01S5/028 , H01S5/042 , H01S5/02 , H01S5/026 , H01S5/0234 , H01S5/02345 , H01S5/0237 , H01S5/323 , H01L33/38 , H01L33/46
Abstract: 在实施例中，器件包括第一反射结构，包括半导体材料的第一掺杂层，交替的第一掺杂层中掺杂有p型掺杂剂；第二反射结构，包括半导体材料的第二掺杂层，交替的第二掺杂层中掺杂有n型掺杂剂；发射半导体区域，设置在第一反射结构和第二反射结构之间；在第二反射结构上的接触焊盘，接触焊盘的功函数小于第二反射结构的功函数；在接触焊盘上的接合层，接合层的功函数大于第二反射结构的功函数；以及在接合层上的导电连接器。本发明实施例涉及半导体器件和方法。
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公开(公告)号：CN109786350B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201810584283.7
申请日：2018-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , H01L25/18
Abstract: 在实施例中，一种器件包括：集成电路管芯；位于集成电路管芯上方的第一介电层；延伸穿过第一介电层以电连接至集成电路管芯的第一金属化图案；位于第一金属化图案上方的第二介电层；延伸穿过第二介电层的凸块下金属；位于二介电层和凸块下金属的部分上方的第三介电层；密封第三介电层和凸块下金属的界面的导电环；以及延伸穿过导电环的中心的导电连接件，导电连接件电连接至凸块下金属。本发明的实施例还涉及半导体封装件和方法。
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公开(公告)号：CN112242367A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010686308.1
申请日：2020-07-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L23/528 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L25/16
Abstract: 封装件结构包括桥式管芯。桥式管芯包括半导体衬底；以及位于半导体衬底上方的互连结构。互连结构包括介电层和位于介电层中的导线，将桥式管芯密封在其中的密封剂，以及位于桥式管芯上方的再分布结构。再分布结构中包括再分布线。第一封装组件和第二封装组件接合至再分布线。第一封装组件和第二封装组件通过再分布线和桥式管芯电互连。本发明的实施例还涉及形成封装件结构的方法。
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