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公开(公告)号：CN112420536A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010848383.3
申请日：2020-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 此处提供半导体装置结构。半导体装置结构包括半导体基板，其具有测试区，与多个第一导电线路位于测试区上。第一导电线路是电性串联。半导体装置结构亦包括多个第二导电线路位于测试区上。第二导电线路是电性串联，且第二导电线路与第一导电线路物理分隔。半导体装置结构还包括多个磁性结构，其包覆第一导电线路的部分并包覆第二导电线路的部分。磁性结构排列成行。
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